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赵鹏

作品数:56 被引量:42H指数:4
供职机构:昆明物理研究所更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金云南省自然科学基金云南省中青年学术和技术带头人后备人才项目更多>>
相关领域:电子电信文化科学一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 29篇专利
  • 26篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 34篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 34篇探测器
  • 34篇红外
  • 19篇红外探测
  • 18篇红外探测器
  • 16篇碲镉汞
  • 12篇焦平面
  • 12篇光电
  • 9篇探测器材料
  • 9篇红外探测器材...
  • 9篇暗电流
  • 8篇INASSB
  • 7篇光电子
  • 7篇光电子材料
  • 7篇红外焦平面
  • 7篇长波
  • 6篇底电极
  • 6篇焦平面探测器
  • 6篇工作温度
  • 5篇势垒
  • 5篇碲锌镉

机构

  • 56篇昆明物理研究...
  • 2篇华中科技大学
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇云南大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 56篇赵鹏
  • 24篇孔金丞
  • 16篇邓功荣
  • 15篇杨文运
  • 13篇李立华
  • 13篇姬荣斌
  • 12篇赵俊
  • 10篇李雄军
  • 9篇黄晖
  • 8篇袁俊
  • 8篇秦强
  • 7篇姜军
  • 7篇李艳辉
  • 7篇杨超伟
  • 6篇唐利斌
  • 6篇袁绶章
  • 6篇覃钢
  • 6篇宋林伟
  • 6篇李德香
  • 4篇太云见

