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杨伟煌

作品数：10 被引量：15H指数：2
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇氮化物
  • 4篇发光
  • 4篇ALGAN
  • 3篇氮化物半导体
  • 3篇氮化物半导体...
  • 3篇导体
  • 3篇量子
  • 3篇晶格
  • 3篇二极管
  • 3篇发光二极管
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体材料
  • 3篇超晶格
  • 2篇氮化
  • 2篇生长带
  • 2篇施主
  • 2篇施主杂质
  • 2篇量子结构
  • 2篇化物
  • 2篇ALN

机构

  • 10篇厦门大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 10篇杨伟煌
  • 9篇陈航洋
  • 9篇康俊勇
  • 9篇李书平
  • 8篇刘达艺
  • 8篇李金钗
  • 5篇林伟
  • 1篇蔡端俊
  • 1篇杨闻操
  • 1篇庄芹芹
  • 1篇杨旭
  • 1篇高娜
  • 1篇张彬彬
  • 1篇陈珊珊
  • 1篇金鹏
  • 1篇郑同场
  • 1篇季桂林

传媒

  • 1篇物理学进展
  • 1篇发光学报
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨被引量：4
2016年
紫外LED的发光功率和效率还远不能令人们满意,波长短于300 nm的深紫外LED的发光效率普遍较低。厘清高Al组分Al Ga N多量子阱结构的发光机制将有利于探索改善深紫外LED的发光效率的新途径、新方法。为此,本文通过金属有机气相外延技术外延生长了表面平整、界面清晰可辨且陡峭的高Al组分AlGa N多量子阱结构材料,并对其进行变温光致发光谱测试,结合数值计算,深入探讨了Al Ga N量子阱的发光机制。研究表明,量子阱中具有很强的局域化效应,其发光和局域激子的跳跃息息相关,而发光的猝灭则与局域激子的解局域以及位错引起的非辐射复合有关。
李金钗季桂林杨伟煌金鹏陈航洋林伟李书平康俊勇
关键词：ALGAN多量子阱结构发光机制
选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法
选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上...
康俊勇李金钗李书平杨伟煌陈航洋刘达艺
文献传递
基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法
基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法。所述基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构自底层至顶层依次为：同质基质材料层...
康俊勇林伟李书平陈航洋刘达艺陈珊珊杨伟煌
文献传递
选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法
选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上...
康俊勇李金钗李书平杨伟煌陈航洋刘达艺
文献传递
高A1组分AlGaN量子结构材料设计、外延及其在紫外发光二极管的应用
深紫外LEDs在照明、印刷、杀菌消毒、环境保护、以及非视距军事保密通信等方面都有重大的应用价值和广泛的市场前景。经过研究者们多年的不断努力，AlGaN紫外LEDs虽然取得了大幅度进展，但由于高Al组分AlGaN结构材料存...
杨伟煌
关键词：量子结构紫外发光二极管
高量子效率和波长热稳定性308nm GaN/AlN量子点紫外LED的制备
近年来,由于紫外光在环境保护、杀菌消毒、净化水源、白光照明和非直线近距离通讯等领域有着极大的用途,AlGaN基紫外光发光二极管(LED)研发成为了人们关注的热点。随着Al组分的升高,高质量和高电导AlGaN材料的生长越加...
杨伟煌康俊勇李金钗黄柏凯卢廷昌郭浩中李书平杨旭陈航洋刘达艺
高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展被引量：11
2013年
随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2 eV,可覆盖短至210 nm的深紫外波长范围,具有耐高温、抗辐射、波长易调控等独特优点,因而是制备紫外发光器件的理想材料。目前,高Al组分Ⅲ族氮化物材料质量不高,所制备的深紫外LED发光器件仍存在内量子效率、载流子注入效率和沿c轴方向正面出光效率较低的难题,因而制约了高效紫外发光器件的制备。本文着重介绍了近年来在高Al组分Ⅲ族氮化物生长动力学方面的研究进展,总结和梳理了量子结构设计、内电场调控以及晶体场调控等方面的相关研究,以期实现高质量深紫外LED的制备。
陈航洋刘达艺李金钗林伟杨伟煌庄芹芹张彬彬杨闻操蔡端俊李书平康俊勇
关键词：ALGANALNMOVPE
深紫外LED结构设计和外延生长
本文报告了对深紫外LED中量子结构的第一性原理模拟与设计,提高载流子的复合几率和注入效率。首次提出并应用了Mg-和Si-δ共掺入超晶格结构于p型AlGaN,有效地提高了空穴浓度。通过生长氛围的优化、生长极性的控制、失配应...
康俊勇李书平杨伟煌李金钗陈航洋刘达艺
关键词：第一性原理量子结构超晶格发光二极管
文献传递
高Al组分AlGaN结构材料及其深紫外器件应用
高Al组分AlGaN氮化物结构材料能隙宽至6.2 eV,可覆盖至210 nm的深紫外波长范围,具有波长易调控、耐高温、调制频率高、噪声低等诸多独特的优点,是制备短波长半导体发光和探测器件不可替代的材料体系,无论在民用和军...
高娜郑同场杨伟煌林伟李金钗陈航洋刘达艺李书平康俊勇
AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件
AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件，涉及一种氮化物半导体材料。提供一种用于生长氮化物半导体材料的AlN生长面复合基底的制备方法及氮化物半导体器件。在衬底上生长AlN外延层，得AlN生长面复合基底。氮化物半...
康俊勇李书平陈航洋刘达艺杨伟煌林伟李金钗
文献传递
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