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李蕊

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：北京理工大学理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇基区渡越时间
  • 1篇SIGE异质...
  • 1篇SIGE异质...

机构

  • 1篇北京理工大学

作者

  • 1篇李蕊
  • 1篇苏文勇
  • 1篇邵彬

传媒

  • 1篇北京理工大学...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析被引量：5
2005年
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小.
苏文勇李蕊邵彬
关键词：SIGE异质结双极晶体管基区渡越时间
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