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文献类型

  • 27篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 11篇发光
  • 9篇外延片
  • 8篇二极管
  • 8篇发光二极管
  • 6篇多量子阱
  • 5篇光刻
  • 4篇掩模
  • 4篇照明
  • 4篇照明系统
  • 4篇投影式
  • 4篇金属有机化学...
  • 4篇刻蚀
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇管芯
  • 4篇光层
  • 4篇LED外延片
  • 3篇电极
  • 3篇缓冲层
  • 3篇光提取效率

机构

  • 27篇中国科学院

作者

  • 27篇孔庆峰
  • 21篇李晋闽
  • 21篇王军喜
  • 13篇伊晓燕
  • 12篇王国宏
  • 12篇刘志强
  • 9篇卢鹏志
  • 8篇李璟
  • 8篇马平
  • 8篇魏同波
  • 7篇杨华
  • 6篇纪攀峰
  • 6篇王兵
  • 6篇王莉
  • 5篇曾一平
  • 5篇薛斌
  • 5篇刘立莉
  • 5篇郭金霞
  • 4篇刘娜
  • 4篇王文军

年份

  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 8篇2014
  • 6篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法
一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法,包括:在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO<Sub>2</Sub>层并制作图形;在图形上制作一单层微纳米球,形成基片;将基片加热,使得微纳米球坍...
刘娜孙雪娇孔庆峰梁萌王莉魏同波刘志强伊晓燕王军喜李晋闽
在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法
本发明提供了一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法,包括下列步骤:在SiC衬底上生长LED外延片;制备出P面具有反射金属膜的外延片,与新的衬底键合,形成倒装结构的LED外延片;采用机械研磨工艺将SiC衬...
孔庆峰马平纪攀峰卢鹏志杨华刘志强伊晓燕王军喜王国宏曾一平李晋闽
一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法
本发明公开了一种测量氮化物LED内量子效率的方法,包括如下步骤:制作多个氮化物LED测试样品,使之自下至上依次为衬底、n型层、有源区、p型层和ITO层;从各测试样品表面到n型层刻蚀出一个台面,在该台面上蒸镀上n电极,在I...
魏学成赵丽霞王莉孔庆峰卢鹏志王军喜曾一平李晋闽
文献传递
具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法
一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法,包括:采用金属有机化学气相沉积的方法,在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层,形成GaN外延片;将GaN...
李璟王国宏魏同波张杨孔庆峰
LED平板显示单元的制备方法
一种LED平板显示单元的制备方法,包含如下步骤:步骤1:取一基板,在基板上制作电路和金属凸点;步骤2:采用倒装工艺,将多个LED芯片制作在基板上,缩小LED芯片之间的间距;该LED芯片与基板上的电路通过金属凸点实现电连接...
薛斌杨华卢鹏志于飞孔庆峰裴艳荣刘立莉王晓桐王琳琳伊晓燕王军喜李晋闽
文献传递
MOCVD设备的石墨托盘
本发明公开了一种用于MOCVD设备的托盘,包括盘体(10)和覆盖于盘体的该上表面的托盖(20),盘体(10)呈一扁圆柱形,其上表面为平整面。盘体可由石墨材料形成,上表面覆盖有一层碳化硅保护层托盖的上表面设置有凹槽,所述凹...
纪攀峰孔庆峰王文军胡强马平曾一平王军喜李晋闽
文献传递
在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法
本发明提供了一种在第一次光刻工艺中方形晶圆对准的方法。该方法包括:步骤A,在对方形晶圆进行第一次曝光的掩模板上掩模图形的外围,制备对准标记;步骤B,在第一次曝光工艺中,利用掩模板上的对准标记,将方形晶圆限定在预设区域内,...
孔庆峰郭金霞马平王丽刘志强伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
文献传递
一种投影式照明系统
本发明公开了一种投影式照明系统,其包括:投影系统,用于提供投影式照明系统的投射光线。控制系统,用于控制各个系统之间的互联通信,反射系统,用于将投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光线。本发明提出的上述方案利用投影...
杨华刘立莉卢鹏志薛斌孔庆峰王兵李璟王军喜李晋闽
文献传递
一种光斑可调的室内投影式照明系统
本发明公开了一种光斑可调的室内投影式照明系统,包括:多路投影系统,用于提供室内投影式照明系统的投射光线;控制系统,用于控制各个系统之间的互联通信;多路反射系统,用于将所述多路投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光...
刘立莉杨华卢鹏志薛斌孔庆峰王兵李璟王军喜李晋闽
文献传递
采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法
本发明提供了一种采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法。该发光二极包括:衬底;依次沉积于衬底上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层,其中,该发光二极管一侧的p型GaN层、p型AlGaN层...
王兵伊晓燕孔庆峰刘志强王军喜王国宏李晋闽
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