刘桂荣
- 作品数：48 被引量：50H指数：4
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- 一种零膨胀材料
- 本发明属于无机非金属材料领域，特别涉及一种能够在-140～700℃范围内使用的零膨胀材料。其特征在于以PbO、TiO<Sub>2</Sub>、Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Fe<Sub>2</S...
- 邢献然陈骏刘桂荣
- 文献传递
- 先驱体合成法制备PMN-PT弛豫铁电体及其表征被引量：5
- 2005年
- 采用先驱体合成法,以氧化物为原料制备了钙钛矿结构的(1-x)PMN-xPT弛豫铁电陶瓷粉末,研究了预烧温度以及PbTiO3固溶量等工艺参数对样品的相结构的影响.结果表明,随预烧温度升高, PMN-PT钙钛矿相含量增加,但温度过高,由于PbO的挥发钙钛矿相又减少;增加PbTiO3也可使钙钛矿相含量增加.
- 邓金侠邢献然于然波陈骏邢奇凤罗君刘桂荣
- 关键词：PMN-PT弛豫铁电体相结构
- 区熔(氢)硅片为基底的多孔硅的光致荧光特性
- 本文以氢区熔单晶硅为基础,通过中子辐照和两步退火热处理,得到了具有20～40μm表面完整层的吸除硅片,并对该种吸除硅片进行了红外光谱和X光电子能谱分析。在吸除硅片的基础上恒电流阳极氧化制得的多孔硅,室温下光致橙色荧光发光...
- 李怀祥贺月娇郭成花薛成山刘桂荣陈燕生段淑贞
- 关键词：多孔硅光致荧光表面修饰
- 文献传递
- 一种用硫化镍精矿直接制备磁性材料的方法
- 一种用硫化镍精矿直接制备磁性材料的方法，涉及尖晶石型软磁铁氧体材料的制备。本发明利用低品位硫化镍精矿为原料，硫化镍精矿中镍的质量百分含量≤10％，经过氧化焙烧，热酸浸出，除杂，共沉淀，焙烧等工艺得到铁氧体磁性材料。整个工...
- 邢献然朱绘卉于然波陈骏邓金侠陈茜刘桂荣
- 文献传递
- 过冷态合金表面张力的模拟计算
- 该文提出了一种由液态合金的热力学性质外推至过冷态合金，进而基于Butler方程用STCBE程序计算过冷态合金表面张力的方法。并运用该方法对NI-Cu和Fe-NI二元系过冷态合金的表面张力进行了计算，与实验数据比较，计算结...
- 严丽君刘桂荣乔芝郁
- 文献传递
- 熔盐快速合成Pb_(1-x)La_xTiO_3粉体(英文)被引量：5
- 2006年
- 采用全氧化物为原料,利用熔盐法合成了Pb1-xLaxTiO3(0.0≤x≤0.40),当x=0.45时,烧绿石相La2Ti2O7出现。计算了合成反应活化能,并在700℃下在NaCl-KCl体系中仅用5min就合成了Pb0.9La0.1TiO3。Pb1-xLaxTiO3陶瓷在0.00≤x<0.25时,晶体结构为四方相,在0.25≤x≤0.40时为立方相。采用700℃NaCl-KCl和900℃的Na2SO4-K2SO4两种熔盐体系获得了尺寸分布集中的球形颗粒,这些表明熔盐法晶体生长为扩散控制生长机理。
- 蔡宗英邢献然邓金侠于然波刘桂荣
- 关键词：PLT陶瓷粉末
- 一种制备纳米晶锡酸铅粉末的方法
- 一种制备纳米晶锡酸铅粉末的方法，属于陶瓷材料领域，特别涉及一种铁电功能陶瓷材料的制备方法。本发明采用易溶于水的无机盐前驱体，原料为：PbNO<Sub>3</Sub>(分析纯)、SnCl<Sub>4</Sub>·5H<Su...
- 邢献然陈骏邓金侠刘桂荣
- 文献传递
- 一种负热膨胀材料ZrW<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>的单晶制备方法
- 一种负热膨胀材料ZrW<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>的单晶制备方法，属于功能陶瓷材料技术领域。本发明采用水热法合成负热膨胀化合物ZrW<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>所用原料为：Zr...
- 邢献然邢奇凤于然波刘桂荣
- 文献传递
- 熔盐法合成PbTiO_3粉体及其表征被引量：12
- 2006年
- 以 TiO_2和 PbC_2O_4为反应物,Nacl 和 NaCl-KCl 为熔剂,于820—1000℃保温2 h 制备了纯净的 PbTiO_3 粉体．熔盐法制备过程中盐的用量以及温度明显的影响晶粒的尺寸,当温度低于900℃时,在氯化物盐中随着温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大；当温度高于900℃时,晶粒尺寸随温度的升高变化不大,晶粒最终发育为较完整的球形．熔盐合成晶体生长过程为扩散机制控制,通过调整熔盐的用量及温度可以控制晶粒的尺寸与形貌．熔盐法制备 PbTiO_3粉体工艺流程简单,时间短,产量大,成本低,无污染．
- 蔡宗英邢献然刘桂荣于然波
- 关键词：PBTIO3陶瓷粉体
- 硅单晶中的氢催化氧沉淀
- 1998年
- 红外光谱法研究了硅单晶中的氢催化氧沉淀．氧含量为６×１０１７ａｔｏｍｓ·ｃｍ－３的直拉硅（ＣＺ—Ｓｉ）经氢气氛下区熔再成晶后，间隙氧浓度下降约２０倍．红外光谱测量１２３０ｃｍ－１吸收带结果表明，６５０～８５０℃热处理同样的时间，区熔后样品比原直拉硅样品含有更多的氧沉淀，这是氢催化的结果．
- 李怀祥薛成山周武陈鲁生周武陈燕生
- 关键词：氧沉淀硅单晶
