夏伟
- 作品数：25 被引量：18H指数：3
- 供职机构：山东大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 非对称结构大功率940nm量子阱激光器
- 2014年
- 为改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半导体激光器输出特性,通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布,并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件。采用低压金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长技术,获得了低内吸收系数的高质量外延材料,通过实验数据计算得到激光器材料内吸收系数仅为0.44mm^(-1)。进而通过管芯工艺制作了条宽100μm、腔长2000μm的940 nm半导体激光器器件。25℃室温10 A直流连续(CW)测试镀膜后器件阈值电流251 mA,斜率效率1.22 W/A,最大输出功率达到9.6 W,最大光电转化效率超过70%。
- 蒋锴李沛旭张新汤庆敏夏伟徐现刚
- 关键词：量子阱激光器大功率INGAAS/GAAS金属有机物化学气相沉积
- 宽频带长波响应的GaAs/Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As量子阱红外探测器及其制备方法与应用
- 本发明提供一种宽频带长波响应的GaAs/Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As量子阱红外探测器，包括由下而上顺次设置的GaAs衬底、GaAs底接触层，所述的GaAs底接触层包括凸起的台形结构，在...
- 连洁赵明琳张福军孙兆宗王晓高尚张文赋胡娟娟夏伟
- 文献传递
- 一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法
- 本发明公开了一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法，包括以下步骤：(1)在衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层；(2)在P-GaN外延层上生长沉积ITO薄膜层；(3)将ITO靶材溶于盐酸溶液并稀...
- 郝霄鹏巩海波吴拥中夏伟徐现刚
- 一种降低有源区工作温度的LED结构及其制备方法
- 本发明涉及一种降低有源区工作温度的LED结构，包括衬底层、本征GaN层、n-GaN限制层、有源区发光层、p-GaN限制层、p面电极和n面电极，其中：在所述p-GaN限制层的上表面或下表面上设置有孔洞，形成孔洞阵列，所述孔...
- 左致远夏伟刘铎苏建徐现刚
- 文献传递
- ITO掩膜干法粗化GaP提高红光LED的提取效率被引量：5
- 2010年
- 采用氧化铟锡(ITO)颗粒掩膜,经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后制作了表面粗化的红光发光二极管(LED),并且研究了ITO腐蚀时间对粗化表面形貌的影响。测试结果表明,当粗化颗粒的大小为200～500 nm、腐蚀深度约200～400 nm时,能使制作的表面粗化红光LED在20 mA注入电流下光提取效率提高30%以上。并且,表面粗化不会影响LED的发光强度角度分布。
- 巩海波郝霄鹏夏伟吴拥中徐现刚
- 关键词：表面粗化干法刻蚀发光二极管(LED)
- 照亮未来的技术——记LED照明技术培训被引量：1
- 2007年
- 光电子技术是信息产业的核心技术之一，是继微电子技术之后迅猛发展的又一高新技术，具有强大的生命力和潜力。而由光电子技术发展起来的LED照明产业，正在世界范围内引发一场划时代的绿色照明革命和能源革命，日益显示出巨大的产业前景。LED发光器件具有体积小、耗电小、寿命长、可靠性高、响应速度快、驱动电压低等优点。21世纪LED将会占领市场，成为“照亮未来的技术”。
- 李英峰刘晶夏伟
- 关键词：LED照明光电子技术微电子技术信息产业照明产业能源革命
- PIN结构发光二极管反向击穿特性分析被引量：3
- 2006年
- 通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。通过利用LP-MOCVD技术生长了不同厚度多量子阱(MQW)有源区AlGaInP LED,测量了器件的反向击穿特征,测试结果与理论分析非常吻合。同时获得了AlGaInPMQW结构的临界反向击穿电场强度数值。这些结果可以作为具有PIN结构的LED性能优化的重要参考。
- 李树强夏伟马德营张新徐现刚蒋民华
- 关键词：发光二极管(LED)反向击穿电压PIN结构
- 利用PS球作模板制作发光二极管粗化表面的方法
- 本发明提供了一种利用PS球作模板制作发光二极管粗化表面的方法，包括以下步骤：(1)按常规外延生长外延片；(2)在外延生长的P型接触层上铺设一层由PS球紧密排布组成的单层膜；(3)以硅酸四乙酯、金属的氯化物或硝酸盐为前躯体...
- 郝霄鹏夏伟巩海波吴拥中徐现刚
- 文献传递
- 局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用
- 2014年
- 近年来,局域耦合效应在光电转换器件中的应用受到广泛关注,在发光二极管以及硅基太阳电池中的基础与应用研究成为本领域的研究热点。然而局域耦合效应在宽禁带材料体系太阳电池中的应用仍未见系统报道。研究中利用溅射与热退火的手段在GaInP太阳电池表面成功制备了粒径与占空比可控的Au/半导体纳米异质结构,并对其退火前后的形貌进行了系统分析,后续对纳米异质结构的光学吸收现象及局域耦合效应的内在机制进行了探讨。最终,通过反射光谱的表征,在Au溅射时间为20 s和30 s样品中分别得到了2.2%和5.5%的光吸收增强。该研究提出的局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用,为改善GaInP太阳电池的表面吸收效率提供了一种新的思路。
- 左致远夏伟王钢徐现刚
- 关键词：等离激元光吸收光电转换效率
- MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料
- 2012年
- 设计了808 nm高功率GaAsP/InGaAlP/GaAs半导体激光器,采用无铝张应变量子阱和非对称宽波导结构,通过优化金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长条件,提高了外延材料的生长质量,有效提升了激光器转化效率和输出功率。制作了200μm条宽、1500μm腔长的激光器器件,室温连续条件(CW)测试其阈值电流为650 mA,斜率效率高达到1.35 W/A,输出功率在11 W以上,激射波长808.5 nm@5A,水平和垂直发散角分别为8°和30°,较小的发散角有效的提高了输出光功率密度。
- 蒋锴李沛旭张新李树强夏伟夏伟胡小波徐现刚
- 关键词：量子阱激光器金属有机物化学气相沉积
