徐进
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：大连东软信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程化学工程更多>>
- 衬底温度对直流反应磁控溅射TiN电极薄膜显微结构及导电性能的影响
- 2017年
- 二氧化铪基新型铁电薄膜器件等研究提出了在低衬底温度下制备高导电性和低表面粗糙度纳米超薄TiN电极薄膜的迫切需求。利用直流反应磁控溅射方法在单晶硅基片上制备TiN薄膜,衬底温度范围从室温~350℃,以XPS、XRD、AFM以及XRR等为主要手段对薄膜样品的成分、物相、表面粗糙度以及厚度和密度等进行了表征分析。结果表明在350℃的较低衬底温度下,通过减少溅射沉积时间可获得厚度<30nm的高导电性TiN电极薄膜。
- 周方杨徐进杨喜锐梁海龙赵鹏周大雨
- 关键词：TIN衬底温度电阻率
- 钇掺杂量和膜厚对HfO_2纳米薄膜相结构的影响
- 2017年
- 二氧化铪(HfO_2)是广泛应用于微电子器件制备的电介质绝缘材料,其高介电系数四方相或立方相的稳定受掺杂元素含量和薄膜厚度的共同影响。采用纯水基溶胶-凝胶法在低阻硅基底上制备不同厚度的钇掺杂HfO_2薄膜,通过对薄膜晶相结构的X射线衍射分析,明确了四方/立方相在室温下稳定的临界钇掺杂量和临界膜厚条件,并对薄膜介电系数随晶相结构的演变以及漏电流进行了测试分析,研究结果对于HfO_2材料的微纳电容器件应用具有重要参考价值。
- 杨喜锐王雪霞周大雨徐进闫泳梁海龙
- 关键词：HFO2薄膜膜厚
- 一阶回转曲线图谱法及其在HfO_(2)基铁电薄膜极化翻转行为研究中的应用被引量：1
- 2021年
- 铁电材料的极化翻转特性是铁电存储器实现"0,1"信息读写的物理基础,因此极化翻转的稳定性直接决定器件的服役可靠性.在交变电场循环载荷下,HfO_(2)基新型铁电薄膜存在唤醒(wake-up)、疲劳(fatigue)和极化翻转电流峰分裂(split-up)等极化翻转不稳定现象,严重制约了其在铁电存储器件中的实际应用.探明极化翻转行为复杂演变的微观机制,从而提出优化稳定性的可行措施是目前工作的重难点,但是基于传统测试手段的研究难以解决上述问题.一阶回转曲线图谱法被誉为迟滞系统研究中的"指纹鉴定",已在磁性材料特征参数演变规律的解析中得到成功应用.本文首先介绍一阶回转曲线图谱法的基本原理和实现方法,接着以Si掺杂HfO_(2)铁电薄膜为实验对象,利用该方法获得了薄膜内电畴极化翻转特征临界场的分布密度随外场加载历史的演变,为理解铁电材料的极化翻转行为提供了重要的微观物理机理信息.
- 石志鑫周大雨李帅东徐进Uwe Schröder
- 关键词：铁电薄膜
- HfO2基铁电薄膜在循环电场载荷下的极化翻转行为
- 2019年
- 二氧化铪(HfO2)铁电薄膜具有优秀的CMOS工艺兼容性,10 nm以下工艺制程的微缩能力,可采用原子层沉积(ALD)技术实现在3D电容器结构中的保型生长,因此在实现低功耗、高集成密度的非易失性存储器应用方面显示出巨大的潜力.该文首先简要回顾了HfO2基铁电薄膜的发现过程和随后的国内外研究现状,然后以Si掺杂HfO2铁电薄膜在循环电场载荷下的实测结果为例,介绍了这一新型铁电材料极化翻转行为中出现的唤醒(wake-up)、疲劳和饱和极化翻转电流峰劈裂等效应,分别总结了对上述现象现有的实验和理论研究进展.
- 李帅东周大雨徐进石志鑫Uwe Schr der
- 关键词：铁电薄膜
- Si掺杂HfO_2薄膜的铁电和反铁电性质被引量：1
- 2014年
- 通过改变Si掺杂量制备出了具有显著铁电和反铁电特征的HfO2纳米薄膜,对其电滞回线、电容-电压和漏电流-电压特性以及物相温度稳定性进行了对比研究.反铁电薄膜的介电系数大于铁电薄膜,在电场加载和减载过程中发生的可逆反铁电-铁电相变导致了双电滞回线的出现,在室温至185℃的测试温度范围内未出现反铁电→顺电相变.在电流-电压特性测量时观察到的负微分电阻效应归因于极化弛豫等慢响应机理的贡献.
- 周大雨徐进Johannes MüllerUwe Schroder
- 关键词：HFO2薄膜铁电相变
