汪锁发
- 作品数：9 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- TiSi_2 Polycide LDD MOS工艺研究被引量：1
- 1994年
- 本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，经优化后可控制Ｗ为０．３０～０．３２μｍ；在Ａｌ与Ｓｉ之间引入一层ＴｉＮ／Ｔｉ复合层作为Ａｌ－Ｓｉ间的扩散势垒层，获得了良好的热稳定性．上述工艺技术已成功地应用于０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＥ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，其平均缴延迟为３１０Ｐｓ（０．２９ｍＷ／级），工作电压５伏．
- 徐秋霞龚义元张建欣扈焕章汪锁发李卫宁
- 关键词：MOS场效应
- 自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究被引量：2
- 1994年
- 本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．
- 徐秋霞龚义元张建欣汪锁发翦进海潮和扈焕章
- 关键词：自对准MOS器件
- 光发射模块中激光器与光纤的无源耦合
- 2005年
- 对光电发射模块中激光器与光纤的无源耦合作了研究。利用成熟的100mm硅工艺研制成功了无源耦合用硅基平台,并可以批量生产。在此基础上利用倒装工艺实现了激光器与单模光纤的无源耦合, 出纤光功率达到了毫瓦级,且经过37次高低温冲击性能不变。
- 杨存永汪锁发赵知夷
- 光收发模块硅基平台微带线的模拟设计
- 本文对光电混合集成收发模块硅基平台微带线进行了模拟设计,通过建立了一个6层结构的物理模型,对两种微带线尺寸的S参数进行了研究.研究结果表明:在高频条件下(>1Gb/s),40μm线宽的微带线的反射和损耗均小于100μm线...
- 韩振宇汪锁发杨存永赵知夷魏珂吴德馨
- 关键词：光收发模块微带线激光器
- 文献传递
- 基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT被引量：5
- 2005年
- 采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs,并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理.从测试结果看,器件的热阻可大幅降到14 .9K·mm/W,直流特性明显增加,饱和电流提高33%.表明采用FC技术有效改善了器件散热,而且引入的寄生电感较小,可获得更大输出功率.如果进一步完善频率特性的优化,可以加快FC技术的AlGaN/GaN大功率HEMT器件的实用化进程.
- 陈晓娟刘新宇邵刚刘键和致经汪锁发吴德馨
- 关键词：ALGAN/GANHEMTFC热阻
- WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性被引量：1
- 1990年
- 本文用俄歇能谱、卢瑟福背散射、电流-电压和电容-电压等方法研究了射频磁控反应溅射制备的WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性。结果表明,经800℃快速热退火后,WN_x/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.79ev,理想因子为1.19。在自对准GaAs MESFET工艺中,WN_x是一种好的栅材料。
- 张利春高玉芝宁宝俊方克微汪锁发柴淑敏
- 关键词：砷化镓肖特基势垒溅射
- 硅射频微带电路S参数模拟研究被引量：3
- 2004年
- 对不同电阻率硅片射频微带电路S参数进行了模拟研究。建立了 5层结构的微带电路物理结构模型 ,对两种电阻率硅片上不同尺寸 (2× 10 - 5m到 2 0× 10 - 5m)微带线 1～ 10GHz频率范围内的S1 1 和S2 1 参数进行模拟计算。研究结果表明 :减少低电阻率硅片 (3～ 8Ω·cm)线条宽度对减小信号反射和提高传输有益 ;高电阻率硅片 (130～ 15 0Ω·cm)上细线条尺寸微带电路信号反射和提高传输特性也更好。频率越高 ,高阻硅片微带电路的高频性能更好。
- 韩振宇李树翀汪锁发赵知夷
- 关键词：硅片微带电路S参数
- 激光器匹配电路中硅基微带线的研究
- 对在硅基上制作微带线做了研究,发现金属布线和硅衬底之间的介质层对微带线的传输特性影响很大,在介质层SiO<,2>的厚度较薄(≤1μm)的情况下,硅的体电阻对微带线的传输特性影响很大,采用高阻硅可以制作传输特性良好的微带线...
- 杨存永汪锁发韩振宇赵知夷吴德馨
- 关键词：微带线电磁场分析激光器传输特性匹配电路
- 文献传递
- TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究被引量：1
- 1989年
- 本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS电容的制作中.结合电学性反的测量和TEM(横截面)在位观察,研究了TiSi_2/多晶硅复合栅结构的特性,发现当多晶硅厚度小于某一临界值时,经高温炉退火后,SiO_2/Si界面将会产生许多新的界面在,SiO_(?)层中会产生缺陷.对离于注入和热扩散掺杂的两种样品,多晶硅层厚度的这个临界值几乎是相同的.根据我们的实验和分析结果,证实了在TiSi_2薄膜的形成过程中所引入的应力是产生上述现象的基本原因.
- 陶江赵铁民张国炳王阳元汪锁发李永洪
- 关键词：TISI2多晶硅MOSFET
