郑东明
- 作品数：32 被引量：11H指数：3
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- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学更多>>
- 一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构
- 一种高倍过载1KPa硅微压传感器芯片结构，其特征在于梁—单岛双面双片微结构：上芯片正面“I”形梁上“U”形压力敏感电阻，浅槽外周为铝电极引线及引线焊盘；上芯片背面，相对于浅槽部位，剩余膜片厚度与中心方形支撑相连，即为单硬...
- 徐淑霞张治国郑东明梁峭徐长伍唐慧张纯棣刘芙常伟陈琳
- 文献传递
- 提高压力传感器过载响应速度的研究
- 2015年
- 介绍了一种提高硅电容压力传感器过载回零响应速度的方法,通过在传感器硅可动极板上设计、制作快速导油微结构,实现了传感器过载回零响应速度的大幅度提升,解决了传感器设计中一项关键技术难题,使硅电容压力传感器真正达到了实用化程度,满足了工业现场的实际使用要求。
- 李颖张治国刘剑张哲张娜郑东明梁峭祝永锋
- 关键词：硅电容传感器响应速度
- 一种基于硅硅键合的高精度压力传感器的制造方法
- 本发明公开了一种基于硅硅键合的高精度压力传感器的制造方法，它包括敏感硅片层及衬底硅片层，其技术要点是：在敏感硅片层背面连接有衬底硅片层，所述敏感硅片层和衬底硅片层采用硅硅键合工艺形成压力密封腔。所述的衬底硅片层采用和敏感...
- 李颖张治国郑东明梁峭祝永峰
- 文献传递
- 高稳定MEMS硅压力敏感芯片关键技术研究
- 张治国李颖郑东明刘宏伟金琦祝永峰刘
- 高精度压力传感器是工业过程控制和高端装备发展信息化、智能化的核心基础零部件，也是关系到国家安全和国民经济建设的基础性、战略性关键部件，应用领域广泛，具有重要意义。随着我国在石油、石化、能源、航天、航空、军工等重点领域的战...
- 关键词：
- 关键词：压力传感器压力敏感芯片扩散电阻
- 基于硅硅键合技术的高精度压力传感器的研究被引量：3
- 2017年
- 硅压阻压力传感器核心部件一般是由单晶硅和玻璃组成的微结构,由于单晶硅和玻璃的材料特性存在差异,在制造过程中会引入封装应力对传感器的性能产生不利影响。采用硅硅键合技术制造压力传感器核心部件的微结构,以同质材料替代异质材料实现器件的封装,可有效减少封装应力,提升压力传感器的性能。文中通过结合硅压阻压力敏感芯片的制造工艺和硅硅键合工艺,实现了敏感芯片与硅衬底间的硅硅键合,键合强度达到体硅强度。研制的差压型压力敏感芯片装配成传感器的零点温度漂移下降60%,静压误差下降约1个数量级。
- 李颖张治国郑东明梁峭张哲刘剑祝永峰
- 关键词：传感器
- 硅基溅射薄膜传感器研究
- 硅基MEMS工艺和溅射薄膜传感器进行有机结合,将硅基MEMS工艺小型化、成本低、产量大的优点和溅射薄膜传感器高稳定性的优点同时兼容,并克服了硅基MEMS扩散硅传感器存在不稳定隐患的缺点和溅射薄膜传感器体积大、成本高、不利...
- 郑东明祝永峰陈学斌常胜利
- 关键词：压力传感器微机械加工
- 文献传递
- 单晶硅高温压阻式压力传感器被引量：5
- 2020年
- 适于高温环境应用的压力传感器的相关研究工作备受关注。以注氧隔离(SIMOX)技术SOI晶圆为基础,探讨了单晶硅高温压阻式压力传感器芯片和封装结构设计,在传感器国家工程中心OEM压力传感器制作工艺的基础上,完成传感器研制与测试。结果表明,在50~300℃温度范围,研制的高温压力传感器具有很好的性能,传感器静态灵敏度大于29 mV/MPa,非线性误差小于0.25%F·S,重复性小于0.2%F·S,传感器灵敏度随温度升高而增大,非线性随温度增加而减小。研制的单晶硅高温压力传感器在军事和民用方面具有广阔的应用前景。
- 吴沛珊刘沁李新张治国郑东明
- 关键词：高温压力传感器注氧隔离压阻效应
- 压力传感器敏感电阻的位置对受力--输出变化精度的影响
- 通过对传感器芯片敏感阻条在敏感受力薄膜位置的不同变化进行分析、试验和探索,确立了敏感阻条随着位置的变化,在相应挠度下纵向发生形变对应的横向敏感电阻发生变化的线性对应关系,成功的找到了具有最佳线性变化的电阻位置为内外2点,...
- 郑东明张治国张娜祝永峰
- 关键词：压力传感器敏感电阻
- 文献传递
- 一种敏感电阻压力传感器芯片及加工方法
- 一种敏感电阻压力传感器芯片及加工方法，它包括有：在单晶硅衬底层所加工成的硅膜片，敏感电阻及压焊点，技术要点是：在硅膜片的内部设置有金刚石敏感电阻，硅膜片与金刚石敏感电阻的侧壁间隔一层用于金刚石敏感电阻与衬底之间绝缘的氧化...
- 贾文博张治国郑东明祝永峰任向阳海腾肖文英冯艳敏周聪
- 响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析（英文）
- 2016年
- 利用响应面分析方法优化了用于压力传感器硅敏感芯体的刻蚀操作条件。主要考虑了温度、KOH浓度和腐蚀时间三个操作参数,将它们的范围分别设定为40~60℃,0.4~0.48mol/L和5~12.5h,并设定各向异性腐蚀速率为响应值。通过建立二次方模型,分析这些参数的单独影响以及多个操作条件之间对腐蚀速率的相互交叠作用。分析结果表明：模型可以精确预测99%的响应值,相比于腐蚀时间,溶液浓度和工作温度对刻蚀速率的影响更为明显。
- 付文婷梁峭崔可夫石天立张娜郑东明唐慧孙海玮
- 关键词：刻蚀速率传感器
