叶家聪
- 作品数：5 被引量：8H指数：1
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- 相关领域：理学环境科学与工程一般工业技术更多>>
- 高方阻AZO透明导电薄膜的制备和光电特性
- 2008年
- 采用磁控溅射法,在Si和玻璃基片上制备了AZO(ZnO∶Al)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、紫外/可见光分光光度计、荧光光谱仪和四极探针等仪器,研究了Al质量分数对薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明,AZO薄膜为纤锌矿结构且呈c轴择优取向,随着Al质量分数的增加,(002)衍射峰强度逐渐减弱;在掺Al质量分数小于4%时,薄膜在可见光范围内的平均透射率大于80%,方块电阻最小值达到514Ω/□,热稳定性小于20%;在室温下,观察到近带边发光峰和绿光发光带。
- 叶家聪李清华贾芳朱德亮曹培江吕有明马晓翠
- 关键词：AZO薄膜光电特性
- 高方阻AZO透明导电薄膜的制备和光电特性
- 采用磁控溅射法,在Si和玻璃基片上制备了AZO(ZnO:Al)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、紫外/可见光分光光度计、荧光光谱仪和四极探针等仪器,研究了Al质量分数对薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明,AZO薄...
- 叶家聪李清华贾芳朱德亮曹培江吕有明马晓翠
- 关键词：AZO薄膜光电特性
- 文献传递
- 一种磁控溅射掺杂ZnO基薄膜的制备方法
- 本发明提供了一种磁控溅射掺杂生长ZnO基薄膜的制备方法，包括步骤：将衬底放置在磁控溅射装置的反应室内，反应室抽真空至压力低于1×10<Sup>-4</Sup>Pa；分别将ZnO靶材和掺杂源元素靶材放置在反应室转盘上的射频...
- 马晓翠吕有明柳文军曹培江朱德亮贾芳黄保李清华盛国浩叶家聪向恢复
- 文献传递
- 射频溅射功率对AZO薄膜结构及光电特性和热稳定性的影响被引量：8
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备了ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜。用X射线衍射(XRD)仪、紫外-可见分光光度计、方块电阻测试仪和台阶仪对不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜的结晶、光学、电学性能、沉积速率以及热稳定性进行了研究。研究结果表明:不同溅射功率下沉积的AZO薄膜具有六角纤锌矿结构,均呈c轴择优取向;(002)衍射峰强和薄膜的结晶度随溅射功率的提高逐渐增强;随溅射功率的提高,AZO薄膜的透射率有所下降,但在可见光(380～780nm)范围内平均透射率仍>80%;薄膜的方块电阻随溅射功率的增加逐渐减小;功率为160～200W时,薄膜的热稳定性最好,升温前后方块电阻变化率为13%。
- 马晓翠叶家聪曹培江柳文军贾芳朱德亮吕有明
- 关键词：磁控溅射AZO薄膜射频功率热稳定性
- AZO透明导电薄膜的制备和光电特性研究
- 叶家聪
- 关键词：AZO薄膜电学性质
