林媛
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- 一种制备具有有序表面结构的镧钙锰氧薄膜的方法
- 本发明涉及超大磁电阻材料制备领域。利用镧钙锰氧薄膜与钛酸锶基片热膨胀系数的差异，通过对激光溅射参数、沉积温度及热处理温度等因素的调控，使镧钙锰氧薄膜表面形成有序微裂纹结构，从而在薄膜表面诱导纳米尺度颗粒的有序分布，并实现...
- 赵柏儒彭海兵龚伟志谢中林媛郝昭许波
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- 一种在硅基片上生长单一取向的锆钛酸铅薄膜的方法
- 本发明涉及铁电－半导体异质结领域。本发明以超薄氧化硅作缓冲层,通过对其厚度、激光沉积参数及沉积温度等因素的控制,用脉冲激光沉积设备实现PZT薄膜在硅基片上的取向生长。本发明工艺简单可靠,样品重复性好,获得的取向生长PZT...
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- 一种制备具有有序表面结构的镧钙锰氧薄膜的方法
- 本发明涉及超大磁电阻材料制备领域。利用镧钙锰氧薄膜与钛酸锶基片热膨胀系数的差异,通过对激光溅射参数、沉积温度及热处理温度等因素的调控,使镧钙锰氧薄膜表面形成有序微裂纹结构,从而在薄膜表面诱导纳米尺度颗粒的有序人布,并实现...
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- 一种在硅基片上生长单一取向的锆钛酸铅薄膜的方法
- 本发明涉及铁电-半导体异质结领域。本发明以超薄氧化硅作缓冲层，通过对其厚度、激光沉积参数及沉积温度等因素的控制，用脉冲激光沉积设备实现PZT薄膜在硅基片上的取向生长。本发明工艺简单可靠，样品重复性好，获得的取向生长PZT...
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- 一种在钛酸锶基片上制备纳米级有序微裂纹的方法
- 本发明属于纳米结构制备领域。通过激光溅射在STO基片上沉积LCMO薄膜，利用热处理过程中LCMO薄膜的自组织行为，通过控制制备过程中的沉积温度、退火温度及薄膜厚度等工艺条件，使得LCMO薄膜表面自发形成纳米级正交有序微裂...
- 赵柏儒龚伟志许波蔡纯张富昌罗鹏顺林媛
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- 具有亚微米有序微裂纹结构的钛酸锶基片的制备
- 本文采用脉冲激光沉积的方法,在钛酸锶(SrTiO<,3>)基片上制备了具有有序微裂纹结构的镧钙锰氧(La<,0.5>Ca<,0.5>MnO<,3>)薄膜.然后采用离子刻蚀的方法将镧钙锰氧薄膜剥离,则钛酸锶基片上留下了相应...
- 龚伟志蔡纯林媛罗鹏顺许波陶宏杰赵柏儒
- 关键词：超导薄膜脉冲激光沉积离子刻蚀光刻技术
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- 一种在钛酸锶基片上制备纳米级有序微裂纹的方法
- 本发明属于纳米结构制备领域。通过激光溅射在STO基片上沉积LCMO薄膜，利用热处理过程中LCMO薄膜的自组织行为，通过控制制备过程中的沉积温度、退火温度及薄膜厚度等工艺条件，使得LCMO薄膜表面自发形成纳米级正交有序微裂...
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