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张国义

作品数:382 被引量:509H指数:11
供职机构:北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 162篇专利
  • 145篇期刊文章
  • 73篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 154篇电子电信
  • 59篇理学
  • 9篇电气工程
  • 6篇一般工业技术
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇机械工程
  • 3篇医药卫生
  • 2篇化学工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇核科学技术
  • 1篇农业科学

主题

  • 86篇发光
  • 64篇氮化镓
  • 61篇二极管
  • 55篇发光二极管
  • 53篇GAN
  • 45篇激光
  • 39篇半导体
  • 38篇衬底
  • 34篇氮化物
  • 30篇晶体
  • 26篇MOCVD
  • 25篇光电
  • 24篇位错
  • 23篇氮化
  • 23篇晶体质量
  • 21篇MOCVD生...
  • 20篇单晶
  • 20篇厚膜
  • 19篇导体
  • 19篇欧姆接触

机构

  • 381篇北京大学
  • 10篇上海蓝光科技...
  • 9篇中国科学院
  • 7篇江苏大学
  • 7篇天津大学
  • 6篇中国航空工业...
  • 4篇东莞市中镓半...
  • 3篇大连理工大学
  • 2篇四川大学
  • 2篇中山大学
  • 2篇北京大学第六...
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇佛山科学技术...
  • 1篇北京大学第三...
  • 1篇东南大学
  • 1篇广东省职业病...
  • 1篇南京大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇华南师范大学
  • 1篇天津工业大学

作者

  • 382篇张国义
  • 145篇杨志坚
  • 117篇于彤军
  • 107篇陈志忠
  • 81篇秦志新
  • 69篇童玉珍
  • 57篇沈波
  • 57篇康香宁
  • 54篇胡晓东
  • 43篇吴洁君
  • 37篇章蓓
  • 28篇许福军
  • 26篇王新强
  • 24篇桑立雯
  • 20篇方浩
  • 18篇陶岳彬
  • 17篇李丁
  • 16篇丁晓民
  • 15篇孙永健
  • 15篇潘尧波

传媒

  • 36篇发光学报
  • 28篇Journa...
  • 10篇半导体光电
  • 8篇第十四届全国...
  • 7篇第13届全国...
  • 7篇第十六届全国...
  • 6篇半导体技术
  • 6篇物理学报
  • 6篇物理
  • 6篇第十五届全国...
  • 5篇第十二届全国...
  • 4篇光电子.激光
  • 4篇光谱学与光谱...
  • 4篇液晶与显示
  • 4篇第十三届全国...
  • 3篇红外
  • 3篇高技术通讯
  • 3篇稀有金属
  • 3篇人工晶体学报
  • 3篇应用基础与工...

