王彦刚
- 作品数：4 被引量：20H指数：2
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制被引量：15
- 2005年
- 研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软击穿后的栅电流Ig符合Fowler-Nordheim隧穿公式,但室温下隧穿势垒b的平均值仅为0·936eV,远小于Si/SiO2界面的势垒高度3·15eV.研究表明,软击穿后,处于Si/SiO2界面量子化能级上的电子不隧穿到氧化层的导带,而是隧穿到氧化层内的缺陷带上.b与缺陷带能级和电子所处的量子能级相关;高温下,激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致b逐渐降低.
- 王彦刚许铭真谭长华段小蓉
- 关键词：超薄栅氧化层N-MOSFET导电机制软击穿SI/SIO2栅电流
- 恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性被引量：4
- 2005年
- 研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的升高而增大.用类渗流模型模拟了软击穿后衬底电流与栅电压的关系.利用变频光泵效应讨论了超薄栅MOSFET低电压应力下衬底电流的来源,并解释了软击穿后衬底电流和栅电流之间的线性关系.
- 王彦刚许铭真谭长华段小蓉
- 关键词：衬底电流软击穿超薄栅氧化层
- 基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟被引量：1
- 2006年
- 研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(softbreakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式———类渗流导电公式.该公式能够在较大的电压范围(-4～+3V)模拟氧化层SBD后的栅电流和衬底电流的电流电压特性,为超薄栅氧化层可靠性的研究提供了一个较为简便的公式.
- 王彦刚许铭真谭长华段小蓉
- 关键词：软击穿超薄栅氧化层
- MOSFET超薄栅氧化层的可靠性研究
- 目前，工业生产中集成电路的特征尺寸已经减小到90nm，MOSFET的栅氧化层厚度也减小到2nm以下。由于工作电压并没有随器件特征尺寸等比例缩小，氧化层的工作电场不断增加，超薄栅和高场效应使氧化层可靠性问题面临越来越大的挑...
- 王彦刚
- 关键词：超薄栅氧化层MOSFET可靠性负偏压温度不稳定性CMOS技术
