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吴金雄

作品数:15 被引量:4H指数:1
供职机构:南开大学更多>>
发文基金:天津市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学化学工程医药卫生环境科学与工程更多>>

文献类型

  • 13篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 10篇SUB
  • 5篇半导体
  • 4篇有机模板剂
  • 4篇无氟
  • 4篇磷源
  • 4篇模板剂
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶薄膜
  • 3篇导体
  • 3篇结晶度
  • 3篇高结晶度
  • 3篇半导体薄膜
  • 2篇水热
  • 2篇水热合成
  • 2篇水热合成法
  • 2篇热合成
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子学
  • 2篇化学气相
  • 2篇合成法

机构

  • 15篇南开大学
  • 1篇学研究院

作者

  • 15篇吴金雄
  • 7篇李牛
  • 4篇项寿鹤
  • 3篇王兵
  • 2篇张磊
  • 1篇丁月
  • 1篇赵慧茹
  • 1篇史淑美

传媒

  • 1篇Chines...
  • 1篇石油化工

年份

  • 6篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 3篇2012
  • 1篇2011
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种化学气相沉积制备二维Bi<Sub>3</Sub>O<Sub>2.5</Sub>Se<Sub>2</Sub>半导体薄膜的方法
本发明公开了一种化学气相沉积制备二维Bi<Sub>3</Sub>O<Sub>2.5</Sub>Se<Sub>2</Sub>半导体薄膜的方法,属于二维半导体材料领域。包括如下步骤:采用Se源(单质Se粉末),不同种类Bi源...
吴金雄王兵何育彧
一种基于CVD和ALD配合使用制备磁性隧道结器件的方法和应用
本发明公开了一种基于CVD和ALD配合使用制备磁性隧道结器件的方法和应用。本发明首次利用CVD和ALD配合使用制备磁性隧道结器件,其操作简单,隧穿层厚度可控性强,器件空气稳定性好。首先用CVD法生长高质量的底部二维铁磁材...
罗锋高战胜吴金雄
一种超平整Pd、Cu、Au二维单晶金属薄膜及其制备方法
本发明公开了一种超平整Pd、Cu、Au二维单晶金属薄膜及其制备方法,属于二维金属材料领域。该Pd、Cu、Au二维单晶薄膜的制备方法是以金属氯化物粉末为原料,混合Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉末,...
吴金雄张磊
一种晶种导向无氟合成AlPO<Sub>4</Sub>-34的方法
一种晶种导向无氟合成AlPO<Sub>4</Sub>‑34的方法,其特点在于将研磨后的相关分子筛晶体作为晶种加入铝源、磷源、有机模板剂、和水按照摩尔配比Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>∶P<Sub>...
李牛许雅群吴金雄
Charge compensation dominates the distribution of silica in SAPO-34被引量:3
2016年
The distribution of Si atoms in the SAPO-34 framework determines its acidity and catalytic effects.This was investigated using the charge balance between the inorganic framework and trapped template ions.Three types of templates,which yielded R~+,2R~+ and 2R^(2+) positive charges in the cages of SAPO-34,were obtained from single crystal data and they were used to direct the synthesis of SAPO-34 with different Si contents and formation of isolated Si atoms and Si islands in the lattice.The concentration limits of SiO2 in the gel for constituting isolated Si atoms were calculated and verified experimentally.Si islands,including 5-Si,8-Si,11-Si,14-Si island were described on the basis of host-guest charge compensation.An overall view of the distribution of Si atoms in SAPO-34 was given and a criterion for the strength and density of acid sites in SAPO-34 for it to be an efficient catalyst for MTO was made available.
赵慧茹史淑美吴金雄丁月李牛
关键词:SAPO-34SYNTHESIS
一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法
本发明公开了一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法。该Bi<Sub>2</Sub>WO<Sub>6</Sub>半导体单晶纳米薄膜的CVD制备方法,包括如下步骤:以WCl<Sub>6</Sub>粉末和Bi...
吴金雄王兵何育彧
低硅体系下SAPO-34分子筛的合成被引量:1
2012年
以三乙胺和吗啉为模板剂,考察了硅含量和晶化温度对合成SAPO-34分子筛的影响,研究了低硅条件下SAPO-34分子筛的晶化规律。在n(SiO2)∶n(Al2O3)=0.1的低硅体系中合成出了高结晶度的SAPO-34分子筛,发现将晶化温度从200℃降至170℃更有利于低硅条件下SAPO-34分子筛的合成。根据合成结果初步认为,低硅条件下SAPO-34分子筛的合成可能符合低温成核、高温生长机理,并用分段晶化实验加以证实。实验结果表明,在低硅体系下,先在170℃晶化一段时间再在200℃晶化一段时间(总晶化时间48 h),不仅可获得高结晶度SAPO-34分子筛,且能缩短晶化时间;若将分段晶化温度顺序调换,即先在200℃晶化再在170℃晶化,则无法获得纯相SAPO-34分子筛,说明先低温后高温的分段晶化更有利于低硅体系下纯相SAPO-34分子筛的合成。
吴金雄李牛项寿鹤
关键词:SAPO-34分子筛甲醇制烯烃催化剂
一种原位制备Cr<Sub>1-x</Sub>Te晶态-非晶异质结的方法
本发明公开了一种原位制备Cr<Sub>1‑x</Sub>Te晶态‑非晶异质结的方法,属于二维铁磁‑非磁材料领域。该新型Cr<Sub>1‑x</Sub>Te晶态‑非晶异质结的制备方法是以Te块和CrCl<Sub>3</Su...
罗锋徐凌云吴金雄高战胜
水热法无氟合成AlPO<Sub>4</Sub>-34
本发明主要介绍在不加氢氟酸条件下,以常见有机胺吗啡啉(C<Sub>4</Sub>H<Sub>9</Sub>NO)为模板剂,采用传统的水热合成法,在合适的原料配比,适当的处理条件下,合成出高结晶度、大晶粒无氟AlPO<Su...
李牛吴金雄项寿鹤
文献传递
一种基于溶液辅助旋涂法的超薄原子级平整Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法
本发明公开了一种基于溶液辅助旋涂法的超薄原子级平整Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法,属于半导体薄膜材料领域。该Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法是以G...
罗锋徐凌云吴金雄
共2页<12>
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