年份

  • 5篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 6篇2018
  • 6篇2017
  • 14篇2016
  • 14篇2015
  • 17篇2014
  • 16篇2013
  • 23篇2012
  • 23篇2011
  • 19篇2010
  • 24篇2009
  • 35篇2008
  • 32篇2007
  • 30篇2006
  • 13篇2005
  • 20篇2004
382 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析
2008年
异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1mm的标准狭缝和50μm的小狭缝测量,发现(0002)面摇摆曲线的半宽有明显变化。通过计算和比较,采用标准狭缝测得的(0002)面摇摆曲线的展宽是由弯曲和位错共同引起的,而弯曲表现得更为显著,小狭缝的展宽主要反应样品位错的信息。通过不同狭缝半宽的测量,得到了不同厚度GaN厚膜样品的曲率和位错密度。
赵璐冰于彤军陆羽李俊杨志坚张国义
关键词:氢化物气相外延厚膜X射线
一种制备氮化镓基 LED的新方法
本发明涉及一种以氮化镓为基础的Ⅲ-族氮化物半导体材料制备半导体器件的方法。本发明提供了一种将在透明衬底上生长光发射材料所制备的光发射二极管的正面除N-电极以外的全部面积均做为P-电极,相反的背面做为出光面,并且采用倒装焊...
张国义丁晓民秦志新
文献传递
一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法,属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括:在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后,P型和N型电极蒸镀前,将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理;优化...
李睿胡晓东徐科代涛陈伟华胡成余包魁王彦杰张国义
文献传递
GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法
本发明涉及一种实现大面积激光剥离蓝宝石上生长的GaN基外延层的方法,本发明提供了一种可以获得大面积的均匀的无蓝宝石衬底的完整的薄层GaN基外延膜,GaN基外延层是在蓝宝石衬底上用HVPE方法生长的厚膜或用MOCVD方法生...
张国义康香宁陈志忠陈皓明秦志新于彤军胡晓东章蓓杨志坚
文献传递
电注入调控三基色单芯片白光发光二极管
本发明公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管(LED),在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层,或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、...
张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁童玉珍
文献传递
用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角(英文)被引量:1
2006年
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角,分别研究了(0002)、(101-3)、(101-2)、(101-1)、(202-1)五个面的X射线摇摆曲线,并且用Pseudo-Voigt方程拟合每一个面的摇摆曲线,我们利用外推法很方便地测得氮化镓外延薄膜的面内扭转角。另外我们采用同步辐射X射线掠入射衍射对样品进行(11-00)面反射扫描直接测得面内扭转角,对第一种方法进行验证,两种方法测量结果相同。从而提供一种简单、方便的GaN外延层的面内扭转角的测试方法,为深入研究GaN材料奠定良好基础。
苏月永陈志涛徐科郭立平潘尧波杨学林杨志坚张国义
关键词:氮化镓X射线衍射
分立晶粒垂直结构的LED芯片制备方法
本发明提出了一种高出光效率的管芯形状设计,通过岛状区域LED外延生长,生长分立晶粒LED芯片,激光剥离后将分立的LED芯片封装成上下电极的垂直结构的、具有较高光功率的LED的制备方法。分立晶粒LED外延层,在岛状区域外延...
于彤军秦志新杨志坚胡晓东陈志忠祁山陆羽康香宁商淑萍童玉珍丁晓民张国义
文献传递
GaN同质外延和垂直结构LED
对于大功率LED器件,存在发光效率随注入电流增加而降低;传统平面电极侧向电流结构的GaN基LED器件由于其较差的散热性能和电流拥挤等关键问题使其在大功率LED器件的发展中遇到了瓶颈.作为GaN基LED外延片外延生长所使用...
张国义孙永健贾传宇陆羽刘鹏杨志坚童玉珍
太阳能电池在微生物燃料电池中的光电催化性能研究被引量:4
2012年
微生物燃料电池(microbial fuel cell,MFC)是利用电化学技术将微生物代谢能转化为电能并可同时降解废水的一种装置.本文针对目前MFC输出功率密度小、工作效率低等缺点,提出了利用半导体光催化和微生物催化协同作用构建新型MFC体系的设想,即将半导体太阳能电池串入MFC体系,组成"光电池-微生物电池"新型电池体系.实验结果表明,在光照的作用下,新型MFC体系的开路电压、短路电流和最大输出功率密度,与普通MFC体系相比,均有了明显的提高.光电催化作用的引入,有效地改善了MFC体系阴极的接受电子的能力,使阳极提供电子的能力得到最大限度的发挥,既给MFC体系的运转提供了一部分动力,也为MFC体系提高污染物的降解速率提供了基础.此项研究对解决能源危机和环境污染具有重要意义.
陈钊丁竑瑞陈伟华李艳张国义鲁安怀胡晓东
关键词:微生物燃料电池硅太阳能电池光催化
GaN材料衬底的进展
氮化物-Ⅲ族半导体,由于其特有的带隙范围和优良的光电特性,该材料在紫外、可见光波段发光二极管(LED),蓝、绿光激光器(LD),高频、大功率电子器件、UV-探测器等光电子器件有着广泛的应用前景,因此也成为宽禁带半导体材料...
张国义
文献传递
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