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吕壵
吕壵
作品数:
4
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
电气工程
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合作作者
万里兮
中国科学院微电子研究所
王惠娟
中国科学院微电子研究所
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反应离子刻蚀
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PN结
机构
4篇
中国科学院微...
作者
4篇
吕壵
4篇
王惠娟
4篇
万里兮
年份
1篇
2013
1篇
2012
2篇
2011
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制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法
本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法,通过一系列理论的论证和假设,将原来半导体PN结电容器加以改进,使改进后的电容具有结构简单,电容密度大,寄生参数小,制作工艺简单等特点,特别是可实现串联电感大...
万里兮
吕壵
王惠娟
一种三维硅基电容器的制作方法
本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法,包括:利用成熟的深度反应离子刻蚀、淀积、键合等微电子加工工艺,通过对单层硅基电容芯片刻蚀,形成大的深宽比通孔,并淀积铜,制作金凸点,并...
王惠娟
万里兮
吕壵
制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法
本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法,通过一系列理论的论证和假设,将原来半导体PN结电容器加以改进,使改进后的电容具有结构简单,电容密度大,寄生参数小,制作工艺简单等特点,特别是可实现串联电感大...
万里兮
吕壵
王惠娟
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一种三维硅基电容器的制作方法
本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法,包括:利用成熟的深度反应离子刻蚀、淀积、键合等微电子加工工艺,通过对单层硅基电容芯片刻蚀,形成大的深宽比通孔,并淀积铜,制作金凸点,并...
王惠娟
万里兮
吕壵
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