您的位置： 专家智库 > >

熊晖

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇电池
  • 3篇太阳能电池
  • 2篇太阳能
  • 2篇缺陷密度
  • 2篇高效太阳能电...
  • 2篇硅衬底
  • 2篇GAAS/G...
  • 2篇INGAP
  • 2篇衬底
  • 1篇牺牲
  • 1篇牺牲层
  • 1篇控制器
  • 1篇海量
  • 1篇海量存储
  • 1篇海量存储系统
  • 1篇服务器
  • 1篇薄膜太阳能电...
  • 1篇AL
  • 1篇GAN基材料
  • 1篇INGAP/...

机构

  • 5篇华中科技大学

作者

  • 5篇熊晖
  • 4篇陈长清
  • 4篇戴江南
  • 4篇吴志浩
  • 4篇方妍妍
  • 3篇宋明辉
  • 3篇余晨辉
  • 1篇王虎
  • 1篇童薇
  • 1篇王芳
  • 1篇冯丹
  • 1篇施展
  • 1篇田武
  • 1篇李洋

传媒

  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2012
  • 2篇2010
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
主动对象海量存储系统及关键技术
冯丹王芳施展童薇叶郁文熊晖
海量存储由成千上万硬盘组成，容量已达PB级(10<'15>字节)，并快速向EB级(10<'18>字节)拓展。美国政府自2005年起将PB级存储系统作为研究重点。以Lustre为代表的存储节点、元数据服务器、客户端三方架构...
关键词：
关键词：海量存储系统服务器控制器
在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法
本发明提供一种在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的Ge<Sub>x</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge...
吴志浩宋明辉陈长清方妍妍戴江南余晨辉熊晖
文献传递
AlGaN基材料与器件的MOCVD外延生长研究
AlGaN是第三代新型宽禁带半导体材料的重要代表之一,AlGaN材料及低维量子结构在制作紫外、红外光电器件和高频微波功率器件等方面具有传统半导体材料无法比拟的优势,在光电子产业、生物医疗产业、国防工业等领域具有重要的应用...
陈长清丁颜颜邱东方妍妍戴江南吴志浩熊晖田武王虎李洋徐谨
一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法
本发明提供一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法，首先在Ge或GaAs衬底上外延生长顶部InGaP子电池和中部GaAs子电池，然后生长In组分渐变的InGaP或InGaAs应力过渡层，并在此应...
吴志浩宋明辉陈长清方妍妍戴江南余晨辉熊晖
文献传递
在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法
本发明提供一种在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的Ge<Sub>x</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge...
吴志浩宋明辉陈长清方妍妍戴江南余晨辉熊晖
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0