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王兆阳

作品数:16 被引量:39H指数:4
供职机构:沈阳航空工业学院理学院更多>>
发文基金:辽宁省科学技术基金国家自然科学基金辽宁省教育厅高等学校科学研究项目更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 9篇ZNO薄膜
  • 5篇发光
  • 5篇PLD
  • 4篇脉冲激光
  • 4篇脉冲激光沉积
  • 3篇ZNO
  • 2篇电子衍射仪
  • 2篇衍射仪
  • 2篇荧光
  • 2篇荧光光谱
  • 2篇射线衍射
  • 2篇热氧化
  • 2篇热氧化法
  • 2篇紫外
  • 2篇光谱
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光特性
  • 2篇RHEED
  • 2篇X射线衍射

机构

  • 12篇大连理工大学
  • 6篇沈阳航空工业...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇沈阳师范大学

作者

  • 16篇王兆阳
  • 9篇胡礼中
  • 7篇王志俊
  • 7篇赵杰
  • 4篇张贺秋
  • 2篇赵宇
  • 1篇孙捷
  • 1篇孙捷
  • 1篇张国英
  • 1篇杨智
  • 1篇周永军
  • 1篇李银丽
  • 1篇梁秀萍

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇光学学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇稀有金属
  • 1篇真空与低温
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇二〇〇八全国...

年份

  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2006
  • 5篇2005
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究被引量:5
2005年
用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降。相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜。XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善。在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV。
赵杰胡礼中王兆阳李银丽王志俊张贺秋赵宇
关键词:ZNO薄膜X射线衍射光致发光
稀土对镍基高温合金性能影响的电子理论研究被引量:12
2008年
为从理论上解释稀土元素在镍基高温合金晶界区的行为本质,建立了镍基高温合金γ相大角度重位点阵晶界模型,应用Recursion方法计算了晶界偏聚稀土元素时的态密度,稀土在晶界的偏聚能以及稀土原子间的相互作用能。计算结果表明:晶界区含有稀土时,态密度双峰的高度有所降低,态密度在高能区明显上移,稀土含量越多其对晶界态密度的影响也越大;稀土原子偏聚于晶界,且主要偏聚于晶界的压缩区;稀土原子间相互排斥,因此在晶界区易形成有序相。稀土与杂质硫相互吸引,其结果是分散和固定部分杂质,改善合金高温性能。
周永军张国英王兆阳杨智
关键词:稀土晶界电子理论
PLD方法制备ZnO薄膜的表征
用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。生长过程中用反射高能电子衍射(RHEED)对薄膜进行了监测,生长结束后用台阶仪、电子撂钟和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了检测。通过测试分析。对用P...
王兆阳
关键词:脉冲激光沉积扫描电子显微镜
文献传递
脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光特性的影响被引量:6
2005年
用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。以325 nm He-Cd激光器为光源对薄膜进行了荧光光谱分析,用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的结构和形貌进行了分析。脉冲激光沉积方法的主要生长参量为氧压、激光重复频率、生长温度和激光能量。通过控制这些参量变量,研究了这些参量对ZnO薄膜发光特性的影响,得到了用于紫外发光的ZnO薄膜生长的优化条件:发现在温度为650℃左右、氧压50 Pa左右、频率5 Hz左右的范围内能得到半峰全宽较窄,强度较大的紫外发光峰。分析认为紫外峰主要是由激子辐射复合发光形成的,绿光带主要和OZn的存在密切相关,氧空位是蓝光发射的重要原因。
王兆阳胡礼中赵杰孙捷王志俊
关键词:光学材料脉冲激光沉积ZNO薄膜
基于Apache的分布式控制系统的研究与实现
王兆阳
关键词:SOCKET通信SSL协议服务器设置网络安全
热氧化法制备ZnO薄膜及其特性研究被引量:5
2005年
用热氧化金属Zn膜的方法在Si(111)衬底上制备ZnO薄膜.X射线衍射结果表明,500℃氧化的样品的结晶性能最好.随氧化温度的升高,薄膜内的应力方向在450~500℃之间发生转变,从沿c轴的张应力变为压应力.500℃氧化的样品的室温光致发光(PL)谱中,紫外峰的半高宽为94.8 meV,其强度与深能级发射强度之比高达162.氧化温度超过700℃后,样品的PL谱以深能级发射为主,对此现象产生的原因进行了讨论.
赵杰胡礼中王兆阳王志俊赵宇梁秀萍
关键词:半导体材料ZNO薄膜热氧化X射线衍射光致发光
PLD方法制备ZnO薄膜的表征
本文用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。生长过程中用反射高能电子衍射(RHEED)对薄膜进行了监测,生长结束后用台阶仪、电子探针和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了检测。通过测试分析,对...
王兆阳
关键词:氧化锌薄膜激光沉积薄膜生长
文献传递
热氧化法与PLD方法制备ZnO薄膜的特性比较被引量:3
2005年
用热氧化与脉冲激光沉积(PLD)两种方法在Si(111)上制备了ZnO薄膜。对两种方法制备的薄膜的形貌、结构和室温下的荧光光谱作了比较,并对ZnO薄膜紫外光(UV)的发射机理作了初步的分析,发现与PLD方法相比,热氧化法制备的ZnO薄膜所产生的紫外光发射强度(17816任意相对强度单位a.u.)、半高宽(10nm)和紫外光与可见光的强度比(大约200∶1),都非常优异,认为热氧化法制备的ZnO薄膜的树枝状微晶界面及其方向的随机性有利于紫外光的发射和观测,而PLD方法制备的ZnO薄膜是垂直于衬底的六角柱状结构,紫外光最强的方向在垂直于侧面的方向上。
王兆阳赵杰胡礼中王志俊张贺秋
关键词:热氧化法
RHEED在计算Al_2O_3晶面间距中的应用被引量:1
2009年
反射式高能电子衍射仪(RHEED)是一种表面分析工具,以往都是用来对晶体进行定性观察,以研究晶体的结晶状况,很少用来进行晶体结构的定量计算。在分析RHEED的工作原理的基础上,研究了Al2O3衍射条纹宽度、电子束入射方向和晶面方向之间的关系,并尝试利用RHEED来分析和计算Al2O3(0001)面上两个重要方向上的晶面间距,得到了理想的结果。由于RHEED是一种原位监测仪器,所以可对薄膜的生长进行实时原位监测。在测晶面间距等常数时,与对样品要求极高的透射电子显微镜相比,RHEED更方便。
王兆阳胡礼中
关键词:氧化铝
PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究
2006年
用PLD方法在S i(1 1 1)衬底上制备了ZnO薄膜.在薄膜的沉积过程中,用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪(RHEED)对薄膜的生长进行了原位监测.结合薄膜的X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱(PL)分析,发现达到或者超过650°C时生长的薄膜,结构和光学特性得到了显著的改善.
王兆阳胡礼中赵杰孙捷王志俊
关键词:ZNO薄膜荧光光谱
共2页<12>
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