邓群
- 作品数：13 被引量：17H指数：2
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- β-Ga_2O_3:Cr单晶体的浮区法生长及光学特性被引量：1
- 2007年
- 利用浮区法生长得到β-Ga2O3:Cr单晶体.在室温下测试了β-Ga2O3:Cr单晶体的吸收光谱和发射光谱.通过吸收光谱计算了晶体场分裂系数Dq和Racah系数,得到10Dq/B=23.14,表明Cr3+在β-Ga2O3晶体中处于较弱的晶体场.β-Ga2O3:Cr单晶体经高温退火后Cr3+的发射明显加强,而绿光的发射减弱.采用420nm波长激发,在691nm可得到强而宽的特征发射,此发射对应于Cr3+的4T2→4A2跃迁.
- 张俊刚李斌夏长泰徐军邓群徐晓东吴锋徐悟生史宏生裴广庆吴永庆
- 关键词：浮区法光谱
- 四方品系晶体的Bridgman法生长的稳态数值模拟被引量：2
- 2003年
- 本文对四方晶系晶体的Bridgman法生长进行了稳态数值模拟。当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,将产生“W”形固液界面。通过比较,指出不同导热系数组合时晶体生长的难易。当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,界面平坦,容易长出较好质量的晶体。对中、低级晶系的生长,晶体横向导热系数应大于纵向导热系数。
- 张海斌沈定中任国浩邓群
- 关键词：BRIDGMAN法晶体生长导热系数
- Ce3+激活的混合卤化物钾冰晶石以及高能量分辨率闪烁体
- 本发明涉及Ce3+激活的混合卤化物钾冰晶石以及高能量分辨率闪烁体。描述闪烁体组合物，其包括基质材料和活化剂。该基质材料包括：至少一个碱金属或铊；不同于前面选择的碱金属的至少一个碱金属；至少一个镧系元素；以及至少两个卤素。...
- A·M·斯里瓦斯塔瓦H·A·科曼佐V·S·文卡塔拉曼尼S·J·杜克罗斯L·L·克拉克邓群
- 文献传递
- 闪烁体、相关检测装置及方法
- 本发明涉及一种闪烁体，其组成为(Gd<Sub>x</Sub>Lu<Sub>y</Sub>M<Sub>1-x-y</Sub>)<Sub>2</Sub>Si<Sub>2</Sub>O<Sub>7</Sub>，其中M为Ce、P...
- 徐悟生刘中仕阿洛克·M·斯里瓦斯塔瓦林川刘艳萍邓群管杰
- 文献传递
- 闪烁体、相关检测装置和方法
- 本发明提供一种闪烁体，所述闪烁体包含式(Lu<Sub>1-x-y-z</Sub>Ce<Sub>x</Sub>In<Sub>y</Sub>M<Sup>1</Sup><Sub>z</Sub>)<Sub>2</Sub>SiO<...
- 徐悟生刘中仕邓群
- 文献传递
- 基于镧系元素卤化物的闪烁剂组合物和相关方法及制品
- 描述了一种闪烁剂组合物，其包括基质材料和活化剂。所述基质材料包括至少一种镧系元素卤化物化合物。所述基质也可以含有至少一种碱金属，在一些实施方案中，也可以含有至少一种碱土金属。所述组合物也含有用于所述基质的镨活化剂。公开了...
- A.M.斯里瓦斯塔瓦S.J.杜克洛斯L.L.克拉克H.A.科曼佐邓群
- 文献传递
- 气相传输平衡技术制备LiGaO_2薄膜
- 2006年
- 为获得与GaN薄膜晶格失配小的衬底材料,报道了利用气相传输平衡技术(VTE)在(100)-βGa2O3单晶衬底上制备高度[001]取向LiGaO2薄膜的方法。经过X射线衍射分析表明得到的薄膜是由单相LiGaO2组成。利用扫描电镜(SEM)观察表面形貌,发现经气相传输平衡技术处理得到的薄膜表面形貌主要受温度的影响,表面晶粒尺寸随温度上升而增大。而X射线衍射测试表明随着温度上升,所得到的薄膜也从多晶向单晶化转变。在经过退火处理后,通过观察吸收谱发现LiGaO2薄膜中产生色心,并且色心的种类与温度有关。表明可以通过气相传输平衡技术技术,在远低于LiGaO2熔点的温度制备外延GaN用(001)LiGaO2∥(100)β-Ga2O3复合衬底。
- 张俊刚夏长泰吴锋裴广庆李抒智徐军周圣明邓群徐悟生史宏声
- 关键词：薄膜光学复合衬底色心
- Ce3+激活的混合卤化物钾冰晶石以及高能量分辨率闪烁体
- 本发明涉及Ce3+激活的混合卤化物钾冰晶石以及高能量分辨率闪烁体。描述闪烁体组合物，其包括基质材料和活化剂。该基质材料包括：至少一个碱金属或铊；不同于前面选择的碱金属的至少一个碱金属；至少一个镧系元素；以及至少两个卤素。...
- A·M·斯里瓦斯塔瓦H·A·科曼佐V·S·文卡塔拉曼尼S·J·杜克罗斯L·L·克拉克邓群
- 文献传递
- Bridgman法晶体生长过程中界面形状的改变被引量：4
- 2005年
- 对不同生长条件下,Bridgm an法晶体生长过程进行了计算,对界面形状的改变的规律加以总结,并讨论了不同生长条件对界面形状的改变的影响。换热系数、导热系数和晶体宽度是影响界面凸凹程度及其变化趋势的重要参数。
- 张海斌任国浩邓群刘高联陈建明
- 关键词：BRIDGMAN法晶体生长导热系数
- β-Ga_2O_3单晶浮区法生长及其光学性质被引量：11
- 2006年
- 用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。解释了禁带部分展宽的原因。并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响。-βGa2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射。
- 张俊刚夏长泰吴锋裴广庆徐军邓群徐悟生史宏生
- 关键词：浮区法宽禁带半导体
