朱北沂
- 作品数：17 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程机械工程更多>>
- 一种原位测量装置
- 本发明公开了一种原位测量装置。根据本发明实施例的原位测量装置，用于离子液体调控中待调控样品的测量，包括电压提供模块，用于向待调控样品提供栅极电压；电流提供模块，用于向待调控样品提供电流；温度调节模块，用于待调控样品温度的...
- 张旭徐娟陈其宏朱北沂袁洁金魁
- 组合薄膜技术在超导体研究中的应用
- 材料高通量制备与表征技术被列为材料基因组计划的三大技术要素之一。通过一系列高通量合成和表征技术，可以系统获得的大量基础数据将极大的完善材料相图，为材料计算模拟和数据库共享乃至新材料设计的重要试验基础。
- 袁洁于和善冯中沛何格朱北沂金魁
- 关键词：高通量技术铜氧化物超导体铁基超导体
- 一种晶体管器件及其制造方法
- 本发明提供一种叠层钙钛矿结构氧化物p-i-n结和一种叠层钙钛矿结构氧化物双极型晶体管及其制造方法，该晶体管包括：氧化物单晶衬底；在衬底上形成的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层的至少一部...
- 赵柏儒付跃举袁洁许波朱北沂李俊杰金爱子曹立新邱祥冈
- 铜氧化物高温超导体和相关氧化物多层集成、界面输运和应用
- 赵柏儒夏丰金付跃举许波朱北沂李俊杰曹立新邱祥冈
- 高质量FeSe单晶薄膜的制备及相关性能表征被引量：1
- 2018年
- 在铁基超导体中,FeSe具有最简单的晶体结构和化学组成,而且其超导转变温度具有较大的调控空间,因此适合作为超导机理研究和应用的载体.高质量样品的研制是物性研究和器件应用的前提,本文系统地研究了利用激光脉冲沉积技术制备FeSe薄膜的工艺条件,在多种衬底上成功地制备出高质量的β-FeSe薄膜,并首次实现了超导临界转变温度从小于2 K到14 K的连续调控,这为FeSe超导机理研究提供了样品支持.为探究FeSe薄膜超导电性变化的起因,从β-FeSe超导电性与晶格常数c正相关出发,基于简单的费米面填充假设,第一性原理计算可以很好地解释晶格常数c的变化规律,但该假设并不能完全符合角分辨光电子能谱实验给出的电子结构演变过程.因此β-FeSe薄膜的超导电性、晶格结构和电子结构三者之间的关系还有待澄清,该问题的解决将为FeSe超导机理研究提供重要的线索,而上述系列高质量的β-FeSe薄膜样品恰好能为该问题的研究提供理想的载体.本文根据实验和已有的相关研究结果,详细介绍了FeSe薄膜的脉冲激光沉积制备及其优化,以期为后续的薄膜研究应用提供参考.
- 杨桦冯中沛林泽丰胡卫胡卫朱北沂袁洁朱北沂
- 关键词：超导脉冲激光沉积
- La0.67Sr0.33Mn03/Ba0.05Sr0.95TiO3多层膜的制备及性能研究
- 李娜夏丰金付跃举王旭王佳朱北沂李春光赵柏儒何豫生
- 关键词：BST薄膜PLD损耗角正切
- 一种晶体管器件及其制造方法
- 本发明提供一种叠层钙钛矿结构氧化物p-i-n结和一种叠层钙钛矿结构氧化物双极型晶体管及其制造方法，该晶体管包括：氧化物单晶衬底；在衬底上形成的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层的至少一部...
- 赵柏儒付跃举袁洁许波朱北沂李俊杰金爱子曹立新邱祥冈
- 文献传递
- Bi1-xLaxFeO3±δ薄膜的快速制备及铁电性被引量：5
- 2016年
- 样品的制备是对影响样品质量的各个工艺参数进行优化的过程.传统的试错法是对各个参数逐个进行尝试,需要的周期较长.与传统的单参数尝试法相比,高通量样品制备方法可以对参数实现并行筛选,因而极大地缩短了优化工艺所需的时间.本工作借助高通量制备方法成功实现系列镧掺杂BiFeO_3薄膜的快速优化,包括对烧结温度、镧元素含量和高温固态反应气氛等关键工艺参数的快速筛选,同时分析了不同生长条件下样品的结构并测试了其铁电性.实验结果表明:1)560℃烧结可得到单相薄膜;2)测量不同La含量样品的铁电性,发现当E=75 kV/cm时,La=15%的样品剩余极化值(2Pr)最大,约为26.7μC/cm^2;3)在纯氧气氛下烧结有助于得到结晶性更好的单相Bi_(0.75)La_(0.25)FeO_(3±δ)薄膜,并且能够提高薄膜的铁电性.
- 石玉君张旭秦雷金魁袁洁朱北沂竺云
- 关键词：溶胶凝胶法铁电性
- 薄膜沉积设备及薄膜沉积方法
- 本发明公开了一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法。该薄膜沉积设备包括一薄膜沉积腔，该薄膜沉积腔包括：腔体外壳，腔体外壳围成薄膜沉积腔的腔体；靶材托架，设置于腔体的中部，用于放置由组分A构成的靶材；基片台，设置于腔体中部，与靶材...
- 许波曹立新范慧朱北沂
- 文献传递
- 薄膜沉积腔及应用该薄膜沉积腔的薄膜沉积设备
- 本实用新型公开了一种薄膜沉积腔及应用该薄膜沉积腔的薄膜沉积设备。该薄膜沉积设备包括一薄膜沉积腔，该薄膜沉积腔包括：腔体外壳，腔体外壳围成薄膜沉积腔的腔体；靶材托架，设置于腔体的中部，用于放置由组分A构成的靶材；基片台，设...
- 许波曹立新范慧朱北沂
- 文献传递
