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杨毓俊

作品数：35 被引量：7H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇电路
  • 10篇电平位移
  • 8篇电阻
  • 6篇电源
  • 4篇电平
  • 4篇电压
  • 4篇振荡器
  • 4篇开关电源
  • 4篇回路电阻
  • 4篇放大器
  • 3篇单端
  • 3篇单端输出
  • 3篇电流采样
  • 3篇电流采样电路
  • 3篇电路版图
  • 3篇电容
  • 3篇电源电路
  • 3篇信号
  • 3篇双脉冲
  • 3篇偏置

机构

  • 35篇电子科技大学

作者

  • 35篇杨毓俊
  • 32篇方健
  • 21篇管超
  • 20篇王泽华
  • 20篇黎俐
  • 20篇吴琼乐
  • 20篇陈吕赟
  • 20篇柏文斌
  • 13篇陶垠波
  • 10篇唐莉芳
  • 9篇潘福跃
  • 9篇臧凯旋
  • 8篇吴杰
  • 6篇罗杰
  • 5篇于廷江
  • 5篇李文昌
  • 4篇谷洪波
  • 4篇向莉
  • 3篇梁晨陇
  • 3篇黄国辉

传媒

  • 1篇电子制作
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元器件应...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 17篇2012
  • 10篇2011
  • 1篇2010
共 35 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种集成变压器
本发明公开了一种集成变压器，具体包括初级线圈和次级线圈，所述初级线圈和次级线圈包括至少一个第一导体层导线、至少一个第二导体层导线和至少一个连接孔。本发明利用相邻的两层导体构成的空心互耦线圈形成集成变压器，所述的集成变压器...
方健杨毓俊黎俐唐莉芳王泽华柏文斌陈吕赟吴琼乐管超李曼梁晨陇
文献传递
一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件
本发明涉及一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括衬底、埋氧层、漂移区、第一阴极区、阴极体区、缓冲层、第一阳极区、第二阴极区、阴极金属电极、阳极金属电极、多晶硅栅、氧化层、衬底金属电极，在阳极端的阳极金属电极下表面位置...
方健陈吕赟柏文斌王泽华吴琼乐管超李文昌于廷江杨毓俊黎俐
一种电流采样电路
本发明公开了一种电流采样电路，包括第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第一电阻，其特征在于，还包括第一单端输出运算放大器，第二单端输出运算放大器，第三单端输出运算放大器，第一双端输出运算放大器，第二双端输出运...
方健王泽华吴琼乐陈吕赟管超柏文斌杨毓俊黎俐
一种长延时电路
本发明公开了一种长延时电路，本发明是针对现有的RC延时电路在处理长延时时间问题过程中结构复杂的问题而提出的，具体包括：一恒流源、一可控开关、一电容元件、第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件及一触发器。本发明的延时电路...
方健杨毓俊潘福跃陶垠波吴杰
文献传递
用于AC/DC开关电源芯片的片内电源电路被引量：1
2012年
本文设计了一种应用于AC/DC开关电源芯片的片内电源电路。该电路输入电压范围110V～220V,输出电压稳定在约5.8V。本电路仅在开关电源芯片中功率开关关断的半周期,通过高压JFET抽取外部电源电能给储能电容充电,来维持输出电压的稳定,具有输入电压范围广,电路结构简单的特点。通过HSPICE仿真实验,取得预期的效果。
管超黎俐杨毓俊
关键词：AC/DC开关电源低功耗
一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法
本发明涉及一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法。高压低导通电阻LDMOS器件包括P外延、P阱区、N<Sup>+</Sup>阳极、N<Sup>+</Sup>阴极、P<Sup>+</Sup>阴极引出端、阳极多晶场板、...
方健吴琼乐陈吕赟王泽华蒋辉管超柏文斌黎莉杨毓俊
一种开关电源电路
本发明公开了一种开关电源电路，包括：开关管，第一分压电阻、第二分压电阻，电感元件，续流二极管，负载单元，负载电流检测单元，比较器，D锁存器，模数转换器，数模转换器，PWM工作模式栅驱动电压产生单元，第一放大器，PWM比较...
方健陶垠波吴杰潘福跃杨毓俊唐莉芳黎俐臧凯旋
文献传递
电荷泵电路
本发明公开了一种电荷泵电路，具体包括：启动单元、阈值基准单元、电流镜单元和运算放大器，具体连接关系是：所述启动单元为阈值基准单元和电流镜单元提供启动电压，所述运算放大器的输出端分别与阈值基准单元的输入端和电流镜单元的第一...
方健贾姚瑶陶垠波杨毓俊臧凯旋袁同伟李源彭宜建谷洪波
文献传递
一种电流采样电路
本实用新型公开了一种电流采样电路，包括第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第一电阻，其特征在于，还包括第一单端输出运算放大器，第二单端输出运算放大器，第三单端输出运算放大器，第一双端输出运算放大器，第二双端输...
方健王泽华吴琼乐陈吕赟管超柏文斌杨毓俊黎俐
文献传递
一种三阶补偿带隙基准电压源
本发明公开了一种三阶补偿带隙基准电压源，包括：第一PMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第一放大器。本发明的基准电压源，提供了一种简单的三...
方健吴杰杨毓俊陶垠波臧凯旋唐莉芳黎俐潘福跃谷洪波
文献传递
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