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金属单向诱导横向晶化激光修饰多晶硅薄膜晶体管: 2006年; 对采用金属诱导单一方向横向晶化(metalinducedunilaterallycrystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础.; 孟志国王文吴春亚李娟郭海成熊绍珍张芳; 关键词：多晶硅薄膜晶体管

多晶硅薄膜阳极微腔有机发光器件及其简化制备流程的研究被引量：2: 2008年; 介绍了溶液法金属诱导晶化的p型掺杂多晶硅薄膜(p+-poly-Si)的制备,并研究了它的电学特性和光学特性.由于p+-MICpoly-Si薄膜具有比较好的电学特性,且在红光区域具有比较高的反射率与透射率和很小的吸收率,因此我们将它用作红光OLED的阳极.结果显示该器件的最大发光效率为5.88cd/A,比用ITO作阳极制备的OLED效率提高了57%.这是由于此薄膜对可见光比较高的反射率和阴极铝对可见光的很高反射性能,使之形成了一定Q值的微腔效应所至.这样,可以实现发光强度较高、单色饱和性较好的单色显示器件.本研究的意义还在于,由于此MOLED的p型掺杂MIC多晶硅阳极是与其共面型驱动TFT有源层、源/漏两极同层材料制备,即是TFT漏极的延伸;这样,不仅形成了高性能的AMOLED单色显示,而且也大大简化了AMOLED工艺流程,从而形成了简化流程的4-maskAMOLED基板制备工艺.; 李阳孟志国吴春亚王文郭海成张芳熊绍珍; 关键词：有机电致发光器件微腔

大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究被引量：8: 2006年; 用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物,晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此多晶硅试制的TFT,获得了良好的器件特性.; 赵淑云吴春亚刘召军李学冬王中孟志国熊绍珍张芳; 关键词：金属诱导晶化多晶硅薄膜晶体管

底栅微晶硅薄膜晶体管被引量：1: 2006年; 对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影响.因此为了获得良好的I-V特性,选用的硅烷浓度不宜低于3%.由硅基薄膜晶化体积比与系列沉积工艺条件关系和TFT所得薄膜晶化体积比的对比,可清晰证实SiNx对晶化的促进作用.; 李娟张晓丹刘建平赵淑云吴春亚孟志国张芳熊绍珍; 关键词：微晶硅

基于MIC多晶硅薄膜阳极的微腔有机发光器件: 2008年; 通过对溶液法金属诱导晶化多晶硅薄膜制备工艺的优化,制备出性能良好的P型掺杂多晶硅薄膜。厚度为50nm的MICP+-Poly-Si薄膜的方块电阻可降低至400Ω左右,其光学特性表现为在红光区域具有比较高的反射率和很小的吸收率,因此用它替代ITO用作红光OLED的阳极材料。由于此薄膜对可见光比较高的反射率和阴极铝对可见光的高反射性,使之形成了一定Q值的微腔效应。结果显示该器件的最大流明效率为5.88cd/A,比用ITO作阳极制备的OLED提高了57%。进一步优化器件结构,调整发光层在腔中的最佳位置,可以大大增强发光强度,从而可以实现发光强度高、单色性好的红色微腔有机电致发光显示器件。; 李阳孟志国吴春亚王文郭海成张芳熊绍珍; 关键词：有机电致发光器件微腔

新型可印刷FED场致发射显示器的研制被引量：32: 2004年; 介绍了国内外平板显示器,特别是场致发射显示器(FED)的市场预测和主要研究单位以及FED显示器的基本制作工艺流程,包括阴极激活和真空镀膜技术,论述了阴极激活技术及其对提高FED阴极发射能力的作用。采用丝网印刷、真空镀膜和阴极激活技术与低逸出功材料结合增强发射场强的方法研制出能显示视频图像的20英寸(50.8cm)单色FED显示器样机,其亮度已达300cd/m2,对比度已达400。并讨论了FED显示器今后可能的发展方向。; 郭太良林志贤吴新坤林建光黄振武林燕飞郭明勇林金堂赵博选林君坦周小红胡利勤何国金廖志君张芳朱佳; 关键词：场致发射显示器电子发射真空镀膜丝网印刷

MIC薄膜多晶硅材料的动态镍吸除技术基本机理及其应用被引量：3: 2007年; 首先阐述了MIC薄膜多晶硅材料动态镍吸杂技术的基本机理和主要工艺过程,然后以多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)为例研究了动态吸杂技术的应用.在研究金属诱导晶化多晶硅材料(MIC poly-Si)和以之为有源层的poly-Si TFT的过程中,发现在MIC多晶硅薄膜中含有部分残余的镍成份.而大部分存在于对撞晶界的残余镍成份会造成大量的缺陷,这将导致TFT器件性能乃至整个系统的稳定性和可靠性的降低.为了改善MIC薄膜及器件质量,我们采用磷硅玻璃(PSG)动态镍吸杂技术,有效地吸除镍,降低多晶硅中镍的残留量,改善对撞晶界的缺陷密度,降低用之制备TFT的漏电流.该技术工艺过程简单,处理成本低,适合于大批量的工业化生产,有望成为制备高稳定性微电子器件与电路系统的必需工艺技术.; 李阳孟志国吴春亚王文郭海成张芳熊绍珍; 关键词：固溶度

TFT-LCD产业链状况分析及发展建议被引量：4: 2007年; 薄膜晶体管液晶（以下简称TFT-LCD）是当今世界上发展最快的显示技术，代表了一个国家显示技术的整体发展水平。日、韩及我国台湾地区的大型显示企业纷纷投巨资发展TFT-LCD产业。据国际权威机构DisplaySearch公司预测（以下的预测数据均来自DisplaySearch公司），在全球范围内，未来5-8年内TFT-LCD产业总量将逐渐赶上半导体产业。; 张芳; 关键词：LCD产业 TFT 链状显示技术半导体产业

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张芳