您的位置: 专家智库 > 作者详情>魏吉勇

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇淀积
  • 1篇多量子阱
  • 1篇应变多量子阱
  • 1篇气相淀积
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇化学气相淀积
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇NM
  • 1篇MOCVD
  • 1篇MOCVD方...

机构

  • 1篇山东大学
  • 1篇山东华光光电...

作者

  • 1篇陈文斓
  • 1篇潘教青
  • 1篇黄柏标
  • 1篇魏吉勇
  • 1篇齐云
  • 1篇于永芹
  • 1篇周海龙
  • 1篇张晓阳
  • 1篇秦晓燕

传媒

  • 1篇光电子.激光

年份

  • 1篇2002
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
用MOCVD方法生长940 nm应变多量子阱发光二极管
2002年
采用金属有机物化学气相淀积 (MOCVD)方法设计并生长了应变多量子阱 In Ga As/Al Ga As,并且对其进行了光致发光 (PL)谱、双晶 X射线衍射 (DXRD)谱和电化学 C- V等的测试。然后以 In Ga As/Al-Ga As作为有源层 ,以 Ga As衬底作为透明衬底 ,p面金属电极 Au Be合金作为镜面反射层 ,采用倒装技术制备了近红外发光二极管 (L ED)。在输入电流为 2 0 m A下的正向电压为 1.2 V左右 ,电致发光谱的峰值波长为 938nm,10 μA下的反向击穿电压为 5~ 6 V,在输入电流为 5 0 m A下得到输出功率 3.5m W,对应电压为 1.3V,在输入电流为 30 0 m A时得到最大输出功率为 12 m W。
于永芹黄柏标周海龙魏吉勇潘教青岳金顺李树强陈文斓齐云秦晓燕张晓阳王笃祥任忠祥
关键词:发光二极管应变多量子阱金属有机物化学气相淀积MOCVD
共1页<1>
聚类工具0