秦国林
- 作品数：24 被引量：33H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路重点实验室基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 集成电路标准规范中的LTPD抽样浅析被引量：1
- 2012年
- 介绍了集成电路失效率抽样检查的基础理论,论述集成电路标准规范中最常用的LTPD方案,并对LTPD抽样方案中的抽样样本大小进行了计算。
- 秦国林许斌罗俊
- 关键词：集成电路失效率
- 一种大双列直插器件高加速离心试验通用夹具
- 本发明公开了一种大双列直插器件高加速离心试验通用夹具，应用在试验设备领域，包括底板、滑块、导向条、装夹槽和磁性橡胶片。本发明夹具通过自身的滑动和伸缩，拥有两个相互垂直的自由度，可以根据不同长宽尺寸的大双列直插器件外形尺寸...
- 朱朝轩罗俊李晓红吴兆希谭骁洪秦国林张锋唐毅唐游
- 文献传递
- 双极型功率集成电路版图设计技术
- 2010年
- 双极型功率集成电路已大量应用于民用、军用电子设备中,其典型应用主要是在通信系统、雷达和电子对抗等领域。大功率电子设备的性能与可靠性很大程度上取决于双极功率器件及其放大电路的性能,因此,提高双极型功率集成电路的性能和可靠性具有十分重要的现实意义。在分析双极功率器件和集成电路工作特点的基础上,介绍了器件结构及其版图设计方法,详细分析了其特点和功能,以达到提高双极型功率集成电路性能和可靠性的目的。
- 罗俊谭旻秦国林刘伦才邢宗锋
- 关键词：版图设计可靠性
- 一种具有界面N<Sup>+</Sup>层的SOI LDMOS半导体器件
- 本发明公开了一种具有界面N<Sup>+</Sup>层的SOI LDMOS半导体器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底硅层、介质埋层和有源顶层硅，介质埋层设置于衬底硅层与有源顶层硅之间，有源顶层硅自半导体表面至介质埋层分为...
- 胡盛东罗俊谭开洲徐学良王健安秦国林唐昭焕陈文锁
- 文献传递
- 一种3D集成微系统元器件的机械试验夹具及装夹方法
- 本发明提供一种3D集成微系统元器件的机械试验夹具及装夹方法，在该夹具中，通过子夹具的夹持孔对待试验元器件的侧面进行挤压夹持，可有效装夹上下表面不平整的3D集成微系统元器件，解决了无法对这类器件进行装夹的问题；子夹具夹持待...
- 朱朝轩罗俊吴兆希谭骁洪李晓红秦国林张锋唐毅
- 文献传递
- 评价引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命的方法
- 本发明提供一种引线键合气密性封装模拟集成电路贮存寿命评估方法。该方法包括步骤：选取筛选合格的样品随机分为若干组；测试并计算一组样品内部的相对湿度及键合丝的键合强度平均值；利用恒定温度应力、温度循环和恒定湿热三组加速应力进...
- 罗俊李晓红许斌邓永芳刘凡秦国林徐学良胡波王健安陈光炳
- 文献传递
- 一种无外引出线芯片级器件测试平台及其使用方法
- 本发明属于自动化测试技术领域，特别是一种无外引出线芯片级器件测试平台；本平台包括导轨支架、探针组件、器件固定底板以及平台底座；导轨支架包括一个载物台、两根金属杆和U型框架，载物台活动设置在金属杆上，金属杆的一端与U型框架...
- 蔡建荣邱忠文秦国林罗俊吴兆希李晓红谭骁洪杨勇杨迁朱朝轩
- 文献传递
- MOS管毫欧级导通电阻测试方法被引量：4
- 2019年
- 本文通过介绍MOS管导通电阻测试的原理,分析了常用方法造成毫欧级导通电阻测试结果不准确的因素,详细介绍了导通电阻测试的两种改进方法-间接测试法和直接测试法,同时给出了两种方法的测试原理,并通过实际的测试结果,证明了这两种改进方法能够切实满足测试需求,对解决类似的MOS管导通电阻测试问题有较为实用的意义。
- 秦国林许娟蔡建荣杨勇刘星宇
- 关键词：导通电阻
- 微纳米CMOS VLSI电路可靠性仿真与设计被引量：5
- 2012年
- 介绍了CMOS VLSI的可靠性建模和仿真技术的发展历史、相应的仿真工具、失效机理等效电路和算法,重点总结了当前最新的CMOS超大规模集成电路可靠性建模仿真技术,为促进我国集成电路可靠性设计水平起到积极的作用。
- 罗俊郝跃秦国林谭开洲王健安胡刚毅许斌刘凡黄晓宗唐昭焕刘勇
- 关键词：超大规模集成电路
- 双极型集成电路可靠性技术被引量：8
- 2010年
- 介绍了影响双极型集成电路可靠性的主要因素,重点分析了当前国内外双极型集成电路可靠性的研究方法。通过在设计、工艺、原材料和元器件等方面采取对策和措施,可达到提高双极型集成电路可靠性的目的。
- 罗俊秦国林邢宗锋李志强
- 关键词：双极型集成电路可靠性失效模式
