禹金强
- 作品数：9 被引量：73H指数：5
- 供职机构：上海交通大学微纳科学技术研究院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究被引量：18
- 2002年
- 软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、较大磁致伸缩的FeSiB单层和多层薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应中频率和退火的影响进行了研究。结果表明 ,对于两种效应 ,经过退火处理的单层和多层膜均可在较低的频率下得到较高的灵敏度 。
- 茅昕辉禹金强周勇吴茂松蔡炳初
- 关键词：巨磁阻抗多层膜软磁材料
- FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应研究被引量：12
- 2001年
- 用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜 ,在 10 0kHz～ 40MHz范围内研究了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场强度Ha 施加在薄膜的长方向时 ,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加 ,在某一磁场下达到最大值 ,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。在频率为 3 2MHz时 ,在磁场强度Ha=2 40 0A/m时巨磁阻抗变化率达到最大值 13 5 0 % ;在磁场强度Ha=96 0 0A/m时 ,巨磁阻抗变化率为 - 9 2 0 %。巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关。另外 ,当磁场施加在薄膜的短方向时 ,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应 ,在频率为 3 2MHz,磁场强度Ha=96 0 0A/m时 ,巨磁阻抗变化率可达 - 12 5 0 %
- 周勇禹金强赵小林杨春生
- 关键词：巨磁阻抗效应磁控溅射法
- 溅射条件对FeSiB薄膜磁性及巨磁阻抗效应的影响被引量：5
- 2000年
- 采用射频磁控溅射法,在不同溅射条件下制备了FeSiB薄膜。研究了溅射条件对薄膜应力、磁滞回线及巨磁阻抗效应的影响。结果表明:随着溅射氩气压强的增加,薄膜内应力从压应力变为张应力,磁滞回线的形状随溅射条件的不同也发生改变。对磁各向异性的变化作了分析和讨论,而面内横向单轴磁各向异性的重要性在巨磁阻抗效应的实验中充分得到了体现。
- 禹金强周勇蔡炳初余晋岳徐东
- 关键词：磁各向异性薄膜应力巨磁阻抗效应
- 软磁薄膜高频巨磁阻抗效应的理论模型被引量：29
- 2000年
- 利用修正的Landau Lifshitz Gilbert方程 ,对横向单轴磁各向异性软磁薄膜在高频下的有效横向磁导率做了理论推导 ,从而得到了关于薄膜高频阻抗的理论表达式 ,并与其它理论结果作了比较。结果表明 ,给出的有效横向磁导率表达式与其它理论结果一致。详细讨论了小尺寸薄膜中退磁场对共振频率的影响 。
- 禹金强周勇蔡炳初赵小林
- 关键词：巨磁阻抗效应软磁薄膜
- 铁磁层/导电层/铁磁层多层膜中巨磁阻抗效应理论被引量：6
- 2001年
- 采用经典电磁理论，对铁磁层／导电层／铁磁层（Ｍ／Ｃ／Ｍ）多层膜中出现的巨磁阻抗效应进行了理论分析。对于单轴横向磁各向异性多层膜，理论计算结果表明：高频阻抗在某一外加磁场（近似等于等效各向异性场）下出现最大值，铁磁层和导电层电阻率相差较大的多层膜中将出现较强的巨磁阻抗效应。多层膜在１ＭＨｚ附近即可出现远大于单层膜的阻抗变化比。多层膜理论计算与实验结果能够较好地符合。
- 禹金强周勇蔡炳初徐东
- 关键词：巨磁阻抗效应多层膜
- 不同结构多层膜中巨磁阻抗效应的研究被引量：2
- 2001年
- 研究了封闭式和开放式ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ多层膜以及Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ多层膜中的巨磁阻抗效应。实验结果表明：多层膜的不同结构对巨磁阻抗效应影响很大。改变外加磁场，封闭式ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ多层膜中阻抗变化最大，开放式ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ多层膜次之，而Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ多层膜中阻抗几乎不变。三组多层膜中不同的阻抗特征可用多层膜的具体结构解释：在封闭式多层膜内，磁路形成密封结构，使泄漏到多层膜外面空间的磁通大大减少；在 Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ多层膜中，上下两铜层在铁磁薄膜内产生的总磁场近似为零，外加磁场的改变不能引起其阻抗发生变化。对于封闭式ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ多层膜，在１００ｋＨｚ到１ＭＨｚ时就能够出现较大的阻抗变化比值，最大阻抗变化比值出现在３ＭＨｚ。开放式ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ多层膜阻抗特性与封闭式类似，但比值只是封闭式多层膜的１／３。
- 禹金强周勇蔡炳初赵小林
- 关键词：多层膜巨磁阻抗效应
- 微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程被引量：1
- 2000年
- 观察和分析了３００μｍ×４０μｍ×４０ｎｍ的 ＮｉＦｅ磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变，特别是 Ｎｅｅｌ畴壁从正极性壁（Ｎ_＋）转变为负极性壁（Ｎ＿）的全过程．磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、钩形畴转变及Ｎｅｅｌ畴壁极性转变等不可逆因素．对畴壁极性转变的两种方式（即 Ｎ_＋→Ｎ＿直接转变及经由十字壁（Ｎ_ｃｔ）的 Ｎ_＋→Ｎ_ｃｔ→Ｎ＿间接转变）进行了分析讨论． Ｎ＿往往在元件末端新生封闭畴和正极性主畴壁的连结点成核，然后向中间扩展． Ｎ_＋→Ｎ_ｃｔ的转变是通过 Ｎ_＋ 壁的数次分裂来实现的．
- 余晋岳朱军周狄禹金强俞爱斌蔡炳初魏福林
- 关键词：反磁化磁畴
- 非晶FeSiB薄膜中的巨磁阻抗效应被引量：4
- 2000年
- 采用射频溅射法在三组不同溅射条件下制备了FeSiB薄膜。测量了溅射薄膜的磁滞回线 ,并利用HP 41 94A阻抗分析仪 ,在 1～ 40MHz频率范围内研究了样品的巨磁阻抗效应。结果表明 :溅射条件对薄膜磁性能和巨磁阻抗效应影响很大 ,其中氩气压强为 6 65Pa ,磁场感生横向单轴磁各向异性的薄膜具有较好的软磁性能和较大的阻抗变化比值。一定温度下退火能够消除部分应力 ,阻抗变化的灵敏度能提高一倍。另外 。
- 禹金强蔡炳初周勇徐东
- 关键词：巨磁阻抗效应磁各向异性射频溅射
- FeSiB非晶软磁薄膜巨磁阻抗效应的研究
- 该文系统地研究了磁致伸缩FeSiB单层膜和多层膜中的巨磁阻抗效应、薄膜应力对磁各向异性的影响、FeSiB薄膜中的磁性以及FeSiB薄膜在磁传感器和应力/应变传感器的应用前景等,并且从理论上对磁致伸缩薄膜中的巨磁阻抗效应进...
- 禹金强
- 关键词：巨磁阻抗效应磁各向异性多层膜磁致伸缩内应力
- 文献传递
