您的位置： 专家智库 > >

董伟伟

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院合肥物质科学研究院更多>>
相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇铁矿
  • 4篇激光
  • 4篇钙钛矿
  • 3篇电池
  • 3篇透明导电
  • 3篇透明导电氧化...
  • 3篇纳米
  • 2篇带隙
  • 2篇电输运
  • 2篇电阻式传感器
  • 2篇丁醇
  • 2篇多晶
  • 2篇氧化铝
  • 2篇氧化铝涂层
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇乙基纤维素
  • 2篇油醇
  • 2篇有机金属
  • 2篇室温
  • 2篇输运

机构

  • 19篇中国科学院合...

作者

  • 19篇董伟伟
  • 18篇方晓东
  • 15篇邓赞红
  • 14篇邵景珍
  • 12篇陶汝华
  • 11篇王时茂
  • 2篇朱雪斌
  • 2篇赵义平
  • 2篇王涛
  • 2篇李达
  • 2篇周曙
  • 2篇张庆礼
  • 2篇胡红涛
  • 2篇宋超
  • 1篇王庆胜
  • 1篇王玺

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 19 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种激光直写氧化铝基板材料形成图形化铝导电层的方法
本发明公开了一种激光直写氧化铝基板材料形成图形化铝导电层的方法，该方法利用激光辐照直接在氧化铝基板材料形成图形化铝导电层。与其它方法相比，该方法具有操作步骤简单，制作速度快，图形选择性强等优点。本发明首先对氧化铝基板进行...
邵景珍方晓东王玺胡红涛陶汝华董伟伟邓赞红
文献传递
铜铁矿结构的铝酸亚铜多晶材料的制备方法及其制备的材料
本发明公开了一种铜铁矿结构的铝酸亚铜多晶材料的制备方法及其制备的材料。方法为(a)按铜与铝的摩尔比为1∶0.99～1.01，称量乙酸铜和仲丁醇铝，将乙酸铜加入柠檬酸、硝酸和乙醇的混合溶液中，搅拌至乙酸铜溶解，之后，向乙酸...
方晓东邓赞红李达董伟伟陶汝华赵义平王涛朱雪斌
文献传递
钙钛矿太阳电池准一维TiO<Sub>2</Sub>纳米结构阵列骨架层制备方法
本发明公开了一种钙钛矿太阳电池准一维TiO<Sub>2</Sub>纳米结构阵列骨架层制备方法，首先采用磁控溅射、真空热蒸发、脉冲激光沉积等物理镀膜技术在导电玻璃基底上依次制备TiO<Sub>2</Sub>致密层和Ti金属...
王时茂董伟伟方晓东陶汝华邓赞红邵景珍张庆礼
文献传递
一种制备黄铁矿相二硫化铁薄膜的方法
本发明公开了一种制备黄铁矿相二硫化铁薄膜的方法，包括利用水热法或热注入法获得黄铁矿相二硫化铁粉末；将二硫化铁粉末和乙基纤维素、松油醇调成浆料；通过丝网印刷法将二硫化铁浆料刷在玻璃或FTO导电玻璃衬底上；在硫和氮气/氩气气...
董伟伟宋超王时茂方晓东陶汝华邓赞红邵景珍
一种透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法
本发明涉及一种透明导电氧化物薄膜‑纳米线网络的制备方法。本发明包括步骤1，利用脉冲激光沉积方法在清洁的基底表面生长出透明导电氧化物薄膜；步骤2，然后将表面沉积有透明导电氧化物薄膜的基底取出并在所述透明导电氧化物薄膜表面的...
孟钢方晓东陶汝华董伟伟王时茂
文献传递
一种钢基体表面氧化铝涂层的制备方法
本发明公开了一种钢基体表面氧化铝涂层的制备方法，其特征是利用热蒸发方法在结构钢材表面沉积一层厚度的铝镀层，然后通过保护气氛后退火获得氧化铝涂层。本发明的主要优势在于：热蒸发法制备的涂层厚度可控，致密、孔隙率低、与钢基体的...
董伟伟周曙方晓东邓赞红邵景珍
文献传递
一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法
本发明公开了一种利用紫外激光处理钙钛矿太阳能电池中电子传输层的方法，采用的衬底可选择硬性衬底如氧化铟锡(ITO)，掺氟氧化锡(FTO)，柔性衬底如聚酰亚胺(PI)及聚对萘二乙酸乙二醇酯(PEN)等。电子传输层可选择氧化锌...
夏锐董伟伟王时茂方晓东邵景珍
文献传递
一种量子点敏化太阳电池
本发明公开了一种量子点敏化太阳电池，包括有两相对的透光导电基底，一个透光导电基底表面镀有贵金属层或硫化亚铜层作为对电极，一个透光导电基底表面附有含量子点的p型透明导电氧化物半导体纳米材料层，含量子点的p型透明导电氧化物半...
邓赞红方晓东董伟伟邵景珍
文献传递
一种以p型铜铁矿结构氧化物为敏感材料的室温氨气传感器及其制备方法
本发明公开了一种以p型铜铁矿结构氧化物为敏感材料的室温氨气传感器及其制备方法。首次把p型铜铁矿结构AgAlO<Sub>2</Sub>作为氨气传感器的敏感材料，构建了一种性能优良的电阻式室温氨气传感器。该传感器充分利用了半...
邓赞红方晓东孟钢董伟伟邵景珍王时茂
文献传递
p型铋锶钴氧化物半导体沟道薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种p型铋锶钴氧化物半导体沟道薄膜晶体管及其制备方法，在基底上形成栅电极；形成栅极绝缘体；形成沟道层；以及形成源电极和漏电极。基底上形成p型铋锶钴氧化物半导体沟道，在沟道上形成源电极和漏电极；形成栅极绝缘体；...
邓赞红方晓东邵景珍陶汝华董伟伟王时茂
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0