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杨伯平

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：东南大学电子科学与工程学院先进光子学中心更多>>
发文基金：江苏省科技支撑计划项目更多>>
相关领域：理学机械工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇量子
  • 5篇量子点
  • 3篇电致发光
  • 3篇电致发光器件
  • 3篇发光
  • 3篇发光器件
  • 2篇导电
  • 2篇导电玻璃
  • 2篇导体
  • 2篇氧化硅
  • 2篇凝胶
  • 2篇巯基
  • 2篇光效
  • 2篇光效率
  • 2篇硅凝胶
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇发光层
  • 2篇发光效率
  • 2篇氨丙基
  • 2篇半导体

机构

  • 6篇东南大学

作者

  • 6篇杨伯平
  • 5篇张家雨
  • 5篇崔一平
  • 2篇王凯
  • 2篇马骏
  • 1篇张辉朝

传媒

  • 1篇无机化学学报

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
内含C_(60)掺杂空穴传输层的量子点电致发光器件被引量：1
2014年
聚乙烯咔唑(PVK)中掺入富勒烯(C60)的重量比从0%到10%变化,以研究在空穴传输层中掺杂C60后对量子点电致发光器件性能的影响。掺入C60后的PVK薄膜在氧化铟锡(ITO)基底上均方根粗糙度从3 nm降至1.6 nm。另外,掺入C60后有利于空穴的注入和传输,改善器件中电子和空穴的平衡,提高了器件的效率。
沈兴超杨伯平张辉朝于永亚崔一平张家雨
关键词：富勒烯聚乙烯咔唑
掺杂半导体纳米晶体的荧光性质研究
杨伯平
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一种薄膜电致发光器件及其制备方法
本发明涉及一种硅凝胶包覆掺杂半导体量子点的薄膜电致发光器件制备方法。所述薄膜电致发光器件包括依次设置的ITO导电玻璃层、第一绝缘层、发光层、第二绝缘层、金属Al电极。所述发光层为SiO<Sub>2</Sub>凝胶包覆的掺...
张家雨马骏杨伯平崔一平
文献传递
量子点纳米材料的制备方法及其表面包覆二氧化硅的方法
本发明涉及量子点纳米材料的制备方法及其表面包覆二氧化硅的方法。所述量子点纳米材料的制备方法包括以下步骤：(1)制备ZnSe量子点；(2)取(1)中的ZnSe量子点，加入油胺、十八碳烯，在氩气气氛下，加热到120℃，注入M...
张家雨王凯杨伯平崔一平
量子点纳米材料的制备方法及其表面包覆二氧化硅的方法
本发明涉及量子点纳米材料的制备方法及其表面包覆二氧化硅的方法。所述量子点纳米材料的制备方法包括以下步骤：(1)制备ZnSe量子点；(2)取(1)中的ZnSe量子点，加入油胺、十八碳烯，在氩气气氛下，加热到120℃，注入M...
张家雨王凯杨伯平崔一平
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一种薄膜电致发光器件
本实用新型涉及一种硅凝胶包覆掺杂半导体量子点的薄膜电致发光器件。所述薄膜电致发光器件包括依次设置的ITO导电玻璃层、第一绝缘层、发光层、第二绝缘层、金属Al电极。所述发光层为SiO<Sub>2</Sub>凝胶包覆的掺杂半...
张家雨马骏杨伯平崔一平
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