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孔庆峰
孔庆峰
作品数:
27
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供职机构:
中国科学院半导体研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王军喜
中国科学院半导体研究所
李晋闽
中国科学院半导体研究所
伊晓燕
中国科学院半导体研究所
刘志强
中国科学院半导体研究所
王国宏
中国科学院半导体研究所
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中文专利
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电子电信
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发光
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发光二极管
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投影式
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4篇
刻蚀
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光层
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3篇
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机构
27篇
中国科学院
作者
27篇
孔庆峰
21篇
李晋闽
21篇
王军喜
13篇
伊晓燕
12篇
王国宏
12篇
刘志强
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卢鹏志
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李璟
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马平
8篇
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杨华
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曾一平
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刘娜
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2012
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2011
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抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法
一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法,包括:在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO<Sub>2</Sub>层并制作图形;在图形上制作一单层微纳米球,形成基片;将基片加热,使得微纳米球坍...
刘娜
孙雪娇
孔庆峰
梁萌
王莉
魏同波
刘志强
伊晓燕
王军喜
李晋闽
在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法
本发明提供了一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法,包括下列步骤:在SiC衬底上生长LED外延片;制备出P面具有反射金属膜的外延片,与新的衬底键合,形成倒装结构的LED外延片;采用机械研磨工艺将SiC衬...
孔庆峰
马平
纪攀峰
卢鹏志
杨华
刘志强
伊晓燕
王军喜
王国宏
曾一平
李晋闽
一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法
本发明公开了一种测量氮化物LED内量子效率的方法,包括如下步骤:制作多个氮化物LED测试样品,使之自下至上依次为衬底、n型层、有源区、p型层和ITO层;从各测试样品表面到n型层刻蚀出一个台面,在该台面上蒸镀上n电极,在I...
魏学成
赵丽霞
王莉
孔庆峰
卢鹏志
王军喜
曾一平
李晋闽
文献传递
具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法
一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法,包括:采用金属有机化学气相沉积的方法,在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层,形成GaN外延片;将GaN...
李璟
王国宏
魏同波
张杨
孔庆峰
LED平板显示单元的制备方法
一种LED平板显示单元的制备方法,包含如下步骤:步骤1:取一基板,在基板上制作电路和金属凸点;步骤2:采用倒装工艺,将多个LED芯片制作在基板上,缩小LED芯片之间的间距;该LED芯片与基板上的电路通过金属凸点实现电连接...
薛斌
杨华
卢鹏志
于飞
孔庆峰
裴艳荣
刘立莉
王晓桐
王琳琳
伊晓燕
王军喜
李晋闽
文献传递
MOCVD设备的石墨托盘
本发明公开了一种用于MOCVD设备的托盘,包括盘体(10)和覆盖于盘体的该上表面的托盖(20),盘体(10)呈一扁圆柱形,其上表面为平整面。盘体可由石墨材料形成,上表面覆盖有一层碳化硅保护层托盖的上表面设置有凹槽,所述凹...
纪攀峰
孔庆峰
王文军
胡强
马平
曾一平
王军喜
李晋闽
文献传递
在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法
本发明提供了一种在第一次光刻工艺中方形晶圆对准的方法。该方法包括:步骤A,在对方形晶圆进行第一次曝光的掩模板上掩模图形的外围,制备对准标记;步骤B,在第一次曝光工艺中,利用掩模板上的对准标记,将方形晶圆限定在预设区域内,...
孔庆峰
郭金霞
马平
王丽
刘志强
伊晓燕
王军喜
王国宏
李晋闽
文献传递
一种投影式照明系统
本发明公开了一种投影式照明系统,其包括:投影系统,用于提供投影式照明系统的投射光线。控制系统,用于控制各个系统之间的互联通信,反射系统,用于将投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光线。本发明提出的上述方案利用投影...
杨华
刘立莉
卢鹏志
薛斌
孔庆峰
王兵
李璟
王军喜
李晋闽
文献传递
一种光斑可调的室内投影式照明系统
本发明公开了一种光斑可调的室内投影式照明系统,包括:多路投影系统,用于提供室内投影式照明系统的投射光线;控制系统,用于控制各个系统之间的互联通信;多路反射系统,用于将所述多路投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光...
刘立莉
杨华
卢鹏志
薛斌
孔庆峰
王兵
李璟
王军喜
李晋闽
文献传递
采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法
本发明提供了一种采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法。该发光二极包括:衬底;依次沉积于衬底上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层,其中,该发光二极管一侧的p型GaN层、p型AlGaN层...
王兵
伊晓燕
孔庆峰
刘志强
王军喜
王国宏
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