张广军
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 工艺参数对新型AgInSbTe相变薄膜反射率的影响
- 2004年
- 利用磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜。分析了溅射气压和溅射功率对非晶态和晶态相变薄膜反射率的影响,结果表明不同溅射气压、功率下制备的相变薄膜的反射率具有明显差异,阐述了引起相变薄膜反射率变化的原因,并研究了蓝光(405nm)波长处相变薄膜反射率随溅射气压和溅射功率的变化规律。
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- 关键词：反射率磁控溅射法非晶态溅射气压
- 新型AgInSbTe相变薄膜的结晶活化能研究被引量：2
- 2005年
- 利用磁控溅射法制备了新型AgInSbTe相变薄膜,热处理前后的X射线衍射(XRD)表明了薄膜在热作用下从非晶态转变到晶态.通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测定了不同升温速率条件下的结晶峰温度,计算了粉末的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子.从结晶活化能E可以判断出新型AgInSbTe相变薄膜具有较高的结晶速度,可以用于高速可擦重写相变光盘.
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- 关键词：结晶动力学XRDDSC
- GeSbTe与AgInSbTe体系相变光盘的研究进展被引量：4
- 2004年
- 自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来 ,一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现 ,其中研究较多的是GeSbTe和AgInSbTe两种体系 .文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光盘记录介质的微观结构特点 ,阐述了其晶化机理 ;同时 ,较详细地概述了光盘的堆栈结构及掺杂其他元素对相变光盘性能的影响 。
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- 关键词：光存储
- Ge_2Sb_2Te_5相变薄膜光学及擦除性能研究被引量：3
- 2005年
- 利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns, 500ns,100ns, 60ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大 并且,在1000ns, 500ns, 100ns, 60ns的激光作用时间范围内,非晶态薄膜均可转变成晶态 对于脉宽为60ns的蓝绿激光,擦除功率大于4. 49mW以后,薄膜的反射率对比度高于15%,这表明Ge2Sb2Te5 相变薄膜在短脉宽、低擦除功率条件下,可具有较高的晶化速度 同时,分析了非晶态和晶态Ge2Sb2Te5 相变薄膜的光谱特性,对比研究了780nm, 650nm, 514nm和405nm波长处的反射率和反射率对比度。
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- 关键词：蓝绿激光擦除
- 新型AgInSbTe相变薄膜的光学及记录性能被引量：1
- 2004年
- 利用直流磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜。示差扫描量热 (DSC)实验测定的结晶峰温度为193.92℃。X射线衍射 (XRD)表明未经热处理的沉积态薄膜是非晶态 ,而经过 2 0 0℃热处理 ,X射线衍射图出现衍射峰 ,薄膜从非晶态转变到晶态。同时 ,研究了晶态和非晶态相变薄膜的吸收率、透射率和反射率随波长的变化。测定了 6 5 0nm激光作用下的相变薄膜的记录性能 ,分析了记录功率、记录脉宽对薄膜反射率衬比度的影响 ,在同一记录脉宽条件下 ,记录功率越大 ,反射率衬比度也越大 ;在同一记录功率条件下 ,随记录脉宽的增加 ,反射率衬比度也增大。结果表明 ,新型AgInSbTe相变薄膜在激光作用下具有较高的反射率衬比度 ,可获得良好的记录性能。
- 张广军顾冬红李青会干福熹刘音诗
- 关键词：反射率非晶态X射线衍射光学脉宽功率
- 飞秒激光作用下相变材料结构变化的研究
- 本工作采用飞秒激光脉冲辐照、飞秒激光泵浦.探测和飞秒激光四波混频等技术，研究了飞秒激光作用下Ge2Sb2Te5薄膜相变特性、辐照点形貌特征和Ge2Sb2Te5薄膜超快载流子动力学。
全文主要内容是采用磁控溅射法在K...
- 张广军
- 关键词：相变材料飞秒激光磁控溅射法GE2SB2TE5薄膜
- 蓝绿激光作用下沉积态Ag_(11)In_(12)Sb_(51)Te_(26)相变薄膜的晶化性能被引量：1
- 2004年
- 用反射率对比度来衡量晶化程度,分别探讨了脉宽为500ns,100ns,60ns的蓝绿激光(514nm)作用下沉积态Ag11In12Sb51Te26相变薄膜的晶化性能,表明Ag11In12Sb51Te26相变薄膜在蓝绿激光下可具有较高的晶化速度。对比分析了热致晶化后的Ag11In12Sb51Te26薄膜在514nm处的反射率对比度,结果表明激光晶化和热致晶化后薄膜的反射率对比度有明显差别,分别为8%和192%。
- 张广军顾冬红干福熹
- 关键词：蓝绿激光晶化
