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陆翠敏

作品数:56 被引量:97H指数:5
供职机构:天津理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金国家级大学生创新创业训练计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程金属学及工艺化学工程更多>>

文献类型

  • 41篇期刊文章
  • 11篇会议论文
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  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 42篇一般工业技术
  • 34篇电气工程
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇化学工程
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  • 1篇电子电信

主题

  • 34篇压电
  • 30篇压电陶瓷
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  • 20篇相组成
  • 19篇陶瓷
  • 19篇显微结构
  • 10篇PMSZT压...
  • 10篇PZT
  • 9篇温度稳定性
  • 8篇准同型相界
  • 7篇无铅
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  • 7篇无铅压电陶瓷
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  • 4篇制备及性能
  • 4篇NITI
  • 4篇N-
  • 4篇SB
  • 3篇压电陶瓷材料
  • 3篇烧结温度

机构

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  • 1篇教育部
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作者

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  • 5篇罗云飞
  • 5篇朱宏亮
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传媒

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  • 6篇功能材料
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  • 1篇材料科学与工...
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  • 1篇无机材料学报
  • 1篇热加工工艺
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇材料工程
  • 1篇复合材料学报
  • 1篇兵器材料科学...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇实验室科学
  • 1篇科技创新导报

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 6篇2008
  • 3篇2007
  • 7篇2006
  • 15篇2005
  • 6篇2004
56 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铁电陶瓷/形状记忆合金复合智能材料制备及其传感特性
高晓云刘庆锁刘玉茹陆翠敏吕联荣叶会华姜训勇
采用磁控溅射法制备出了表面沉积有NiTiSMA薄膜的铁电陶瓷PZT基铁电陶瓷PZT/NiTi形状记忆合金2-2型复合智能材料并测试出材料的本征传感特性.所制备复合材料的响应频率范围与PZT材料一样,明显响应频率在900~...
关键词:
关键词:铁电陶瓷形状记忆合金智能复合材料
烧结工艺对PSN-PZN-PMS-PZT瓷性能的影响被引量:6
2004年
采用二次合成工艺得到了Pb(Sn1/3Nb2/3)0.03(Zn1/3Nb2/3)0.03(Mn1/3Sb2/3)0.04Zr0.435Ti0.465O3(PSN-PZN-PMS-PZT)五元系压电陶瓷。分析讨论了压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。并研究升温速度,保温时间对介电、压电性能的影响。结果表明,升温速度过快时材料致密性下降;烧结温度1 260℃保温3 h,得到一种综合性能优良的压电材料。其主要参数:r为1 390,d33为300 pC/N,kp为55.1%,Qm为1 180,tg为0.30?02。
陆翠敏孙清池胜鹏徐明霞
关键词:烧结温度保温时间
Pb(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_(0.05)Zr_(0.47)Ti_(0.48)O_3压电陶瓷的温度稳定性研究被引量:1
2012年
