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宋健

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：南京理工大学理学院应用物理系更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子结构
  • 1篇子结构
  • 1篇稳定性
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函研究
  • 1篇泛函
  • 1篇SI
  • 1篇硅

机构

  • 1篇南京理工大学

作者

  • 1篇吴海平
  • 1篇肖传云
  • 1篇陆瑞锋
  • 1篇李锋
  • 1篇宋健
  • 1篇邓开明
  • 1篇阚二军

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
单层硅Si_6H_4Ph_2的稳定性和电子结构密度泛函研究
2012年
采用密度泛函计算方法,研究了二维单层硅Si6H4Ph2的稳定性及其电子结构.通过对纯硅纳米片Si6、加氢钝化的硅纳米片Si6H6以及添加苯基钝化的硅纳米片Si6H4Ph2对比研究,揭示了Si6H4Ph2的稳定性机理.通过电子结构研究,发现Si6H4Ph2与Si6H6类似,显示间接带隙半导体性质.
宋健李锋邓开明肖传云阚二军陆瑞锋吴海平
关键词：稳定性电子结构密度泛函
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共1页<1>
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