闫薇薇
- 作品数:12 被引量:92H指数:5
- 供职机构:北京工业大学更多>>
- 发文基金:国家科技支撑计划国家高技术研究发展计划国家科技型中小企业技术创新基金更多>>
- 相关领域:电子电信电气工程更多>>
- 一种基于蓝宝石衬底的单芯片白光发光二极管
- 一种基于蓝宝石衬底的单芯片白光发光二极管,属于半导体光电子技术领域。包括上层p型电极、蓝色发光单元、隧道结、绿色发光单元、上层n型电极和蓝宝石衬底构成的上层结构,或者由蓝绿光p-电极、蓝绿光发光单元、蓝绿光n-电极和蓝宝...
- 郭伟玲闫薇薇崔碧峰刘莹高伟
- 文献传递
- 注入电流对GaN基LED发光特性的影响被引量:14
- 2011年
- 通过调节量子阱中的In组分,制备了GaN基蓝光和绿光发光二极管(LED)。对两种LED进行变电流测试发现,注入电流由3 mA增加到900 mA过程中,波长有蓝移现象,且绿光LED的波长蓝移较明显。这是量子阱限制斯塔克效应(QCSE)造成的。由于绿光LED中In组分含量较大,QCSE较明显。并且发现,光效迅速下降,绿光LED的光效下降幅度更大。这是由于电流不强时局域态中的电子溢出到导带与位错缺陷和空穴发生非辐射复合,电流很大时空穴量子阱中空穴分布不均匀,没有足够的空穴与导带的电子复合,电子溢出有源区形成无效的电流注入,造成光效迅速下降;绿光LED的明显蓝移使视效函数V(λ)值减小,使测量的光效下降幅度更大。
- 崔德胜郭伟玲崔碧峰闫薇薇刘莹
- 关键词:发光二极管(LED)蓝移
- 温度对功率LED光谱特性的影响被引量:38
- 2011年
- 制备了两种1 W白光功率发光二极管(LED),这两种样品分别是对台湾和美国两家公司生产的蓝光芯片,涂敷相同荧光粉和透明硅胶封装而成。对制备好的LED进行了变温光学特性测试,温度变化范围为15~75℃,测试电流为350 mA。结果表明:温度变化对LED的峰值波长,辐射通量、色温等参数都有影响。通过对光谱曲线的数据处理,找到了LED性能随温度的变化关系,并从原理上分析了峰值波长、辐射通量、色温随温度变化的原因,提出了改进白光LED温度特性的建议。
- 丁天平郭伟玲崔碧峰尹飞崔德胜闫薇薇
- 关键词:温度光谱峰值波长辐射通量
- 荧光粉比例对白光LED特性的影响被引量:5
- 2011年
- 用黄色和橙色硅酸盐荧光粉制备了白光LED,调整黄粉和橙粉的比例得到不同的色温。对样品进行光学测试,发现黄粉与橙粉的比例小于7时,黄光部分的峰值约590nm,比例大于7时,黄光部分的峰值约570nm;显色指数和流明效率都足随色温的增大先上升后下降,5521K时达到最优值,这是由于低色温时,荧光粉的浓度大导致不能有效激发,光谱中红色成分过多导致显色指数低,高色温时,荧光粉浓度小导致蓝光不能有效利用,光谱中红色成分过少导致显色指数低。对样品进行10-80℃的变温测试,发现流明效率降低并且幅度不同,除了芯片本身的俄歇复合外,还说明黄色和橙色荧光粉随温度上升激发效率下降程度不同,橙色荧光粉的温度特性要优于黄色荧光粉。
- 郭伟玲崔德胜崔碧峰闫薇薇刘莹
- 关键词:发光二极管荧光粉光谱显色指数
- 电流对功率LED性能的影响
- <正>1引言半导体照明光源具有节能、环保、安全、易驱动、体积小、寿命长、色彩丰富、可靠性高等优点,经过40多年的发展,发光效率和功率得到了大幅度的提高,1996年白光LED的研制成功使半导体照明光源备受瞩目,目前已被公认...
- 郭伟玲尹飞崔碧峰丁天平闫薇薇崔德胜
- 文献传递
- LED路灯老化特性的研究
- <正>1引言发光二极管(light emitting diode,简写为LED)光源具有节能、环保、寿命长、效率高等优点,被广泛应用于交通信号灯、应急照明、屏幕显示等诸多领域[1],随着光效、光通量的提高,高亮度白光LE...
- 郭伟玲丁天平崔德胜尹飞闫薇薇
- 文献传递
- 高显色白光LED的制备及其变温特性被引量:18
- 2012年
- 分别用黄色、红色荧光粉和黄色、红色、绿色荧光粉制备了两种高显色指数白光发光二极管(LED),调整荧光粉的比例使显色指数达到最高。对两种样品进行光学测试,发现加绿粉的样品光通量比较大,这是因为加绿粉后绿光成分较多,而绿光的视效函数比红光的大得多。对两种样品进行10℃~90℃的变温测试,发现发光效率都降低,显色指数反而升高。发光效率降低一方面是由芯片的内量子效率降低引起的,另一方面是芯片的发射波长红移使其与荧光粉的激发波长不匹配,并且荧光粉在升温时激发效率会降低。显色指数升高是因为高温时芯片发出的蓝光光谱变宽,使得整个光谱相对于室温时的光谱更平滑,更接近太阳光谱。
- 崔德胜郭伟玲崔碧峰闫薇薇刘莹
- 关键词:光学器件显色指数荧光粉发光效率
- 一种基于蓝宝石衬底的单芯片白光发光二极管
- 一种基于蓝宝石衬底的单芯片白光发光二极管,属于半导体光电子技术领域。包括上层p型电极、蓝色发光单元、隧道结、绿色发光单元、上层n型电极和蓝宝石衬底构成的上层结构,或者由蓝绿光p-电极、蓝绿光发光单元、蓝绿光n-电极和蓝宝...
- 郭伟玲闫薇薇崔碧峰刘莹高伟
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- GaN基功率LED电应力老化早期的退化特性被引量:4
- 2012年
- 对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 mA电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24 h隧穿电流最小,绿光LED到6 h隧穿电流最小;同时,两种LED的反向漏电也最小、光通量最大,随后绿光LED的反向漏电增加较快且光通量衰减较快。把热退火效应和电应力下缺陷的产生分别看成正负加速因子,绿光LED的负加速因子的增加速度比蓝光LED大,衰减较快。该结果对GaN LED的改进有一定参考价值。
- 崔德胜郭伟玲崔碧峰丁艳闫薇薇吴国庆
- 关键词:发光二极管氮化镓光通量
- 人体模式静电放电对GaN基大功率发光二极管特性的影响被引量:12
- 2011年
- 对GaN基大功率蓝光发光二极管(LED)分别施加了-200,-400,-600,-800,-1100和-1500 V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后,测量样品电学参数和光学参数的变化,研究了静电对LED可靠性的影响,并从理论上分析了相关衰减机理。结果表明,在-200,-400,-600和-800 V的打击后,有明显的软击穿,这是因为在有源区和限制层中产生了缺陷;在-1100 V和-1500 V的打击后,漏电很大并且光通量衰减为打击前的50%,这是因为大的静电使得有源区产生熔融细丝,导致小电流时LED不发光,大电流时光通量明显下降,致使LED失效。同时还提出了一种简单有效的抗静电保护电路。
- 崔德胜郭伟玲崔碧峰丁天平尹飞闫薇薇
- 关键词:光学器件静电放电发光二极管