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张秀荣

作品数:6 被引量:11H指数:2
供职机构:北京师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市科技新星计划更多>>
相关领域:电子电信文化科学核科学技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 3篇探测器
  • 2篇弱光探测
  • 2篇锁相放大
  • 2篇区熔
  • 2篇晶体管
  • 2篇光晶体管
  • 2篇光探测
  • 2篇波长
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇新课程改革
  • 1篇增益
  • 1篇阵列探测器
  • 1篇少子寿命
  • 1篇师专
  • 1篇死区
  • 1篇区熔单晶硅
  • 1篇组长

机构

  • 6篇北京师范大学
  • 1篇中国航天

作者

  • 6篇张秀荣
  • 4篇韩德俊
  • 3篇盛丽艳
  • 2篇田晓娜
  • 2篇张海君
  • 1篇张录
  • 1篇王传敏
  • 1篇宁宝俊
  • 1篇孙彩明
  • 1篇杜树成
  • 1篇杨茹
  • 1篇张保州
  • 1篇闫凤章
  • 1篇谢凡

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇光子学报
  • 1篇北京师范大学...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2004
  • 1篇2003
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
掩埋双p-n结波长探测器的应用研究
与光强测量相比,色度的测量更为复杂和困难.掩埋双p-n结BDJ(Buried Double p-n Junction)波长探测器是一种色敏器件,由上下层叠的两个p-n结构成.在可见光及近红外范围内,两个p-n结的光电流比...
张秀荣
关键词:弱光探测低噪声锁相放大
文献传递
掩埋双p-n结波长探测器的弱光探测被引量:1
2004年
为提高掩埋双p n结 (BDJ)波长探测器对弱光探测的信噪比 ,不采用其一般的光电导工作模式 ,而应用它的光伏工作模式 ,并借助锁相放大技术 ,测量上下 2个p n结的光生电压 ,不仅得到了光生电流比与波长的关系曲线 ,而且抑制了大量噪声 。
张秀荣盛丽艳韩德俊张保州
关键词:锁相放大弱光探测
带保护环结构的条形X光阵列探测器被引量:7
2003年
研究了带有保护环结构的条形 X光阵列探测器 ,结果表明 ,保护环的存在不仅降低了表面漏电 ,而且抑制了耗尽区的侧向扩展 .厚度为 30 0 μm的探测器样品 ,切割后的“死区”长度为 15 0 μm;环境温度为 18℃时 ,70 V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为 2 0 n A.
盛丽艳韩德俊张秀荣田晓娜王传敏杜树成谢凡王光甫
关键词:死区漏电流保护环
普通中学教研组长素质研究
随着新课程改革的推行和教师专业发展的凸显,教研组的地位也逐渐提高,并发挥着不可替代的作用。而教研组长作为教研组的领导者,他们的素质是教研组功能发挥的关键。因此,本研究旨在探究教研组长充分发挥教研组功能应具备的素质,并构建...
张秀荣
关键词:教研组新课程改革教师专业发展教师心理学
文献传递
高纯区熔单晶硅高增益光晶体管的研究被引量:2
2004年
区熔单晶硅与直拉单晶硅以及其他半导体材料相比杂质含量少 ,少子寿命长 ,所以以区熔单晶硅为衬底制作的光晶体管在弱的光信号下仍然有高的增益 ,适宜于弱光探测 报道了以区熔单晶硅为衬底的光晶体管的实验结果 为了保持区熔高纯单晶硅内的少子寿命 ,背面淀积了一层掺磷多晶硅作为外吸杂层 已经测量得到对于实验中发射极直径为 2mm的光晶体管在波长为0 .83μm的入射光照射下 ,光功率低至 0 .16nW时 ,光晶体管的增益仍然高达 4 40
田晓娜张秀荣张海君韩德俊G.Batignani
关键词:区熔单晶硅光晶体管增益少子寿命
高灵敏高线性度区熔硅光晶体管的研究
2006年
报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.15nW入射光功率条件下,器件的响应度为38A/W;工作在发射结-集电结接近穿通状态时线性度最好,在0.15~1500 nW光功率(4个数量级)范围内,线性因子为0.9954,接近于Hamamatsu S1227-1010BQ光电二极管在同一光功率区间内的线性因子(0.9982).另外,这种光晶体管的增益在130左右且增益的起伏在1%以内时,偏压的变化允许在2.5%以内(40V±1V),温度的变化可允许±2℃.其增益对偏压及温度的稳定性优于线性模式下具有相近增益的雪崩光电二极管.
韩德俊孙彩明盛丽艳张秀荣张海君闫凤章杨茹张录宁宝俊
关键词:光晶体管线性度
共1页<1>
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