您的位置： 专家智库 > >

沈涛

作品数：3 被引量：38H指数：2
供职机构：中国计量学院光学与电子科技学院更多>>
发文基金：浙江省大学生科技创新活动计划(新苗人才计划)项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇形成能
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇热法
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化钼
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇纳米
  • 1篇二硫化钼
  • 1篇泛函
  • 1篇泛函理论
  • 1篇分子
  • 1篇分子吸附
  • 1篇WS2

机构

  • 3篇中国计量学院
  • 1篇横店集团得邦...

作者

  • 3篇梁培
  • 3篇沈涛
  • 2篇舒海波
  • 1篇董前民
  • 1篇刘俊
  • 1篇吴琼
  • 1篇邢淞

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇半导体技术

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
WS_2量子点边缘结构和形貌的第一性原理计算
2015年
WS2属于过渡金属二硫化物中的重要一员,在纳米材料及光电领域均有广阔的应用前景。WS2的低维结构性质能随其边缘结构和形貌的变化而变化。使用第一性原理计算边缘形成能并结合Wullf Construction规则计算,发现当化学势条件处于富S时(-1.14~0 e V),W-S边缘是最稳定的边缘结构,而当化学势变为富W时(-1.34^-1.14 e V),S边缘是最稳定的边缘结构。WS2量子点在形状上可以实现从三角形、六边形到十二边形的变化。该研究可以较好地解释在实验上观测到的结果。
沈涛梁培陈欣平历强
关键词：WS2量子点第一性原理
水热法合成纳米花状二硫化钼及其微观结构表征被引量：26
2015年
本文以钼酸钠、硫代乙酰胺为前驱体,硅钨酸为添加剂,成功用水热法合成高纯度纳米花状二硫化钼.产物特性用X射线衍射(XRD)、能量色散谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)进行表征.XRD和EDS图显示实验产物为二硫化钼,且其结晶度和层状堆垛良好.SEM图谱则表明二硫化钼为纳米花状结构,颗粒直径300nm左右,由几十上百片花瓣组成,每片花瓣厚度十个纳米左右.通过以硅钨酸为变量的梯度实验,研究发现,硅钨酸对于纳米花状Mo S2的形成具有重要作用,不添加硅钨酸,无法形成纳米花状Mo S2,此外,硅钨酸的剂量会影响合成Mo S2的大小和形貌.本文还对纳米花状二硫化钼的形成机理做了初步的讨论.
傅重源邢淞沈涛邰博董前民舒海波梁培
关键词：二硫化钼水热法
单层MoS_2分子掺杂的第一性原理研究被引量：12
2014年
基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法的计算,研究了通过吸附不同有机分子对单层MoS2进行化学掺杂.计算结果表明有机分子与MoS2单层衬底间的相互作用主要是范德瓦尔斯作用力.吸附不同有机分子的单层MoS2结构均表现出间接带隙的特征,还表明吸附TTF分子的单层MoS2结构表现出n型半导体的特质,而吸附TCNQ,TCNE两种分子的单层MoS2结构均表现出p型半导体的性质,这些结果表明可以通过改变吸附的分子来实现对单层MoS2的掺杂类型的调控.本文的研究结果将对单层MoS2在晶体管中的应用提供理论基础和指导.
刘俊梁培舒海波沈涛邢凇吴琼
关键词：MOS2密度泛函理论
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0