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张景阳

作品数:3 被引量:39H指数:3
供职机构:天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系更多>>
发文基金:天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇导电高分子
  • 2篇导电聚吡咯
  • 2篇电解电容器
  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇吡咯
  • 2篇铝电解
  • 2篇铝电解电容
  • 2篇铝电解电容器
  • 2篇聚吡咯
  • 2篇分子
  • 2篇高分子
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电极
  • 1篇对电极
  • 1篇多孔硅
  • 1篇性能指标
  • 1篇应力
  • 1篇微裂纹

机构

  • 3篇天津大学

作者

  • 3篇胡明
  • 3篇张景阳
  • 2篇张之圣
  • 2篇刘志刚
  • 1篇王兴
  • 1篇阎实
  • 1篇田斌

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇天津大学学报

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇2000
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
新型铝电解电容器中导电聚吡咯对电极的形成被引量:14
2000年
研究了在铝电解电容器介质表面形成导电聚吡咯膜作为电容器对电极的方法 .导电聚吡咯的沉积分为两个步骤 ,首先用化学聚合方法在介质膜上形成一薄层导电聚吡咯 ,在此基础上再进行电化学聚合 .实验分析了聚合条件对聚吡咯电导率的影响 .制备出电导率为10 S/
胡明张景阳郝嘉林刘志刚
关键词:导电高分子聚吡咯铝电解电容器电极电导率
化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究被引量:15
2004年
 应用各种表面形貌分析方法如SEM、TEM、AFM等,通过对用化学刻蚀法形成的多孔硅进行表面形貌分析,发现由于横向腐蚀比较严重而使多孔硅层在达到一定深度后就会自动脱落。腐蚀中由于大量H2的析出,对硅晶体产生巨大的应力,这些应力使硅在比较脆弱的晶粒边界或缺陷处产生微裂纹,多孔硅就从这些地方开始和生长。
胡明田斌王兴张景阳张之圣
关键词:多孔硅表面形貌应力微裂纹
导电高分子固体铝电解电容器的研究被引量:12
2002年
研制了一种被称为导电高分子固体铝电解电容器的新型电子元件.由于用化学聚合方法在电容器介质膜Al2O3表面形成导电聚吡咯(Polypyrrole)膜,作为电容器的阴极而取代传统的工作电解液阴极,因此新型电容器具有可靠性高,高频低阻抗,易于片式化等优点.研制的电容器的性能指标为:额定工作电压DC 6.3~16 V, 电容量范围2.2~33 ?F,损耗角正切tg?≤0.06(120 Hz,+20℃),漏电流IL≤0.04 CV (或3 ?A取大值),并具有良好的温度特性和频率阻抗特性.
胡明阎实张之圣刘志刚张景阳
关键词:功能高分子固体铝电解电容器导电聚吡咯性能指标
共1页<1>
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