刘彬瑶
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西南大学化学化工学院更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 新型低带隙聚合物结构和性质的理论研究被引量：3
- 2012年
- 本文将3,4-次乙烯二氧噻吩(VDOT)与噻吩并[3,4-b]吡嗪(TP),呋喃并[3,4-b]吡嗪(FP)和6H-吡咯并[3,4-b]吡嗪(PP)组合,获得了一系列3,4-次乙烯二氧噻吩衍生物.采用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/6-31G*理论水平下对其单体、低聚物和聚合物的结构和电子性质进行了深入的理论研究.通过分析键长的变化、中心键性质,Wiberg键级(WBI)以及核独立化学位移,发现随着聚合度的增加物质的共轭性也随之增加.为了了解不同的VDOT与TP、FP、PP比例对电子性质的影响,对V-P比例为1:1、1:2和2:1时的计算结果进行了对比分析,结果表明,V-P比例为1:2化合物共轭性最好,而2:1的共轭性最差.由于1:2的二聚物具有较大的电子迁移速率,其相应的聚合物可能是潜在的电子传输材料.同时,聚合物的能带结构显示V-P比例为1:1的聚合物(包括(VDOT-TP)n,(VDOT-FP)n和(VDOT-TP)n)具有相对低的带隙和很宽的带宽,可以做为潜在的导电材料.另外,(VDOT-BTP)n和(VDOT-BFP)n有着非常低的带隙(分别为0.73和0.87eV),且拥有合适的带宽,也是良好的本征导电材料.
- 邓理丹李明解晓华刘彬瑶申伟
- 关键词：密度泛函理论电子性质带隙导电材料
- 理论分析新型低带隙聚合物的电子结构和性质
- 邓理丹申伟解晓华刘彬瑶李明
