郭春生
- 作品数：167 被引量：171H指数：8
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>
- 一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法
- 本发明属于电子器件测试领域，公开了一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法。首先测出待测半导体器件的电压-温度系数曲线，绘制其热阻微分结构函数曲线，进而求出其内部热阻R<Sub>th0</Sub>。然后，测量不同压力...
- 郭春生李睿冯士维张燕峰石磊
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- 1/f噪声源与其在半导体可靠性评估中的应用
- 1/f噪声,由于其能够反映器件的质量与可靠性参数,其研究受到重视。本文首先较为系统地介绍了1/f噪声源两种较为成熟的理论:迁移率涨落模型和载流子涨落模型,最后介绍了几个1/f噪声与半导体器件参数漂移相关的实例。
- 刘鹏飞郭春生李秀宇李志国
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- 一种测量IGBT在高温反偏试验中结温变化的方法
- 本发明公开了一种测量IGBT在高温反偏试验中结温变化的方法，利用IGBT在高温反偏试验中的漏电流与温度的对应关系，对实验中的器件结温进行实时监控的方法。且IGBT漏电流以器件内部MOS部分漏电流为主，在高温反偏试验前需先...
- 郭春生蔡文漪姜舶洋罗琳
- 一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法
- 一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法属于半导体发光器件产品的质量监控领域。半导体发光器件(发光管和激光器)的发光效率η是决定产品退化和工作寿命的重要参数。发光效率的测量通常使用光学仪器。本技术利用光效与器件...
- 冯士维张光沉郭春生王璐
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- 一种基于电子辐照控制PN结缺陷能级的方法
- 本发明公开了一种基于电子辐照控制PN结缺陷能级的方法，其步骤为：(1)一次加工前的摸底实验，根据辐照条件对器件进行分组；(2)按照辐照条件对器件进行辐照加工，固定辐照方向、辐照环境及冷却系统；(3)在常温常压下储存器件以...
- 郭春生王若旻冯士维
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- 一种功率循环实验中测量与控制SiC功率VDMOS器件结温的方法
- 本发明公开了一种功率循环实验中测量与控制SiC功率VDMOS器件结温的方法，该方法主要通过功率循环实验平台进行间歇性功率施加的方式来加速器件老化过程，以达到模拟SiC功率VDMOS器件实际工况的目的。通过采集器件工作在非...
- 郭春生果昊刘雨浓魏磊
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- 双极型晶体管工作在放大区的结温实时测量方法
- 双极型晶体管工作在放大区时结温的实时测量方法，属于半导体器件测试领域。本发明在双极型晶体管工作在不同集电结电压V<Sub>ce</Sub>和集电极电流I<Sub>ce</Sub>的条件下测量出发射结电压与温度的V<Sub...
- 郭春生丁嫣姜舶洋冯士维苏雅
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- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的可靠性被引量：2
- 2014年
- 利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W。比较了不同测温方法和外界环境对器件沟道温升的影响。并研究了栅极施加反向直流阶梯应力对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响,结果表明器件在应力作用下电学参数退化,大信号寄生源/漏极电阻RS/RD和栅源正向I-V特性在击穿后能得到恢复。AlGaN势垒层陷阱俘获电子和电子填充栅极表面态是器件参数退化的原因,表面态恢复是器件参数恢复的主要原因。
- 冯士维邓兵张亚民石磊郭春生朱慧
- 关键词：应力可靠性
- 一种测量电子元器件工作结温和热阻的装置
- 本实用新型涉及一种测量电子元器件工作结温和热阻的装置，属于电子器件的生产测量领域。装置特征在于：被测器件置于一真空系统中，该真空系统留有接线柱与外部装置相连；外部装置包括A/D采集板、计算机、电源、和加热电源；被测器件通...
- 冯士维乔彦彬郭春生张光沉丁凯凯
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- 功率型白光LED光学特性退化分析被引量：3
- 2012年
- 将GaN基蓝光芯片涂敷YAG荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 W的白光发光二极管(LED),对其施加900mA的电流应力,在老化过程中测量白光LED的主要光学参数,考察其光学特性的退化情况。经过4 200h的老化,样品光通量退化为初始值的15%～18%。样品的漏电流明显增大,表明芯片有源区缺陷密度提高,但光谱分布图中蓝光部分的辐射量未减少,仅观察到黄光部分辐射量的减少,推断出YAG荧光粉的转换效率降低。同时,从原理上分析了样品色温逐渐增大,显色指数基本不变的原因,对大功率白光LED在照明领域的应用有一定的借鉴意义。
- 周舟冯士维郭春生张光沉吴艳艳
- 关键词：发光二极管光谱荧光粉显色指数
