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唐逸
作品数:
32
被引量:3
H指数:1
供职机构:
上海集成电路研发中心
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发文基金:
上海市青年科技启明星计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
周伟
上海集成电路研发中心
任铮
上海集成电路研发中心
胡少坚
上海集成电路研发中心
曹永峰
上海集成电路研发中心
叶红波
上海集成电路研发中心
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唐逸
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低功耗锁相环电路
本发明的低功耗锁相环电路包括鉴频鉴相器、环路滤波器、电荷泵、压控振荡器、分频器、信号检测电路和动态开关,所述鉴频鉴相器与所述电荷泵连接,所述电荷泵通过所述动态开关与所述环路滤波器连接,所述环路滤波器与所述压控振荡器连接,...
任铮
胡少坚
周伟
曹永峰
唐逸
文献传递
一种MOS管界面态的测试方法
本发明提供了一种MOS管界面态的测试方法,所述测试方法包括如下步骤:步骤1.采用电荷泵测试法测得一条电荷泵电流曲线,通过漏端开路和源端开路分别获得另外两条电荷泵电流曲线;步骤2.将这三条曲线相同部分和不同部分进行分离可分...
唐逸
文献传递
一种MOS器件热载流子效应的测试结构及测试方法
本发明公开了一种MOS器件热载流子效应的测试结构,包括至少两组阵列的测试结构单元(1),每组测试结构单元(1)的栅极焊盘(GG)通过第一二极管(D1)连接有第一焊盘(A1),漏极焊盘(DD)通过第二二极管(D2)连接有第...
唐逸
张悦强
文献传递
确定热载流子注入器件寿命的方法
本发明提供了一种确定热载流子注入器件寿命的方法,包括如下步骤:测量一器件在3个不同Vd下的Isub-Vg曲线与Id-Vg曲线;对于每一组Isub-Vg曲线和Id-Vg曲线,分别找出Isubmax值及Isubmax值下的V...
唐逸
周伟
任铮
文献传递
MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法
本发明提供一种MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法,该方法依据收集到的被模拟MOS晶体管工艺线器件特性的统计信息,选取PSP模型的14个参数,最终得到了MOS晶体管工艺角PSP模型卡。这种基于PSP模型的MOS晶体...
任铮
胡少坚
周伟
唐逸
彭兴伟
文献传递
触发器电路以及分频器
本发明提供了一种触发器电路以及分频器。该触发器电路包括:第一两输入与非门、第二两输入与非门、第一反相器、第二反相器、第三反相器、以及第一D型触发器;其中所述触发器电路的设置端与负载端分别连接至所述第一两输入与非门的两个输...
任铮
胡少坚
周伟
唐逸
文献传递
制备铜-气体介质悬空大马士革结构的方法
一种制备铜-气体介质悬空大马士革结构的方法,采用湿法刻蚀并结合超临界二氧化碳法去除牺牲层材料,实现铜-空气介质大马士革悬空结构。本发明方法防止了湿法刻蚀时,由于液体的表面张应力引起的上层结构与下层结构的粘连。
唐逸
文献传递
一种热载流子注入测试MOS器件的方法
本发明提供的一种热载流子注入测试MOS器件的方法包括以下步骤:1)根据JEDEC标准,对器件进行热载流子注入实验,计算所测试出的电学参数衰退幅度值;2)将不同时间点下计算出的MOS器件电学参数衰退幅度数据利用公式<Ima...
唐逸
文献传递
热载流子注入退化性能的评估方法
本发明公开了一种热载流子注入退化性能的评估方法。所述方法包括:在一半导体MOS器件的漏端、源端分别加载对应的漏端电压、源端电压,并依次从交流电压信号被均分形成的多份交流电压信号中选择一份交流电压信号加载到半导体MOS器件...
唐逸
周伟
张悦强
文献传递
芯片参数测试的数据处理方法
本发明提供一种芯片参数测试的数据处理方法,包括:提供一晶圆,所述晶圆上包括n个芯片,其中,n为大于1的整数;分别定义所述n个芯片在晶圆中的位置坐标;分别测量i个芯片的性能参数,并将测量值记录在存储模块中,其中,i为大于1...
冯程程
叶红波
唐逸
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