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样品底座: 本实用新型公开了一种样品底座，包括环形板、支撑板、固定杆以及水平限位板。环形板设置在支撑板的上方，与支撑板共同形成有容纳腔，样品放置于容纳腔内。固定杆的一端设置于支撑板的底部，固定杆的另一端用以固定于真空互联扫描电镜的位...; 许蕾蕾黄增立刘宏伟张亚宾翁雪霏张珽

基于金属等离激元的半导体光电流测试系统及测试方法: 本发明揭示了一种基于金属等离激元的半导体光电流测试系统及测试方法，所述测试系统包括：扫描电镜，其具有一SEM腔体及电镜窗口；SEM变温台，位于SEM腔体内，用于承载半导体外延结构；电流测量装置，位于SEM腔体外部；电子枪...; 许蕾蕾黄增立葛啸天戴诗歌孔亚萍张青张珽

半导体材料表面微区光电响应测量装置及测量方法: 本发明提供一种半导体材料表面微区光电响应测量装置及测量方法，所述装置包括样品台，用于放置待测样品；原子力显微镜导电探针，与待测样品接触，原子力显微镜导电探针、待测样品及电源形成电学回路；波长连续可调的单色光路系统，使波长...; 樊英民刘争晖徐耿钊钟海舰黄增立徐科; 文献传递

具有阻挡层的H等离子体处理增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT研究: 2022年; 采用H等离子体处理p-GaN盖帽层来制备p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).在p-GaN层表面上先沉积2 nm的Al_(2)O_(3)薄膜,以减少H等离子体注入p-GaN时对表面造成的损伤.经研究表明沉积Al_(2)O_(3)阻挡层的器件栅极反向泄漏电流降低了一个数量级,开关比提高了约3倍.由于栅极泄露电流的减小,关态击穿电压从410 V提高到780 V.针对栅极反向泄漏减小的现象,进行了变温I_(G)-V_(G)测试,验证了栅极反向泄漏电流的主导机制是二维变程跳跃(Two-dimensional variable range hopping,2D-VRH)模型.分析了减小栅极反向电流的原因是由于Al_(2)O_(3)阻挡层改变了HR-GaN的表面态,使陷阱能级的活化能升高.此外,器件动态特性也表现出更稳定的趋势,这是Al_(2)O_(3)薄膜阻挡过多的H等离子体的注入,使AlGaN势垒和沟道陷阱态数量减少,电流崩塌效应减弱.; 黄兴杰邢艳辉于国浩宋亮黄荣黄增立韩军张宝顺范亚明

等离激元窄带吸收薄膜: 本发明提供一种等离激元窄带吸收薄膜，包括基底层及设置于所述基底层表面的介质层，还包括设置在所述介质层表面的隔离层及设置在所述隔离层表面的介电颗粒层，所述介电颗粒层由多个介电颗粒按一定周期排列形成。本发明的优点在于：1、相...; 黄增立王建峰刘争晖徐耿钊钟海舰樊英民徐科; 文献传递

电场增强结构: 本发明提供一种电场增强结构，包括基底层及设置在所述基底层表面的介质层，还包括设置在所述介质层表面的隔离层及设置在所述隔离层表面的介电颗粒层，所述介电颗粒层由多个介电颗粒形成，所述介电颗粒的折射率大于所述隔离层的折射率。本...; 黄增立王建峰刘争晖徐耿钊钟海舰樊英民徐科; 文献传递

用于近场光学显微镜的探针及其制备方法: 本发明提供一种用于近场光学显微镜的探针，包括悬臂梁基底、设置在所述悬臂梁基底上的半导体针尖，设置在半导体针尖上的两个金属电极，所述两个金属电极相对设置，所述半导体针尖与两个金属电极形成用于将光信号转换为电信号的金属‑半导...; 徐耿钊樊英民刘争晖钟海舰黄增立徐科; 文献传递

光谱选择性光电探测器及其制备方法: 本发明提供一种光谱选择性光电探测器，包括基底以及在基底上依次设置的等离激元结构层和掺锡氧化铟层，所述等离激元结构层包括多个介质结构单元，每个介质结构单元包括一条状主吸收窗口以及一对或多对条状吸收调节窗口，所述条状吸收调节...; 张传杰王建峰黄增立徐科; 文献传递

一种等离子激元纳米激光器: 本发明涉及微纳光子器件与激光技术领域。本发明提供一种等离子激元纳米激光器，包括一第一介质层、一第一隔离层、和一增益介质腔体，所述第一隔离层置于所述第一介质层的裸露表面上，所述增益介质腔体置于所述第一隔离层的裸露表面上，其...; 黄增立王建峰徐科杨辉; 文献传递

利用阴极射线荧光谱对表面等离子激元与量子阱耦合发光特性的研究: 表面等离子激元(SPPs)是在金属表面产生的一种光和金属自由电子集体共振耦合波，这种耦合波的色散关系显示其共振频率处具有较大光子态密度特性。利用表面等离子激元和LEDs中量子阱中电子空穴对激子的近场耦合作用，可以引入新的...; 黄增立王建峰张传杰刘争晖徐科杨辉

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黄增立