张欢
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：合肥工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- TSV容错技术研究
- 在半导体工业中使用过硅通孔的3D集成电路是一项新型的技术.过硅通孔是克服规模限制的一种有效的技术,可靠性低以及成品率低是这项新兴技术主要的挑战.过硅通孔在制作过程中十分容易受到损坏,为了实现信号的正常传输,不同的容错方案...
- 张欢王伟董寅冬杨国兵刘坤刘军
- 关键词：半导体集成电路容错技术成品率分析
- 文献传递
- 基于链式的信号转移冗余TSV方案
- 2014年
- 三维集成电路(3D IC)带来了诸多的益处,譬如高带宽,低功耗,外形尺寸小。基于硅通孔的三维集成得到了行业的广泛采用。然而,硅通孔的制造过程引入了新的缺陷机制。一个失效的硅通孔会使整个芯片失效,会极大地增加成本。增加冗余硅通孔修复失效硅通孔可能是最有效的提高良率的方法,但是却带来了面积成本。提出了一种基于链式的信号转移冗余方案,输入端从下一分组选择信号硅通孔传输信号。在基于概率模型下,提出的冗余结构良率可以达到99%,同时可以减少冗余TSV的数目。
- 王伟张欢张欢方芳陈田刘军
- 关键词：三维集成电路容错THREE-DIMENSIONAL
- 2TF:一种协同考虑过硅通孔和热量的三维芯片布图规划算法被引量：6
- 2012年
- 三维芯片由多个平面器件层垂直堆叠而成,并通过过硅通孔(TSV,Through Silicon Via)进行层间互连,显著缩短了互连线长度、提高了芯片集成度.但三维芯片也带来了一系列问题,其中单个过硅通孔在目前的工艺尺寸下占据相对较大的芯片面积,且其相对滞后的对准技术亦降低了芯片良率,因此在三维芯片中引入过多的过硅通孔将增加芯片的制造和测试成本.垂直堆叠在使得芯片集成度急剧提高的同时也使得芯片的功耗密度在相同的面积上成倍增长,由此导致芯片发热量成倍增长.针对上述问题,本文提出了一种协同考虑过硅通孔和热量的三维芯片布图规划算法2TF,协同考虑了器件功耗、互连线功耗和过硅通孔数目.在MCNC标准电路上的实验结果表明,本文算法过硅通孔数目和芯片的峰值温度都有较大的降低.
- 王伟张欢张欢方芳陈田刘军邹毅文
- 关键词：布图规划热量
- 硅通孔数目敏感的三维电路划分
- 三维电路（3D IC）在垂直方向上进行多个晶片的堆叠,使得芯片的集成度大大提高而成为一种极具发展前景的新型芯片。三维电路的关键技术是硅通孔（TSV）层间互连技术,而单个硅通孔就目前的特征尺寸而言占据了较大的芯片面积,且相...
- 邹毅文梁华国王伟陈田张欢
- 文献传递
- 通过面积扩张和散热硅通孔的3DIC热量的优化被引量：2
- 2014年
- 随着集成度的增加,高密度的3D IC的发热问题变得越来越严重,温度过高的热斑不仅影响芯片的性能,甚至对芯片的可靠性带来严重的威胁。从两个方面来优化三维芯片的热量问题,通过模拟退火算法把电路模块划分到合适的层,使得热斑块在整体芯片的分布较为均;在x/y方向上对热斑块适当的面积扩张来降低热斑块的功耗密度,然后在z方向上插入散热硅通孔来转移芯片内部的热量。仿真结果表明,通过该优化后的芯片最高温度可以进一步减小,在电路ncpu第二层中优化前后最高温度降低了11.98°;热量分布更加均衡,层内最高温度与最低温度之间的差距进一步缩小最大可以缩减11.82,有效地控制了芯片的温度。
- 王伟杨国兵杨国兵方芳陈田刘军
- 关键词：热量
