顾华
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 掺 Ca^(2+)的 Gd_3Ga_5O_(12)晶体正电子湮没研究
- 1990年
- 本工作测定了含 Ca^(2+)量为0—100ppm 的 GGG 单晶的正电子寿命和 S 线形参数。Ca^(2+)含量在0—13.0 ppm 时,(?)和 S_j 随[Ca^(2+)]增加而线性增加,在其他浓度,(?)_j 和 S_j 只有轻微上升。研究了掺 Ca^(2+)后氧空位产生及其变化。
- 黄懋容何永枢顾华王蕴玉张乐潓林成天刘海润
- 关键词：正电子湮没钆镓石榴石晶体钙
- 用正电子湮没研究ZnO陶瓷压敏元件
- 黄懋容顾华陈孝琛
- 关键词：压敏电阻器氧化锌陶瓷导电性湮灭
- 铜基形状记忆合金热弹性马氏体相变缺陷的正电子湮没研究
- 1989年
- 铜基形状记忆合金的时效敏感性虽早有报道,但马氏体稳定化现象的发现并受到普遍的关注则是近几年的事。人们提出过再有序化、空位钉扎两种解释马氏体稳定化的主要机制。但对马氏体时效稳定化的研究仍然存在很多的疑问和分歧。
- 何永枢顾华杨巨华周光明杨建华赵连城雷廷权
- 关键词：形状记忆合金马氏体正电子湮没
- 正钒酸钙单晶的正电子湮没研究
- 1992年
- 本文用正电子湮没 Doppler 展宽 S 参数和寿命,研究了在不同生长条件下和经过不同物理条件处理的正钒酸钙〔Ca_3(VO_4)_2〕晶体内部的微观缺陷。
- 黄懋容杨巨华顾华常英传
- 关键词：正电子湮没晶体
- 掺杂Na^+的KCl色心激光晶体的正电子湮没研究
- 1991年
- 本文用正电子湮没方法研究了在掺Na^+条件下,单纯、附色和γ射线辐照的KCl单晶的湮设寿命以及Doppler展宽S参数与掺Na^+量的关系。结果表明掺Na^+量为800ppm的KCl单晶空位浓度最小,为4.24×10^(17)/cm^3,它接近于纯KCl晶体的空位浓度。在附色的KCl晶体中存在明显的F心。S参数主要是受卤族阴离子外层电子的影响。此外还对掺Na^+的KCl单晶正电子湮没机制进行了讨论。
- 黄懋容顾华王蕴玉何永枢杨巨华林建明许承晃
- 关键词：KCL正电子湮没掺杂
- 用正电子湮没研究ZnO陶瓷电阻器
- 1996年
- ZnO压敏电阻器是以氧化锌为主体,添加其它少量氧化物制成的非线性电阻器,其伏(特)安(培)特性为非线性,也就是施加在ZnO材料的电压低于击穿电压时其电阻很大,几乎为绝缘体,只流过很小漏电流,当电压超过|V_A|(瞬时过电压)时,其电阻大大地减少,电流大幅度地增加。如图1所示,正常态因ZnO电阻大,电流按A回路走,所以起动了机器,当电压加到ZnO的|V_A|时,即达到瞬时过电压后,此时ZnO的电阻突然变得非常小,几乎等于零,这时电流走B回路,因而起到保护仪表或机器的作用。所以ZnO电阻器是一种瞬时过电压抑压器。 ZnO压敏电阻器的导电机制和组分微观结构等问题在国外虽然研究得十分活跃,但尚未搞清楚;国内在这方面的研究报道得也很少。ZnO陶瓷的非欧姆性质是由在ZnO晶粒之间的高电阻晶界层引起的。
- 黄懋容顾华何永枢王蕴玉杨巨华陈孝琛
- 关键词：正电子湮没电阻器氧化锌陶瓷