传媒

  • 11篇红外技术
  • 8篇红外与毫米波...
  • 5篇红外与激光工...
  • 2篇激光与红外
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 7篇2024
  • 15篇2023
  • 11篇2022
  • 10篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2007
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇2001
56 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
甚高灵敏度红外探测器读出电路研究进展被引量:7
2020年
在读出电路有限的像元面积内获得尽可能大的电荷存储量是实现甚高灵敏度红外探测器的关键。基于脉冲频率调制的像元级模数转换(ADC)是实现甚高灵敏度红外探测器读出电路的主要方法,阐述了像元级脉冲频率调制ADC的原理,介绍了美国麻省理工学院林肯实验室、法国CEA-LETI在像元级数字读出电路的研究进展。作为从立体空间拓展电路密度的新技术,介绍了三维读出电路的研究进展。最后介绍了昆明物理研究所甚高灵敏度红外探测器读出电路的研究进展。利用像元级ADC技术和数字域时间延迟积分(TDI)技术,昆明物理研究所研制的长波512×8数字化TDI红外探测器组件,峰值灵敏度达到1.5 mK。
陈虓李立华李立华梁艳胡彦博李敏姚立斌赵长明赵鹏
中长双色红外焦平面探测器组件技术研究
2023年
在(211)B碲锌镉衬底上,采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料,通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺,实现中长双色640×512红外焦平面探测器组件研制。中长双色碲镉汞材料测试结果表明,表面宏观缺陷(2~10μm)密度统计分布约773 cm^(-2),同时对材料进行了XRD双晶衍射半峰宽(FWHM)测试和位错腐蚀坑(EPD)统计,XRD测试FWHM约31.9 arcsec,EPD统计值约为5×10^(5) cm^(-2);双色器件芯片台面刻蚀深度达到8μm以上,深宽比达到1∶1以上,侧壁覆盖率达到72.5%。中长双色红外焦平面组件测试结果表明,中波波长响应范围为3.6~5.0μm,长波波长响应范围为7.4~9.7μm,中波向长波的串音为0.9%,长波向中波的串音为3.1%,中波平均峰值探测率达到3.31×10^(11) cm·Hz^(1/2)/W,NETD为17.7 mK;长波平均峰值探测率达到6.52×10^(10) cm·Hz^(1/2)/W,NETD为32.8mK;中波有效像元率达到99.46%,长波有效像元率达到98.19%,初步实现中长双色红外焦平面组件研制。
耿松杨晋李树杰覃钢李立华赵俊李艳辉孔金丞赵鹏左大凡胡彦博梁艳任洋
关键词:碲镉汞分子束外延等离子体刻蚀串音
一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法
本发明涉及一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法,属于光电子材料与器件技术领域。所述材料的结构从上向下依次为顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底;采用分子术外延法制...
赵鹏邓功荣杨文运陈冬琼李德香肖婷婷岳彪朱琴施静梅杨绍培袁俊黄晖
一种近红外可见光的OPV碘掺杂的光伏型的有机探测器
本发明涉及光电子技术领域,尤其是光导型有机半导体探测器。本发明公开了一种近红外可见光的OPV碘掺杂的光伏型的有机探测器,在衬底上设置各功能层构成,包括衬底(1),金属或透明导电极(3)、空穴传输层(4)以及有机光敏层(2...
唐利斌姬荣斌项金钟田品孔金丞袁俊太云见赵鹏
文献传递
一种基于指数模型的砷束源炉阀位控制方法
本发明公开了一种基于指数模型的砷束源炉阀位控制方法,根据分子束外延设备中生长过程砷束源炉束流和生长出的砷锑双V族材料组分变化趋势,获得砷束源炉束流变化指数模型,通过基于指数模型砷阀位控制,实现对砷束源炉束流的精确控制。本...
张健常超杨绍培殷瀚翔岳彪王海澎李艳辉邓功荣孔金丞赵鹏
一种双色碲镉汞红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种双色碲镉汞红外光电探测器及其制备方法,该双色探测器基于单极型势垒结构,其结构包括CdZnTe衬底、沉积于CdZnTe衬底上的外延结构、钝化层、金属电极,外延结构从下至上依次为宽带隙n型Hg<Sub>1‑x...
任洋覃钢孔金丞李艳辉杨春章赵鹏
一种采用PBN坩埚合成碲锌镉晶体的方法及装置
本发明公开了一种采用PBN坩埚合成碲锌镉晶体的方法及装置,该方法包括:利用PBN坩埚作为载体,在PBN坩埚内进行高温合成,实现碲锌镉多晶体材料的制备;同时为防止高温合成条件下材料发生化学反应导致材料溢出,增加高强度密封盖...
姜军孔金丞赵鹏陈少璠姬荣斌赵文袁绶章蔡春江赵增林刘永传唐清云
一种近红外可见光的OPV碘掺杂的光伏型的有机探测器
本发明涉及光电子技术领域,尤其是光导型有机半导体探测器。本发明公开了一种近红外可见光的OPV碘掺杂的光伏型的有机探测器,在衬底上设置各功能层构成,包括衬底(1),金属或透明导电极(3)、空穴传输层(4)以及有机光敏层(2...
唐利斌姬荣斌项金钟田品孔金丞袁俊太云见赵鹏
文献传递
一种用于增大碲锌镉单晶率的生长方法及装置
本发明公开了一种用于增大碲锌镉单晶率的生长方法及装置,该装置包括PBN坩埚、支撑装置、碲锌镉材料、石英坩埚容器及加热单元;碲锌镉材料装入PBN坩埚并密封于石英坩埚容器内;石英坩埚容器置于支撑装置上;PBN坩埚包括籽晶引晶...
孔金丞姬荣斌姜军赵鹏赵增林陈少璠赵文庹梦寒贺政蔡春江李向堃
文献传递
高工作温度中波红外碲镉汞焦平面研究
2023年
该文报道了昆明物理研究所高工作温度中波红外碲镉汞焦平面探测器器件的研究情况。通过优化焦平面器件结构参数,采用As离子注入形成p-on-n平面结器件技术,在液相外延生长的高质量原位In掺杂的碲镉汞薄膜上制备了阵列规格为640×512@15μm的中波红外焦平面探测器。利用变温杜瓦测试了焦平面芯片在不同工作温度下的光谱响应、器件暗电流、噪声等效温差、有效像元率以及盲元分布等,测试结果表明器件具备180K以上工作温度的能力。
覃钢秦强何天应宋林伟左大凡杨超伟李红福李轶民孔金丞赵鹏赵俊
关键词:中波红外碲镉汞噪声等效温差
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