牛新环
- 作品数：126 被引量：320H指数：9
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 钨CMP中碱性抛光液组分间化学作用及其影响被引量：2
- 2015年
- CMP工艺水平很大程度上依赖于抛光液的组分及配比,组分之间的相互作用是化学机械抛光的研究内容之一。对以纳米SiO2为磨料、H2O2为氧化剂、有机碱为pH调节剂的钨碱性抛光液组分之间的化学相互作用进行理论分析。纳米SiO2表面存在不饱和的羟基,和有机碱之间存在化学反应,在抛光过程中不仅起机械研磨的作用,同时以化学抛光作用对抛光产生影响。有机碱和H2O2之间的氧化还原反应会使抛光液中的OH-含量发生变化,氧化能力降低,从而影响钨的抛光速率。
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- 关键词：碱性抛光液抛光速率
- IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展被引量：7
- 2019年
- 化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺。在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用。阐述了常用的缓蚀剂--苯并三氮唑(BTA)在抛光液中的应用,并指出BTA由于其本身的局限性已经难以适应IC发展的技术需求。对近年来国内外能够替代BTA的新型缓蚀剂进行了归纳总结。与BTA相比,新型缓蚀剂能够更好地解决结构性损伤、电偶腐蚀和残留污染物的危害等问题。最后,对缓蚀剂在铜布线CMP过程中的发展趋势进行了分析和展望。在碱性条件下,未来需要重点研究缓蚀剂的缓蚀效果、作用机理、复配协同效应以及去除等问题。
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- 关键词：结构性损伤电偶腐蚀
- 硅锗合金单晶的制备
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- 该项目采用CZ法和PMCZ法研制出了Φ≥50mm的硅锗单晶。其利用FTIR、SEM、SIMS、化学光谱、X-RAY、EDX等分析手段对硅中锗的含量、分布形式、有效分凝系数、氧浓度和氧沉淀的行为、电阻率热稳定性、锗浓度对晶...
- 关键词：
- 关键词：生产工艺
- TSV Cu CMP碱性抛光液及工艺被引量：5
- 2013年
- 穿透硅通孔(through silicon via,TSV)技术采用铜作为互连材料,晶圆表面沉积了一层厚厚的铜膜,对铜去除速率提出了新要求。从化学机械平坦化(CMP)过程的机理出发,对影响铜去除速率的因素,如磨料、活性剂、氧化剂、螯合剂以及抛光工艺中抛头转速、转盘转速、抛光液流量、工作压力进行了单因素实验和规律分析。通过单因素实验得出,在磨料、活性剂、氧化剂和螯合剂的体积分数分别为50%,1.5%,0.5%和5%,抛头转速和转盘转速分别为105和100 r/min、抛光液流量为225 mL/min和工作压力为4 psi(1 psi=6 895 Pa)时,铜去除速率高达1.5μm/min。
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- 关键词：单因素抛光液
- 超大规模集成电路铝布线抛光液
- 本发明公开了一种化学作用强、去除速率快、无污染、无划伤、易清洗且成本低的超大规模集成电路多层铝布线碱性抛光液。抛光液成分和重量％比组成如下：pH值调节剂1－10、硅溶胶10－90、表面活性剂0.5－5、氧化剂0.5－5、...
- 刘玉岭牛新环
- 文献传递
- 掺锗CZ硅单晶中锗分布形式的研究被引量：2
- 2004年
- 利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高.根据测定的浓度计算出了该工艺条件下硅锗体单晶中锗的有效分凝系数为Ke ≈ 0.60～0.65.
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- 关键词：直拉法分凝系数
- 带有相关双采样功能的高增益光电探测器单元读出电路
- 本实用新型涉及一种带有相关双采样功能的高增益光电探测器单元读出电路，该电路包括一个高增益共源共栅放大器，一组积分电容由电容Cint1、Cint2和模式选通开关Smod构成，一个采样电容Csh，一个采样开关Ssh，一个列选...
- 檀柏梅牛新环高振斌潘国峰
- 文献传递
- 超精密加工中铜表面CMP后残余金属氧化物的去除被引量：3
- 2017年
- 多层铜布线经过化学机械平坦化(CMP)后,铜线条表面会残留CuO颗粒,它会对器件的稳定性有很大的影响,因此在CMP后清洗时必须把CuO从铜表面去除。这就要求有一种可以有效去除铜表面CuO的清洗剂。本研究中提出的新型复合清洗剂主要解决两个问题:一个是CuO的去除,另一个是防止清洗液对铜表面造成腐蚀。清洗剂的主要成分有两种,一种是FA/OⅡ型碱性螯合剂,它主要用来去除CuO,另一种是FA/OI型表面活性剂,它主要用来解决铜表面的腐蚀问题。通过在铜光片的表面生成氧化铜膜层,利用清洗剂对氧化层的清洗能力来反映其对于CuO的去除能力。表面活性剂的抗腐蚀能力主要通过电化学实验来反映。最后通过对清洗后12英寸图形片上的缺陷分析,验证清洗液对抛光后铜表面残余CuO实际清洗效果。结果表明,本文提出的复合清洗剂在不腐蚀铜表面的前提下能有效去除CuO,并且对晶圆表面缺陷的整体去除效果良好。
- 顾张冰牛新环刘玉岭高宝红王辰伟邓海文
- 关键词：腐蚀抑制剂
- Mg-Al合金化学机械抛光中表面状态的研究被引量：2
- 2010年
- 化学机械抛光(CMP)可以获得高精度、低表面粗糙度和无损伤工件表面,并可实现全局平坦化。将CMP技术拓展到Mg-Al合金表面加工中,研究了Mg-Al合金化学机械抛光机理,分析了Mg-Al合金化学机械抛光中pH值、压力、流量、转速等参数对Mg-Al合金表面状态的影响。结果表明,当pH值为11.20,压力为0.06MPa,流量200mL/min,转速60r/min,用Olympus显微镜观察Mg-Al合金表面状态良好。这一结果为进一步采用化学机械抛光法加工Mg-Al合金奠定了基础。
- 张研刘玉岭牛新环梁蒲肖文明阎宝华
- 关键词：镁铝合金化学机械抛光
- 非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷被引量：5
- 2006年
- 用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜(TEM)、电子探针X射线微区分析(EPMA)和扫描电镜能谱分析(EDX)等手段,对φ76mm非掺杂(ND)半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析。结果表明:在晶体周边区域,由高密度位错运动和反应形成胞状结构,该胞状结构的本质就是晶体结晶时形成的小角度晶界,且位错与微缺陷有强烈的相互作用;杂质碳在胞壁、近胞壁和完整区的含量依次降低,存在条纹分布。
- 孙卫忠牛新环王海云刘彩池徐岳生
- 关键词：SI-GAAS微缺陷位错
