刘伟华
- 作品数：12 被引量：19H指数：2
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术更多>>
- 制备大体积碲锌镉单晶的方法
- 本发明公开了一种制备大体积碲锌镉单晶的方法，步骤如下：选择高熔点CZT单晶制作极性籽晶<111>或<211>；给石英安瓿内壁镀碳膜，将所述籽晶放入安瓿底部的籽晶袋中，籽晶的引晶生长面朝上，再放入低...
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- 垂直布里奇曼生长炉及炉内温度场优化方法
- 本发明公开了一种垂直布里奇曼生长炉，炉外壳中从下到上依次是隔热板、两组I型加热模块、散热片、一组II型加热模块、两组I型加热模块和炉膛盖，隔热板中心孔是耐火陶瓷棉，五段加热模块中心位置是两段衬管，两段衬管用散热片隔开，衬...
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- 高电阻率碲锌镉晶体的制备方法
- 本发明公开了一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特点是包括以下步骤：按照化学计量配比将满足Cd<Sub>0.9</Sub>Zn<Sub>0.1</Sub>Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为...
- 介万奇王涛徐亚东刘伟华华慧孙晓燕
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- Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的Al掺杂研究被引量：2
- 2009年
- 采用改进的垂直布里奇曼法（MVB）分别生长了Al掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0．1Te晶体，并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响。在相同的工艺条件下，Al掺杂晶体获得了6×10^9～2×10^10Ω·cm的高电阻率，呈弱P或弱n型导电；In掺杂晶体电阻率在10^5Ω·cm数量级，呈扎型导电；Al掺杂晶体在波数4000-500cm^-1范围内红外透过率平直且较高，而In掺杂晶体红外透过率随波数下降而降低，在波数1250cm^-1处降至零。采用Al掺杂晶片制备的探测器对^241Am59．54keV射线的能量分辨率为14％，表明所生长Al掺杂晶体基本满足了探测器材料使用要求。
- 刘伟华介万奇王涛徐凌燕徐亚东
- 关键词：AL掺杂红外透过率
- 制备大体积碲锌镉单晶的方法
- 本发明公开了一种制备大体积碲锌镉单晶的方法，其特点是包括下述步骤：选择高熔点CZT单晶制作籽晶；给石英安瓿内壁镀碳膜，将籽晶放入安瓿底部的籽晶袋中，籽晶的引晶生长面朝上，再放入低熔点CZT多晶料，对石英安瓿抽真空并焊封；...
- 介万奇徐亚东王涛华慧刘伟华
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- Cd0．9Zn0．1Te晶体中的In掺杂研究
- 采用电感耦合等离子质谱仪(ICP-MS)和光致发光的手段研究了 In 在 CdZnTe 晶体中的分布及存在状态．浓度测试结果表明,In 的分凝特性受生长条件影响很大,沿晶体轴向有效分凝因数在0．19到0．5之间变化．对高...
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- 关键词：自补偿ICP-MS
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- 籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体被引量：10
- 2006年
- 采用改进的垂直布里奇曼（MVB）法并引入籽晶生长技术，成功生长出直径60mm，单晶体积超过200cm^2的CdZeTe（CZT）晶锭。根据CZT晶片在近红外（NIR）波段的透过谱，由截止波长推算Zn组分在晶片中的平均含量，进一步的拟合得出晶体生长过程Zn沿晶锭轴向分凝因数约为1．30；分析了晶片在中红外波段内的红外透过率，发现波数在2000-4000cm^-1内透过率平直且较高，超过60％，而从2000cm^-1到500cm^-1随波数的减小透过率急速下降至零；由钝化后的Au／CZT晶片的I-V曲线，计算得到生长态C2T晶片的电阻率P达到1．8×10^9-2．6×10^10Ω·cm。
- 徐亚东介万奇王涛刘伟华
- 关键词：CDZNTE籽晶近红外光谱
- 室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长及其器件制备
- Cd1-xZnxTe(CZT)探测器被认为是目前最有前途的室温核辐射探测器之一,广泛应用于环境监测、核医学、工业无损检测、安全检查、核武器突防、航空航天、天体物理和高能物理等领域。然而,由于CZT晶体生长过程中Cd元素的...
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- 高电阻率碲锌镉晶体的制备方法
- 本发明公开了一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特点是包括以下步骤：按照化学计量配比将满足Cd<Sub>0.9</Sub>Zn<Sub>0.1</Sub>Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为...
- 介万奇王涛徐亚东刘伟华华慧孙晓燕
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- 室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长及其器件制备被引量：7
- 2010年
- 采用改进的垂直布里奇曼法生长了直径为60 mm的碲锌镉晶体,晶体利用率达到70%以上。晶体中Te沉淀/夹杂密度小于1×10-3cm2,电阻率达到4×1010Ω.cm。利用得到的晶体制备了平面型单元探测器,测量了对不同能量射线的分辨率,其中对241Amγ能谱的分辨率达到4.7%,对137Cs能谱的分辨率为4.2%。采用Hecht公式对探测器收集效率与偏压的关系进行了拟合,得到电子的迁移率与寿命乘积值达到2.3×10-3cm2/V。
- 王涛徐亚东查钢强刘伟华徐凌燕白旭旭傅莉介万奇
- 关键词：碲锌镉
