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陈永麒

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 8篇无显影气相光...
  • 8篇光刻
  • 6篇刻蚀
  • 4篇软恢复
  • 4篇二极管
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体二极管
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化硅
  • 3篇曝光量
  • 3篇晶闸管
  • 3篇刻蚀深度
  • 3篇甲胺
  • 3篇甲胺基
  • 3篇功率
  • 3篇光刻胶
  • 3篇胺基
  • 3篇成膜
  • 3篇成膜物
  • 3篇成膜物质

机构

  • 14篇清华大学

作者

  • 14篇陈永麒
  • 10篇张斌
  • 9篇王培清
  • 7篇洪啸吟
  • 5篇卢建平
  • 4篇张清纯
  • 3篇王小兵
  • 3篇段生权
  • 2篇王晓彬
  • 2篇王均平

传媒

  • 2篇中国电工技术...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电力电子技术

年份

  • 2篇2001
  • 4篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1995
  • 2篇1993
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
超强酸催化的无显影气相光刻胶
一种无显影气相光刻胶，属于光刻技术领域。本发明光刻胶由成膜物质，增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。所说的成膜物质为可紫外光固化的光敏树脂如肉桂酸酯类树脂、丙烯酸类树脂。所说的增感剂可用吩噻嗪、N-苯基吩塞嗪、二苯甲酮、蒽、安...
洪啸吟卢建平王培清陈永麒
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有机碱催化的无显影气相光刻胶
一种无显影气相光刻胶，属于光刻技术领域。本发明光刻胶由成膜物质，光敏剂、具有光敏性的刻蚀促进剂和溶剂组成，所说的成膜物质为可紫外光固化的光敏树脂如肉桂酸酯类树脂、丙烯酸类树脂。所说的光敏剂可用5-硝基苊，安息香二甲醚、二...
王培清卢建平洪啸吟陈永麒
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提高快速晶闸管的某些动态参数的探讨
王培清陈永麒张斌
关键词：快速晶闸管开关速度阴极
大功率软恢复隧道二极管管芯结构
本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SPBD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属层形成两电极。阳极区由P区和均匀分布在P区中的呈圆形的P<Sup>+</Sup>区。基区为N区。阴极区由N<Sup>+</Sup>区为镶嵌...
张清纯张斌陈永麒王均平
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有机碱催化的无显影气相光刻胶
一种无显影气相光刻胶，属于光刻技术领域。本发明光刻胶由成膜物质，光敏剂、具有光敏性的刻蚀促进剂和溶剂组成，所说的成膜物质为可紫外光固化的光敏树脂如肉桂酸酯类树脂。所说的光敏剂可用5-硝基苊；光敏性刻蚀促进剂为带有叔胺基的...
王培清卢建平洪啸吟陈永麒
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大功率快速软恢复二极管SIOD管芯结构
本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SIOD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属薄膜构成的二个电极。阳极区由P区及多个均匀分布在该P区中的呈圆形的P<Sup>+</Sup>区,基区为N区,阴极区由多个条状的N<Sup>...
张清纯张斌陈永麒王晓彬
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无显影气相光刻在大功率晶闸管元件生产中的应用
1995年
由于无显影气相光刻（ＤＦＶＰ）具有分辨率高、针孔密度低、光刻流程短、设备简单、成本低等优点，因此将其应用于晶闸管元件的生产具有非常重要的实际意义．本文在系统地研究ＤＦＶＰ机理的基础上，提出了新的配方，解决了刻蚀厚二氧化硅（ＳｉＯ２）层的关键技术问题。
王培清卢建平陈永麒
关键词：晶闸管光刻氧化层无显影气相光刻
大功率软恢复隧道二极管SPBD管芯结构
本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SPBD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属层形成两电极。阳极区由P区和均匀分布在P区中的呈圆形的P<Sup>+</Sup>区。基区为N区。阴极区由N<Sup>+</Sup>区及镶嵌...
张清纯张斌陈永麒王均平
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酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮化硅的工艺,无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶光敏产酸物∶溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。...
段生权王培清张斌王小兵陈永麒洪啸吟
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碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
本发明涉及一种适用碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺,无显影光刻胶由成膜物质、增感剂、有机碱、溶剂组成,各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶有机碱∶溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。采用...
段生权王培清张斌王小兵陈永麒洪啸吟
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