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芦伟

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 7篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇石墨
  • 12篇石墨烯
  • 8篇碳化硅
  • 4篇原子
  • 4篇掺杂
  • 2篇氮原子
  • 2篇电荷
  • 2篇电极
  • 2篇原子力显微技...
  • 2篇石墨烯材料
  • 2篇碳化硅衬底
  • 2篇碳化硅粉
  • 2篇碳化硅粉末
  • 2篇探测器
  • 2篇退火
  • 2篇硼掺杂
  • 2篇偏压
  • 2篇紫外
  • 2篇紫外光
  • 2篇紫外探测

机构

  • 16篇中国科学院

作者

  • 16篇芦伟
  • 16篇陈小龙
  • 16篇郭丽伟
  • 15篇贾玉萍
  • 8篇李治林
  • 6篇黄郊
  • 5篇陈莲莲
  • 4篇郭钰
  • 3篇林菁菁
  • 2篇王文军
  • 2篇王刚

传媒

  • 2篇第十七届全国...

年份

  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 7篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2012
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种硼掺杂石墨烯的制备方法
本发明提供一种硼掺杂石墨烯的制备方法，利用碳化硅高温热分解法制备石墨烯，其中所述碳化硅中掺杂有硼。本发明提供的制备方法简单、安全、可控，所制备的石墨烯结构完整性高，硼掺杂均匀性好。
陈小龙郭丽伟李治林芦伟贾玉萍陈莲莲郭钰王刚王文军
文献传递
SiC(0001)上外延石墨烯的拉曼G峰劈裂
通过碳化硅外延法制备的石墨烯与现代微电子工艺具有良好的兼容性,这使得其成为微电子器件领域有希望部分替代硅的一种新型材料。当单层石墨烯由于其晶胞中的a、b两个碳原子是完全等价的,因此导致其价带和导带在K点重叠,所以其带隙为...
贾玉萍郭丽伟林菁菁陈莲莲芦伟陈小龙
关键词：半导体材料无损检测
文献传递
基于碳化硅的石墨烯材料及其特征和应用
在碳化硅基底上生长石墨烯被广泛认为是有希望实现大规模工业化生产和大规模器件加工的技术途径,美国IBM公司己用实验结果证明碳化硅上石墨烯场效应晶体管的电流增益截止频率已达到350GHz。因此,碳化硅基底上生长石墨烯不仅在半...
郭丽伟贾玉萍李治林黄郊芦伟陈洪详陈小龙
关键词：碳化硅石墨烯光电性能光催化
文献传递
一种碳化硅表面处理方法
本发明提供一种用于碳化硅的表面处理方法，一种用于碳化硅的表面处理方法，包括：将碳化硅粉末以及具有待处理表面的碳化硅晶体放置在真空腔中；使所述碳化硅粉末被加热至第一温度以使其分解从而形成富Si气氛，至少使所述碳化硅晶体的所...
郭丽伟芦伟贾玉萍郭钰李治林陈小龙
文献传递
偏压原子力显微技术:通过局部反型掺杂检测缺陷的通用方法
高质量二维材料在基础科学研究和器件应用领域中具有重要的地位[1]。因此针对二维材料的检测，特别是对其缺陷的检测成为了至关重要的内容。一个精准、快捷的缺陷检测手段可以在二维材料的制备过程中提供及时有效的反馈。
贾玉萍郭丽伟芦伟黄郊李治林陈洪祥陈小龙
关键词：石墨烯
一种碳化硅表面处理方法
本发明提供一种用于碳化硅的表面处理方法，一种用于碳化硅的表面处理方法，包括：将碳化硅粉末以及具有待处理表面的碳化硅晶体放置在真空腔中；使所述碳化硅粉末被加热至第一温度以使其分解从而形成富Si气氛，至少使所述碳化硅晶体的所...
郭丽伟芦伟贾玉萍郭钰李治林陈小龙
文献传递
偏压原子力显微技术:通过局部反型掺杂检测缺陷的通用方法
高质量二维材料在基础科学研究和器件应用领域中具有重要的地位。因此针对二维材料的检测,特别是对其缺陷的检测成为了至关重要的内容。一个精准、快捷的缺陷检测手段可以在二维材料的制备过程中提供及时有效的反馈。在此,我们提出了一种...
贾玉萍郭丽伟芦伟黄郊李治林陈洪祥陈小龙
关键词：石墨烯
文献传递
紫外探测器
本发明提供了一种紫外探测器，包括SiC板；位于所述SiC板上的石墨烯层；以及位于所述石墨烯层上的第一电极和第二电极。本发明的紫外探测器能够实现对紫外光的超快探测，对紫外光探测的精度和灵敏度高，制造成本低。
陈小龙郭丽伟黄郊贾玉萍芦伟
文献传递
一种硼掺杂石墨烯的制备方法
本发明提供一种硼掺杂石墨烯的制备方法，利用碳化硅高温热分解法制备石墨烯，其中所述碳化硅中掺杂有硼。本发明提供的制备方法简单、安全、可控，所制备的石墨烯结构完整性高，硼掺杂均匀性好。
陈小龙郭丽伟李治林芦伟贾玉萍陈莲莲郭钰王刚王文军
文献传递
基于碳化硅的石墨烯材料及其特征和应用
在碳化硅基底上生长石墨烯被广泛认为是有希望实现大规模工业化生产和大规模器件加工的技术途径，美国IBM公司已用实验结果证明碳化硅上石墨烯场效应晶体管的电流增益截止频率已达到350GHz.
郭丽伟贾玉萍李治林黄郊芦伟陈洪详陈小龙
关键词：碳化硅石墨烯光电性能光催化
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