朱金广
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：内蒙古自治区自然科学基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 三元混晶双势垒结构中光学声子辅助共振隧穿及压力效应
- 2012年
- 采用连续介电模型,细致探讨了AlxGa1-xAs/GaAs双势垒结构中界面声子的色散关系及其与电子的耦合作用.进而采用Fermi黄金法则,在该结构的垒或阱为三元混晶材料时,分别计算了声子辅助隧穿电流密度.结果表明,在宽阱情形下,若垒为混晶材料,混晶效应不明显,只有一个明显的声子峰,该结论与实验符合较好;若阱为混晶材料,则混晶效应明显,具有两个声子峰,该结论对实验有指导意义.本文还讨论了压力对声子辅助共振隧穿的影响,结果显示:声子辅助隧穿峰和共振峰的峰值均随压力增加而减小,但声子辅助隧穿效应则随压力增加.
- 朱金广班士良
- 多层半导体材料中光学声子的辅助共振隧穿
- 本文在连续介电模型下，利用转移矩阵法细致探讨了三元混晶多层半导体材料中各种光学声子的色散关系及其与电子相互作用的哈密顿量。进而，用Fermi黄金法计算了声子的发射概率，探讨了光学声子对共振隧穿的辅助作用。
一、细致...
- 朱金广
- 关键词：三元混晶共振隧穿
- 三元混晶双势垒结构中光学声子辅助共振隧穿及压力效应
- 朱金广班士良
- 关键词：三元混晶电子-声子相互作用
