姚立勇
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：广东省科技计划工业攻关项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- 柔性不锈钢电沉积Cu-In-Ga金属预置层后硒化
- 以柔性不锈钢材料为衬底,在室温下用电沉积的方法从酸性水溶液中,利用恒电流沉积制备Cu/In/Ga叠层预制层,研究了预制层固态Se源硒化制备CIGS薄膜,主要讨论了衬底粗糙度对Mo背电极及CIGS薄膜的影响.分别利用XRD...
- 毕金莲敖建平张超姚立勇孙国忠周志强何青孙云
- 关键词：电沉积工艺不锈钢材料
- 文献传递
- 脉冲电沉积CU-Sn-Zn预制层低气压硒化制备CZTSe薄膜的研究
- 电沉积法制备Cu2ZnSnSe4(CZTSe)太阳电池是高效率低成本薄膜太阳电池的研究热点之一。电沉积法制各CZTSe薄膜存在的主要问题是电沉积法制备的Cu-Sn-Zn预制层杂质含量较高、粗糙度较大。此外，电沉积预制层与...
- 姚立勇
- 关键词：太阳电池
- 电沉积Cu/Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜被引量：1
- 2015年
- 在玻璃/Mo衬底上采用恒电流顺序电沉积Cu-Zn金属预制层,后续在SnSe_x(x=1,2)气氛较低硒压条件下硒化制备CZTSe薄膜。SnSe_x(x=1,2)分压由Sn源温度控制,Se分压由Se源温度控制,Se源及样品温度分别为270℃和570℃。采用3种不同的硒化处理工艺对金属预制层进行硒化处理。通过SEM及EDS表征CZTSe薄膜的结构、形貌及成分。综合SEM及EDS测试结果,确定CZTSe和Mo界面处MoSe_2相很薄。实验发现较低SnSe_x(x=1,2)气氛条件下可实现高温低Se压硒化CuZn预制层制备单相CZTSe薄膜,经工艺优化得到效率为7.6%的CZTSe太阳电池。
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- 关键词：电沉积
- 电沉积Cu/Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜
- 采用恒电流电沉积工艺在玻璃/Mo 衬底上顺序沉积Cu-Zn 金属预制层,后续在SnSex(x=1,2)气氛下,16.3Pa 硒压条件下硒化制备CZTSe 薄膜.SnSex(x=1,2)分压由锡源温度控制,硒源及样品温度分...
- 姚立勇敖建平毕金莲高守帅孙国忠周志强何青孙云
- 关键词：电沉积太阳电池
- Cu/In/Ga金属预制层后硒化制备CIGSe太阳电池过程中MoSe2形成机制的研究
- CIGSe/Mo 界面处较薄的MoSe2 层促进空穴传输,有利于器件性能提高,而过厚的MoSe2 层使得CIGSe 薄膜太阳电池器件的串联电阻增大,恶化器件性能[1-3].采用脉冲电沉积法制备Cu/In/Ga 金属预制层...
- 毕金莲敖建平张毅姚立勇高青张照景高守帅孙国忠周志强何青孙云
- 关键词：薄膜太阳电池
- 电沉积Cu/Sn/Zn金属预制层后硒化制备CZTSe薄膜太阳电池
- 重点研究电沉积Cu/Sn/Zn金属预制层后硒化制备CZTSe薄膜太阳电池.以酸性水溶液为电解液,在Glass/Mo衬底上分层顺序电沉积Cu、Sn、Zn金属预制层,通过XRD测试确定其物相为Cu、Sn、Zn金属单质.通过惰...
- 姚立勇敖建平毕金莲张超孙国忠周志强何青孙云
- 关键词：薄膜太阳电池电沉积工艺理化性质
- 文献传递
- 电沉积Cu-In-Ga金属预制层的硒硫化研究
- 2013年
- 以H2S气体作为硫源、固态蒸发硒蒸气作为硒源对电沉积Cu-In-Ga金属预制层进行硒硫化处理.通过电沉积Cu-In-Ga金属预制层在不同衬底温度下硒化、硫化和硒硫化的对比实验,发现CuInS2相和CuIn(S,Se)2相优先生成,抑制了CuInSe2相的生成,促使InSe相薄膜向内部扩散,减弱了薄膜两相分离现象.采用先硒化后硒硫化处理工艺优化了Cu(In,Ga)(S,Se)2薄膜的制备工艺,在250 C预硒化得到了开路电压为570 mV的太阳电池,在更高的预硒化温度得到了较大短路电流的太阳电池,最终优化得到了效率达到10.4%的电池器件.
- 张超敖建平毕金莲姚立勇孙国忠周志强何青孙云
- 关键词：电化学沉积
