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刘瑞兰

作品数:5 被引量:0H指数:0
供职机构:山东师范大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电泳
  • 2篇电泳法
  • 2篇钝化
  • 2篇钝化工艺
  • 2篇氧化铁
  • 2篇硝酸
  • 2篇硝酸铝
  • 2篇玻璃钝化
  • 2篇纯氧
  • 1篇毒害
  • 1篇掩膜
  • 1篇制版
  • 1篇烧结炉
  • 1篇羰基
  • 1篇羰基铁
  • 1篇耐压强度
  • 1篇晶闸管
  • 1篇快速晶闸管
  • 1篇二茂
  • 1篇二茂铁

机构

  • 5篇山东师范大学

作者

  • 5篇刘瑞兰
  • 3篇薛成山
  • 2篇庄惠照
  • 2篇赵富贤
  • 2篇田淑芬
  • 1篇刘秀喜
  • 1篇于全训
  • 1篇李来仲
  • 1篇孙瑛
  • 1篇王显明
  • 1篇陈刚

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇山东师范大学...

年份

  • 1篇1996
  • 2篇1993
  • 1篇1987
  • 1篇1986
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
台面半导体器件玻璃钝化工艺
一种台面半导体器件玻璃钝化工艺,属于台面半导体器件生产工艺的一部分。该工艺利用加硝酸铝为电解质的电泳法在台阶状PN结台面沟槽内涂敷玻璃粉和在通入纯氧的烧结炉中熔烧玻璃粉的方法,做出的玻璃钝化层表面光洁,内里无气泡,厚度均...
薛成山赵富贤田淑芬刘瑞兰庄惠照
台面半导体器件玻璃钝化工艺
一种台面半导体器件玻璃钝化工艺,属于台面半导体器件生产工艺的一部分。该工艺利用加硝酸铝为电解质的电泳法在台阶状PN结台面沟槽内涂敷玻璃粉和在通入纯氧的烧结炉中熔烧玻璃粉的方法,做出的玻璃钝化层表面光洁,内里无气泡,厚度均...
薛成山赵富贤田淑芬刘瑞兰庄惠照
文献传递
Fe_2O_3掩膜的制备研究
1993年
在制造半导体器件和集成电路时,为确定衬底材料上的图形,必须使用掩膜版。现有的掩膜材料主要有乳胶膜和铬膜。乳胶膜耐磨性差、易沾污且分辨率低;铬膜虽有较好的耐磨性,但铬作为一种金属反光很强,导致图形分辨率降低。另一方面,这两种膜都不透明,光刻时图形难以套准。Fe2O3膜是一种优良的掩膜材料,它具有很强的耐磨性和很高的分辨率,针孔少、透明、光刻时图形易对准。
刘瑞兰杜长英
关键词:掩膜氧化铁
P型双质掺杂技术在快速晶闸管生产中的应用
1996年
高压快速晶闸管的P型双质掺杂新技术研究成功,经工艺论证和试用,该项成果具有可行性、先进性和实用性,为研究和制造快速晶闸管开辟了一条新工艺途径。本文阐述了工艺设计原理、掺杂机制、杂质浓度分布和试用结果。
刘秀喜薛成山孙瑛王显明赵玉仁陈刚刘瑞兰
关键词:快速晶闸管P型
一种氧化铁版的制备方法
一种氧化铁版的制备方法,该方法采用聚乙烯二茂铁取代已有技术中的五羰基铁。聚乙烯二茂铁是起掩膜材料和感光胶双重作用,用于电子束制版时使掩膜制造和光刻图形一步完成,简化了工艺,降低了成本,提高了掩膜质量,解决了已有技术中五羰...
刘瑞兰于全训杜长英李来仲
文献传递
共1页<1>
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