王兴军
- 作品数：10 被引量：22H指数：3
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 分子束外延ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)超晶格光学特性
- 2003年
- 用分子束外延方法在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的 Zn Se/ Zn Sx Se1 - x(x=0 .12 )超晶格结构 ,通过 X射线衍射谱和光致发光谱 ,对其结构特性和光学特性进行了研究 .结果表明 :在 4 .4 K温度下 ,超晶格样品显示较强的蓝光发射 ,主发光峰对应于阱层 Zn Se的基态电子到重空穴基态的自由激子跃迁 ,而且其峰位相对于 Zn Se薄膜的自由激子峰有明显蓝移 .从理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子峰位移动 。
- 史向华王兴军俞根才侯晓远
- 关键词：分子束外延超晶格光学特性X射线衍射谱光致发光性质
- 近周期超晶格中的声学声子及其光散射特性被引量：5
- 1997年
- 利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系（包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格）中声学声子的喇曼散射谱．结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同，呈现出许多独特的性质．对有限周期数的超晶格，由于边界的存在，喇曼谱中除了理想超晶格中存在的折叠声学声子峰（主峰）外，还会出现一系列等间距分布的卫星峰．对耦合超晶格体系，理想超晶格中存在的主峰将出现分裂．对层厚起伏变化的超晶格，主峰呈现非对称展宽，展宽主要出现在高波数端．计算结果和实验测得的谱线作了比较，特征是一致的．利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系（包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格）中声学声子的喇曼散射谱．结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同，呈现出许多独特的性质．对有限周期数的超晶格，由于边界的存在，喇曼谱中除了理想超晶格中存在的折叠声学声子峰（主峰）外，还会出现一系列等间距分布的卫星峰．对耦合超晶格体系，理想超晶格中存在的主峰将出现分裂．对层厚起伏变化的超晶格，主峰呈现非对称展宽，展宽主要出现在高波数端．计算结果和实验?
- 刘晓晗黄大鸣王兴军张春红朱海军蒋最敏王迅
- 关键词：声学声子光散射半导体
- 孔雀羽毛颜色的来源
- 自然界产生颜色通过两种途径:色素和光学效应。光学效应有:干涉,如光学多层膜,选择性反射某种范围频率的光;衍射,如光栅,选择性反射某种频率的光;散射,如无序小颗粒中的瑞利散射。最近发现另一种光学效应,既光子晶体的光子带隙效...
- 资剑李乙洲胡新华刘晓晗王兴军
- 文献传递
- SiGe/Si多重超晶格的声学声子光散射谱
- 1997年
- ＳｉＧｅ／Ｓｉ多重超晶格的声学声子光散射谱黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＬｉｇｈｔＳｃａｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍＡｃｏｕｓｔｉｃＰｈｏｎｏｎｓｉｎＭｕｌｔｉｐｌｅＳｉＧｅ／ＳｉＳｕｐｅｒｌａｔ...
- 黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏
- 关键词：超晶格声学声子
- ZnCdSe/ZnSe量子阱中的反斯托克斯发光
- 王兴军魏彦锋盛传祥俞根才黄大鸣
- 关键词：反斯托克斯发光
- ZnCdSe/ZnSe/GaAs异质结构的激子光谱
- 王兴军
- 关键词：激子半导体材料宽禁带半导体异质结
- ZnSe薄膜的激子光谱被引量：8
- 2000年
- 采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 .
- 盛传祥王兴军俞根才黄大鸣
- 关键词：ZNSE光致发光砷化镓
- Cd1-xZnxTe合金的退火研究被引量：3
- 2001年
- 用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对 Cd1 - x Znx Te晶片中 Te沉淀的影响 .研究结果表明 ,红外透射谱只对大尺寸的 Te沉淀较为敏感 ,而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的 Te沉淀 ,两者互为补充 .在 Cd气氛下对晶片进行退火处理 ,选择合适的退火温度和退火时间 ,可以有效地消除晶片中大尺寸的 Te沉淀 ,却难以消除晶片中小尺寸的微量
- 魏彦锋方维政刘从峰杨建荣何力王福建王兴军黄大鸣
- 关键词：CDZNTE红外透射谱喇曼散射退火
- 分子束外延ZnSe/GaAs材料的拉曼散射研究被引量：6
- 2003年
- 用分子束外延 (MBE)技术 ,在GaAa( 10 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 45 μm到 1.4μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子 (Longitudinal opticalphonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的空间相关长度与晶体质量之间的关系 ,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的 ,这是由于界面失配位错引入外延层所致 ,理论分析与实验结果相吻合。
- 史向华王兴军俞根才侯晓远
- 关键词：分子束外延硒化锌相干长度薄膜生长化合物半导体
- ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱
- 1999年
- 在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下，自由激子更容易由于相互作用而形成双激子，在～１ｍＷ／ｃｍ２的激发功率密度下即可观察到明显的双激子发光．
- 魏彦锋黄大鸣王兴军俞根才诸长生王迅
- 关键词：半导体量子阱分子束外延生长
