胡少华
- 作品数：18 被引量：11H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生理学文化科学更多>>
- 19世纪俄罗斯文学经典作品中的画家形象研究——以《肖像》、《安娜·卡列尼娜》、《画家》 为例
- 19世纪俄罗斯文学和绘画繁荣发展,在研究这些经典作品时,许多学者注意到了它们之间的密切关系。例如,尼·德米特里耶娃以文学的描绘性以及绘画的表达性为角度,基·皮加廖夫从创作主体——作家和画家的关系出发,分别探讨了二者之间的...
- 胡少华
- 关键词：文学绘画艺术《肖像》《安娜·卡列尼娜》
- 文献传递
- 男性同性恋大脑结构和静息态脑功能的磁共振研究
- 目的:
同性恋的发生机制尚不清楚。最近的神经影像学研究显示了男性同性恋与男性异性恋在性唤起时神经激活模式具有差异，而这种功能上的差异性是否同样存在于大脑的静崽状态则尚不清楚。同时，男性同性恋与男性异性恋的大脑灰质体...
- 胡少华
- 关键词：男性同性恋磁共振成像大脑结构静息态脑功能
- Al、N共掺Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的制备与性能研究
- 2007年
- 采用直流反应磁控溅射方法,由氨气和氧气的混合气体在玻璃和单晶硅衬底上制备Al、N共掺Zn1-xMgxO薄膜。采用XRD、FE-SEM、Hall实验、UV-VIS透射谱以及EDS等方法对共掺Zn1-xMgxO薄膜的结晶性能、电学和光学性能进行研究。结果表明:薄膜有明显的C轴择优取向,玻璃衬底上制备的p-Zn0.9Mg0.1O薄膜的电阻率为8.28Ω.cm,空穴浓度和迁移率分别为1.09×1019cm-3和0.069 cm2/V.s。并且掺Mg的ZnO薄膜透射光谱表现出明显的蓝移。p-Zn0.9Mg0.1O/n-Si异质结的I-V特性曲线表现出明显的整流特性,可以确定制备的Al、N共掺Zn0.9Mg0.1O薄膜的导电类型是p型的。
- 高国华叶志镇简中祥卢洋藩胡少华赵炳辉
- 关键词：直流反应磁控溅射
- 直流反应磁控溅射法制备Ga-N共掺p型ZnMgO薄膜
- ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有直接宽带隙(室温下3.37 eV)，属于六方纤锌矿结构。ZnO的禁带宽度宽，激子结合能为60meV，远高于其它宽禁带半导体材料。ZnO激子在室温下是稳定的，可以实现室温或更高温度...
- 胡少华
- 关键词：ZNMGO薄膜磁控溅射
- 文献传递
- 双相情感障碍生物标志物及其应用
- 本发明公开了双相情感障碍生物标志物及其应用。其中肠道微生物组采用宏基因组测序分析，血清代谢组采用非靶向质谱分析，脑功能采用静息态功能MRI（resting‑state functional magnetic resona...
- 胡少华来建波张佩芬泮艳梦蒋佳俊汤安英张旦华吴冕路静牟婷婷任非凡
- 文献传递
- Ga-N共掺方法生长p型ZnMgO薄膜及其特性研究
- 本文采用直流反应磁控溅射技术，,利用Ga-N共掺方法,在N2O+O2气氛下、玻璃衬底上制备了ZnMgO薄膜。通过不断优化N2O/O2流量比值和衬底温度，制得了p型ZnMgO薄膜。Hall实验，X射线衍射(XRD)，场发射...
- 胡少华叶志镇高国华简中祥王敬蕊马全保卢洋藩赵炳辉
- 关键词：磁控溅射衬底温度
- 文献传递
- 大脑老化和神经精神疾病的磁共振影像学生物标志研究
- 张敏鸣徐晓俊许毅胡少华汪启东孙建忠蒋飚徐敬峰
- 通过该项目研究，取得了以下成果。(1)建立了多模态磁共振研究的方法。疾病导致的大脑结构、功能和代谢变化是疾病对大脑整体影响的不同方面，综合考察将有助于全面深入地理解该疾病。但是，把结构、功能和代谢等不同维度的信息在同一个...
- 关键词：
- 关键词：神经精神疾病磁共振影像学生物标志
- 基于肠道微生物的双相情感障碍生物标志物及其筛选应用
- 本发明公开了基于肠道微生物的双相情感障碍生物标志物及其筛选应用。其中，生物标志物1）Ruminococcus‑gnavus；生物标志物2）Eubacterium_hallii；生物标志物3）Alistipes_onder...
- 胡少华张佩芬来建波蒋佳俊许毅奚彩曦杜彦莉吴玲玲路静牟婷婷
- 文献传递
- 溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响被引量：1
- 2007年
- 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.
- 马全宝朱丽萍叶志镇何海平王敬蕊胡少华赵炳辉
- 关键词：ZNO:GA透明导电氧化物薄膜光电特性
- GaN纳米棒的制备及机理研究被引量：6
- 2009年
- 本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒。测试结果表明制备的GaN纳米棒是沿<100>方向生长的纯六方相结构。通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS机制的控制,而是多种生长方式共同作用的结果。在反应的初期,GaN纳米棒的生长遵从VLS机制;但是随着GaN纳米棒轴向和径向的生长,GaN纳米结构中纳米棒端部的Ni催化剂纳米球会被"挤"出顶部,在较大的气流流速下被吹落至衬底上,失去催化剂诱导作用的纳米棒随后自行外延生长;而吹落至衬底上的Ni催化剂纳米球成为第二次生长有利的形核位置,且再次生长出粗短的纳米棒。因此不同生长机制得到的GaN纳米棒交织在一起,形成了最终的GaN纳米结构。
- 王敬蕊叶志镇杨志祥马全宝姜静胡少华何海平
- 关键词：GAN纳米棒
