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秋沉沉

作品数:5 被引量:14H指数:2
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域:电气工程理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电池
  • 2篇添加剂
  • 2篇锂离子
  • 2篇锂离子电池
  • 2篇相变材料
  • 2篇离子
  • 2篇离子电池
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇脉冲激光沉积...
  • 2篇过充
  • 2篇过充保护
  • 2篇掺杂
  • 1篇氮掺杂
  • 1篇低功耗
  • 1篇循环性能
  • 1篇铸模
  • 1篇溴苯
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子机械

机构

  • 5篇复旦大学

作者

  • 5篇秋沉沉
  • 3篇付延鲍
  • 3篇马晓华
  • 2篇张千玉
  • 1篇周乾飞
  • 1篇吴晓京
  • 1篇张昕
  • 1篇张宇婷
  • 1篇姜冬冬

传媒

  • 1篇物理
  • 1篇化学学报
  • 1篇电源技术
  • 1篇电池

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2010
  • 2篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
4-溴苯甲醚用作锂离子电池过充保护添加剂的研究被引量:7
2009年
通过在锂离子电池电解液中添加4-溴苯甲醚(4-Bromoanisole,简称4BA)来提高锂离子电池的过充保护能力.对电池分别进行了过充实验、循环伏安扫描、红外光谱分析、交流阻抗和容量特性测试,实验结果表明,在1mol?L-1LiPF6/EC+DEC+DMC(质量比1/1/1)中添加5%的4BA(质量分数)时,当外加电压为4.4V(相对于Li/Li+)时,4BA开始发生电聚合反应且生成高分子聚合物膜,使电池内阻增大而阻止电压的升高,从而使电池处于比较安全的状态.该体系正常充放电过程中,添加5%的4BA对电池容量特性基本没有影响,4BA的防过充机理为阻断机理.
张千玉张宇婷秋沉沉付延鲍马晓华
关键词:锂离子电池过充保护添加剂
氮掺杂Sb2Te3相变材料的脉冲激光沉积法制备与性能研究被引量:1
2013年
Sb2Te3(ST)薄膜虽然具有高结晶速度和低结晶温度(~132℃)等优点,但由于复位电压过高,无法直接用于制备相变存储器件。文章作者尝试使用脉冲激光沉积法(PLD)制备了氮掺杂的Sb2Te3薄膜。用原子力显微镜(AFM)对此薄膜进行测试的结果表明,脉冲激光沉积法制备的生成态ST薄膜和氮掺杂ST薄膜表面粗糙度分别为0,12nm和0.58nm,表面较为平整。研究表明,PLD法制备的氮掺杂sT薄膜具有更好的组分稳定性,可显著提高薄膜低阻态电阻值,降低复位功耗,氮掺杂量在6at%的ST薄膜的置位电压和复位电压适中,显示出较好的综合性能。
秋沉沉张昕周乾飞吴晓京
关键词:相变材料脉冲激光沉积低功耗
二甲苯用作锂离子电池过充保护的添加剂被引量:2
2009年
二甲苯作为耐过充添加剂加入锂离子电池电解液中,实验发现,当电压为4.5V(相对于Li/Li+)时,二甲苯开始在正极发生反应,并扩散在正极与隔膜之间。生成的物质阻止了Li+的传递,从而实现了过充电保护。
张千玉秋沉沉付延鲍马晓华
关键词:锂离子电池过充保护添加剂二甲苯
三维锂离子微电池结构的研究进展被引量:4
2010年
三维锂离子微电池通过利用空间高度获得了高的面积比能量,同时保持了高的功率密度。总结了三维锂离子微电池的结构及优点,概述了碳(C)-微电子机械系统(MEMS)及硅铸膜两种制备方法。
姜冬冬秋沉沉付延鲍马晓华
锑碲基相变材料的脉冲激光沉积法制备与性能研究
锑碲基相变材料虽然具有高结晶速度和低结晶温度等优点,但由于低阻态电阻过低,容易导致复位(reset)电压过高,且热稳定性较差,无法直接用于制备相变存储器件。掺杂是解决这一问题的重要途径之一。  本研究尝试使用脉冲激光沉积...
秋沉沉
关键词:脉冲激光沉积法循环性能CU掺杂
文献传递
共1页<1>
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