探讨了硬性添加物MnO2、软性添加物Nb2O5和两性添加物Cr2O3对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(简称PMSZT5)压电陶瓷的相组成及温度稳定性的影响.研究结果发现:各掺杂组成在900℃的煅烧温度下,都可以得到钙钛矿结构.随着各掺杂离子的增大,四方相含量减少,准同型相界向三方相移动.综合考虑离子掺杂对PMSZT5压电陶瓷的机电性能及温度稳定性的研究结果表明:锰过量较其它铌和铬掺杂的温度稳定性更好,机电性能最佳的PMSZT5+0.1wt%MnO2的组成,ε33T/ε0=1560,d33=350pC/N,Kp=0.63,25~80℃的fr、K31和d31平均温度系数分别为72×10-6/℃、0.027%/℃和0.100%/℃.
陆翠敏刘庆锁左建波孙清池
关键词:PMSZT压电陶瓷相组成温度稳定性
低内阻碳纳米管超级电容器研究
以多壁碳纳米管为电极材料制备了超级电容器。实验结果表明,碳纳米管预处理对电容器的容量影响最大,其次是电解液类型。碳纳米管涂覆方法对电容的储电性能影响最小。在实验中,最佳电容器的实验条件是:碳纳米管需经预处理,采用电泳法涂...
姜训勇张磊孙立伟刘庆锁陆翠敏
关键词:碳纳米管超级电容器电泳法内阻
文献传递
锑锰锆钛酸铅压电陶瓷的MnO_2改性研究
2012年
探讨了MnO2过量对锑锰锆钛酸铅(Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3,简写为PMSZT5)压电陶瓷的性能影响。通过X线衍射(XRD)分析了PMSZT5+z%MnO2(z=0~0.7,质量分数)陶瓷的相组成。结果发现,合成温度900℃保温2h后可得到完全钙钛矿结构。随着锰含量的增大,体系从准同型相界向三方相转变。z>0.1、1 240℃烧结温度下,介电常数ε3T3/ε0、压电常数d33、机电耦合系数kp达到最佳值,即ε3T3/ε0=1 560、d33=350pC/N、kp=0.63。该组成的谐振频率fr、横向机电耦合系数k31和压电常数d31的温度稳定性与未掺杂相比有所改善。过量锰的加入使PMSZT5的居里温度降低。
陆翠敏刘庆锁左建波
关键词:相组成显微结构温度稳定性居里温度
MnSb含量对PMSZT陶瓷电性能的影响
大功率压电陶瓷要求材料不但在强场下有小的介质损耗,大的机械品质因数,且须具备一定的压电常数和机电耦合系数。以PZT为基础发展起来的三元系压电陶瓷与二元系相比烧结温度低,Pb O挥发少,与四元系相比工艺容易控制,重复性好,...
陆翠敏孙清池徐明霞罗云飞
关键词:钙钛矿电性能准同型相界
文献传递
PM SZT压电陶瓷的烧结工艺研究被引量:3
2007年
大功率压电陶瓷要求材料不但在强场下有小的介质损耗,大的机械品质因数,同时兼备一定的压电常数和机电耦合系数.当然一般说来,Qm提高的话,Kp、d33就会降低,所以我们希望在保证高Qm情况下,尽可能提高压电应变系数d33和机电耦合系数Kp.微观结构对陶瓷性能有着重要的影响,通过选择合理的烧结制度改变材料的微观结构,可以提高材料的性能.本文研究升温速度和保温时间对PMSZT大功率压电陶瓷的相组成、显微结构及电性能的影响.结果发现升温速度过快或过慢会使材料致密性下降.烧结温度1240℃保温1h时,晶粒致密均匀,居里温度最低.随着保温时间的缩短或延长,居里温度增加.电性能在保温1 h时达最佳:ε33T/ε0=1700,d33=336×pC/N,Kp=0.655,Qm=2200,tanδ=0.0030.PMSZT陶瓷介电和压电性能良好,可以满足了大功率材料的使用要求.
陆翠敏孙清池徐明霞韩静国
关键词:保温时间相组成显微结构
PZT基NiTi SMA/PZT复合材料的组织结构及其压电性能研究
采用真空直流溅射法在PZT基体上沉积NiTi SMA薄膜,再经过晶化处理而制备出PZT基NiTi SMA/PZT复合材料。使用扫描电子显微镜观察复合材料试样的表面和界面组织结构。使用ZJ-3A型准态仪、Automatic...
吴小萍刘庆锁陆翠敏卢雪梅
关键词:压电性能
文献传递
教学改革对学生创新素质培养的探讨被引量:3
2011年
创新性素质培养是高等学校教学改革的根本目的之一,通过开展"材料性能学课堂教学-前沿基础实验-开放实验室自主设计实验-申报国家创新性实验"这一创新人才培养模式,以材料科学与工程专业学生创新素质培养研究为载体,提高学生学习知识的积极性、主动性,改变目前高等教育培养过程中实践教学环节薄弱,动手能力不强的现状,改变传统式的教学方法,推广研究性学习和个性化培养的教学方式,使学生的实践能力、创新能力得到大幅度提高。
马玉春肖辉君王志奇陶小克陆翠敏
关键词:教学改革
PMSZT压电陶瓷材料的性能研究
2005年
以固态氧化物为原料,采用二次合成工艺制备PMS-PZT三元系压电陶瓷。研究组成为Pb1.04(Mn1/3Sb2/3)0.05ZrxTi0.95-xO3的压电陶瓷的相组成、显微结构、电性能以及温度稳定性。结果表明:合成温度900℃保温2h,可以得到钙钛矿结构。烧结温度1240℃保温2h时,综合性能达最佳值:3εT3/0ε=1420,d33=324pC/N,Kp=62%,Qm=2400,tanδ=0.0029。烧成温度影响谐振频率的变化率。提高烧成温度可以使正温范围的变化率提高,负温范围的变化率降低。
陆翠敏孙清池徐明霞罗云飞
关键词:三元系压电陶瓷相组成显微结构电性能温度稳定性
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