胥兴才
- 作品数：17 被引量：19H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家科技攻关计划“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术一般工业技术化学工程更多>>
- LPCVD直接生长纳米硅镶嵌氮化硅复合膜及力学性能研究
- 采用LPCVD方法在石英管式炉内制备SiNx薄膜,衬底为双面抛光的P型<100>硅片,气源为SiH2Cl2和NH3,通过改变沉积温度和反应气体的质量流量比可得到不同的SiNx薄膜。对采用上述方法制备的SiNx进行背面光刻...
- 陈大鹏叶甜春谢常青李兵赵铃莉韩敬东胥兴才
- 关键词：复合膜纳米硅LPCVD氮化硅力学性能
- 文献传递
- 0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用
- 2000年
- 对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管。研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键。
- 叶甜春谢常青李兵陈大鹏陈朝晖赵玲莉胥兴才刘训春张绵赵静
- 关键词：X射线光刻PHEMTT型栅
- 碳化硅X射线光刻掩膜初步研究
- 本文报到了采用LPCVD方法制备碳化硅薄膜的初步结果,经XRD分析和背腐蚀成膜实验,获得了面积达20×30mm<'2>的薄膜窗口.此种方法可用于X射线光刻掩模衬基制备.
- 陈大鹏叶甜春李兵韩劲东赵玲莉胥兴才
- 关键词：碳化硅LPCVDX射线光刻光刻掩模
- 文献传递
- 氮化硅X射线光刻掩膜
- 本文报道了采用LPCVD方法制备用于X射线光刻掩膜的富硅型SiN薄膜。根据SiN的成膜率和应力测试结果并结合透射电镜观测结果,分析了富硅型SiN薄膜的微观结构及其膜内应力之间的相互影响,并在薄膜内部发现存在一种纳米级取向...
- 陈大鹏叶甜春谢常青李兵赵玲利韩敬东胥兴才胥俊红陈昭辉
- 关键词：掩膜复合膜
- 文献传递
- X射线光刻技术研究
- 作者对同步辐射X射线光刻技术,包括掩膜、对准技术、光刻工艺及模拟、器件与电器制作进行了研究,已建立起一套较为完整的深亚微米X射线光刻技术,并研制出0.15微米的GaAs PHEMT器件与0.25微米的GaAs实验电路.
- 叶甜春谢常青陈大鹏李兵胥兴才赵玲莉韩敬东胥俊鸿陈朝晖孙加兴杨清华
- 关键词：X射线光刻掩模光刻工艺
- 文献传递
- ICP刻蚀技术在微细加工中的应用
- 电感耦合等离子体干法刻蚀技术(ICP)以其高密度高能量和刻蚀各向异性的特点越来越多的在微细加工领域被应用,微电子中心凭借在设备和工艺研发上的优势,在该领域进行了许多深入的研究和探索,并且用ICP干法刻蚀技术制备了EUV透...
- 李兵刘辉陈大鹏谢常青王玮冰王冠亚胥兴才陈朝晖叶甜春
- 关键词：ICPX射线光刻EUVRIE刻蚀技术
- 文献传递
- 深亚微米同步辐射x射线光刻模拟
- 2001年
- 用束衍生法研究了深亚微米同步辐射 x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应 ,并对 x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算。采用面向对象技术 ,研制了一个取名为 XLLS1 .0的模拟软件。
- 谢常青叶甜春陈大鹏李兵胥兴才
- 关键词：X射线光刻深亚微米半导体工艺
- 同步辐射光刻技术研究进展被引量：4
- 2002年
- 光刻技术是推动集成电路制造业不断向前发展的关键技术 ,X射线光刻技术是下一代光刻技术的一种 ,具有产业化的应用前景。掩模技术是X射线光刻技术的难点 。
- 陈大鹏叶甜春谢常青李兵董立军胥兴才赵玪莉韩敬东彭良强伊福庭韩勇张菊芳
- 关键词：光刻技术X射线光刻掩模集成电路
- LPCVD生长低应力氮化硅膜工艺研究
- 本文报道了在高温下采用LPCVD方法制备低应力,高透光率氮化硅薄膜的工艺过程.获得的薄膜在低应力,高透光率,以及成品率和重复性方面都有大幅度的提高.可广泛应用于X射线光刻掩模制造,微细加工等方面.
- 董立军陈大鹏韩敬东谢常青李兵赵铃莉胥兴才
- 关键词：氮化硅薄膜化学气相沉积
- 文献传递
- 激光等离子体X射线点光源光刻技术
- 目前看来,点光源X射线光刻技术是X射线光刻技术的重要发展方向.点光源X射线光刻技术表现出同步辐射X射线光刻技术不同的许多特性,如单色光、半阴影模糊、对准技术,等等.本文采用XOP软件对激光等离子体X射线点光源的功率谱进行...
- 谢常青叶甜春陈大鹏李兵赵玲利胥兴才胥俊红韩劲东
- 关键词：X射线光刻激光等离子体
- 文献传递
